PTFC270101M High Pow_代理商_研发采购服务

PTFC270101M High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz

发布时间： 2018-07-31

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

INFINEON（英飞凌）

型号：

PTFC270101M; PTFC270101M V1 R1K; PTFC270101MV1R1KXUMA1; LTN/PTFC270101M V1; LTN/PTFC270101M E3; LTN/PTFC270101M E4; LTN/PTFC270101M E5; LTN/PTFC270101M E6; LTN/PTFC270101M E7; ECJ-1VB1H102K; ATC600S120JW250; C3225X7R1H225K250AB; ATC600S1R0CW250; UMK325C7106MM-T; ATC600S0R3CW250; ERJ-8GEYJ100V; ERJ-3GEYJ122V; ERJ-3GEYJ132V; ERJ-8GEYJ471V; ERJ-3GEYJ100V; 3224W-1-202E; LM78L05ACM; BCP56-10; C4532X7R2A105M230KA; ATC600F1R2CW250; ATC600F120JW250; ATC600F1R5CW250

资料下载

资料平台

数据手册 - 英文	大功率射频LDMOS场效应晶体管10W，28V，900–2700MHz PTFC270101M 04.2	下载
测试报告 - 英文	材料含量数据表PTFC270051M V2 R1K 24. April 2015	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 280 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262808FV Rev. 03	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 140 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC261402FC Rev. 05	下载
数据手册 - 英文	PTFC270051M大功率射频LDMOS场效应晶体管5 W，28 V，900–2700 MHz Rev. 01.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 280 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262808SV Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 150 W，28 V，2110–2170 MHz PXFC211507SC Rev. 02	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 220 W，28 V，1805–1990 MHz PXFC192207NF Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 220 W，28 V，1805–1990 MHz PXFC192207FH Rev. 04.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262157FH Rev. 03.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 220 W，28 V，1805–1990 MHz PXFC192207SH Rev. 02	下载
数据手册 - 英文	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz PTFC262157SH Rev. 03	下载
数据手册 - 英文	热增强型50VpxFc1915射频场效应晶体管 Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 12 W，50 V，500–1400 MHz PTVA120121M Rev. 02	下载
数据手册 - 英文	坚固的LDMOS和氮化镓射频功率晶体管蜂窝，雷达，商业航空电子，ISM和广播应用 05 / 2016	下载
数据手册 - 英文	坚固的LDMOS和氮化镓SiC射频功率晶体管雷达、商用航空电子设备、ISM应用 05/2017	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 240 W，28 V，2110–2170 MHz PXFC212551SC Rev. 03.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 60 W，28 V，1805–1880 MHz PXAC180602MD Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 25 W，48 V，500–1400 MHz PTVA120252MT Rev. 03.3	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 12 W，50 V，390–450 MHz PTVA030121EA Rev. 05.1	下载
数据手册 - 英文	热增强型大功率射频ldmosfet 1000w，50v，1030/1090mhz PTVA101K02EV Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，50 V，960–1400 MHz PTVA102001EA Rev. 02	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 50 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA120501EA Rev. 02.1,	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 450 W，50 V，960–1215 MHz PTVA104501EH Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	大功率射频LDMOS场效应晶体管12w，28v，700–2200mhz PTFA220121M Rev. 10	下载
数据手册 - 英文	热增强型高功率射频LDMOS FET 350 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA123501EC PTVA123501FC Rev. 05.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 500 W，50 V，390–450 MHz PTVA035002EV Rev. 05.2	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管700瓦，50伏，1200–1400兆赫 Rev. 03.3	下载
数据手册 - 英文	大功率射频LDMOS场效应晶体管340 W，30 V，1805–1880 MHz PTFB183408SV Rev. 03	下载
数据手册 - 英文	PXAC192908FV热增强高功率RF LDMOS FET 240 W，28 V，1930–1995 MHz Rev. 02.3	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 700 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA127002EV Rev. 03.2	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 240 W，28 V，1805–1880 MHz PXAC182908FV Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 320 W，28 V，2110–2170 MHz PTFB213208SV Rev. 04	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 180 W，28 V，920–960 MHz PTFB091802FC Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 270 W，28 V，925–960 MHz PTFB092707FH Rev. 03.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOSFET 32 W，28 V，2496–2690 MHz PTFC260362SC Rev. 03	下载
数据手册 - 英文	PTGA090304MD宽带LDMOS两级集成功率放大器数据表 Rev. 01	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 350 W，50 V，470–860 MHz PTVA043502EC PTVA043502FC 2016/12/24	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 270 W，28 V，728–768 MHz PTFB072707FH Rev. 02.1	下载
数据手册 - 英文	热增强高功率射频LDMOS FET 28 W，28 V，1800–2200 MHz PTFC210202FC Rev. 03.4	下载
数据手册 - 英文	热增强型大功率射频LDMOS FET 25W，28V，2495–2690MHz PTFC2602FC Rev. 03.3	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

去使用世强AI >>

应用/方案

基站应用最爱这款4×4 mm2的宽频RF LDMOS

来自Infineon的PTFC270101M是一款性价比极高的RF LDMOSFET，能够提供出色的增益、高效率和高线性度，以及优秀的热稳定性，能够延长器件的寿命，并有效提高射频应用的功率传输性能。

阅读原文 >>

【产品】可应用于900MHz-2700MHz的LDMOS PTFC270101M，集成ESD保护

900MHz-2700MHz的超宽带5W、10W 推动级LDMOS向小型化，高增益演进！尺寸仅为4×4mm！

阅读原文 >>

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。

阅读原文 >>

【产品】工作频率范围为900MHz-2700MHz的高频射频放大器PTFC270101M，针对多标准蜂窝网络功率放大应用

PTFC270101M的工作频率范围为900MHz-2700MHz，具有20.5dB的增益，助力高精度模拟电路设计。

阅读原文 >>

【产品】采用了小型的注塑封装射频功率放大器PTFC270051M，适用于高密度集成电路

Infineon公司推出了主要针对射频功放应用的5W射频LDMOS FET，型号为PTFC270051M，是一款优秀的低功率高增益射频放大器

阅读原文 >>

【产品】工作频段2620MHz-2690MHz，280W输出功率18dB增益的射频放大器晶体管

INFINEON的PTFC262808FV可广泛应用于2620MHz-2690MHz频段的功率放大器中，具有18dB的增益。集成ESD保护，人体模型1C，轻松应对恶劣环境

阅读原文 >>

【产品】适用于2620MHz-2690MHz频段的200W级RF FET PTFC262157FH

PTFC262157FH是Infineon公司针对多标准蜂窝网络功率放大应用推出的一款200W级RF FET，19.5dB增益，宽视频带宽

阅读原文 >>

【产品】热增强型射频LDMOS功率放大器PTFC260202FC，为2495MHz-2690MHz频段应用而特殊设计

INFINEON的PTFC260202FC是一款应用于2495MHz-2690MHz频段的10W级低功率RF FET，性能稳定可靠性高。

阅读原文 >>

【产品】32W射频功率放大器LDMOS FET，可应用于2496MHz至2690MHz的多标准移动通信

Infineon的PTFC260362SC是32W高功率，52%高效率的射频功率放大器LDMOS FET，非常适合于2496-2690MHz移动通信应用。

阅读原文 >>

资料资料平台世强AI 应用/方案