Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 48 V, 500 – 1400 MHz PTVA120252MT

知识图谱

发布时间： 2018-06-07 品牌： INFINEON 资料类型：数据手册语言：英文

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热增强高功率射频LDMOS FET 350 W，50 V，470–860 MHz PTVA043502EC PTVA043502FC

2016/12/24 - 数据手册 PTVA043502EC和PTVA043502FC是Infineon公司生产的LDMOS FET，适用于470至860 MHz频段的功率放大器应用。这些器件具有高增益、热增强封装和螺栓固定式和无耳法兰，采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，提供优异的热性能和可靠性。

INFINEON - LDMOS FETS,热增强大功率射频LDMOS场效应管,LDMOS FET,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FETS,ATC100B101K500XB,PTVA043502FCV1R2XTMA1,ERJ-8GEYJ202V,UT141C-25,PTVA043502FC,C4532X7R2A105M230KA,SEK471M050ST,BCP56,UMK325C7106MM-T,TPSE106K050R0400,ATC100B301K500XB,3224W-202ETR-ND,PTVA043502ECV1R0XTMA1,PTVA043502ECV2R0XTMA1,ATC100B5R6CW500XB,ATC100B750JW500XB,ERJ-8GEYJ100V,ERJ-8GEYJ102V,ATC100B130JW500XB,PTVA043502EC,ERJ-8RQJ5R6V,2225PC105KAT1A,C5750X5R1H106K230KA,ATC100B3R9CW500XB,ERJ-3GEYJ132V,ATC100B7R5JW500XB,ECJ-1VB1H102K,ATC100B201K300XB,PTVA043502FCV1R0XTMA1,LM78L05ACM-ND,ATC100B1R0CW500XB,ERJ-3GEYJ122V,POWER AMPLIFIER,功放

采用IRS2982S控制器IRXLED04的55W反激变换器设计

2016-03-09 - 应用笔记或设计指南本文档详细介绍了使用IRS2982S控制器设计55W反激式转换器的过程。内容包括IRS2982S的功能概述、反激式转换器类型、原理图、尺寸设计、控制回路、物料清单、变压器规格和PCB布局。文档重点介绍了如何通过IRS2982S实现高效、稳定的LED驱动和通用开关电源设计。

INFINEON - ERJ-8GEYJ153V,C4532X7R3A102M200KA,RS1MB-13-F,5000,5001,5002,5003,ERJ-8GEYJ103V,5004,ERJ-8GEYJ105V,VY2102M29Y5UG63V7,1985195,C3216C0G1H104J160AA,SBR20A300CT,750316066 REV 00,EEU-FR1J471B,C0805C220J5GACTU,IRS2982S,ERJ-6ENF1402V,B32922C3104M,ERJ-8GEYJ473V,ERJ-6GEYJ334V,IPA80R650CE1,ERJ-8GEYJ100V,TPT-PQ2627-001A,ERJ-8GEYJ1R5V,ERJ-8GEYJ203V,EEU-EB1H220S,VY2102M29Y5US63V7,C2012X7R1E224K125AB,ERJ-6GEYJ471V,C2012X7R2E102K085AA,LL4148-13,SS-5H-1.6A-APH,IRXLED04,GBU4J-E3/51,SS24H-R05600-CH,CFR-50JB-52-10K,C3216CH1H103K085AA,CGA4C2C0G1H223J060AA,1985205,BZV55C18-TP,ERJ-8GEYJ4R7V,C3216X5R1H106K160AB,ERJ-8GEYJ511V,ERJ-8GEYJ474V,S10K320E2K1,B32922C3224M

热增强高功率射频LDMOS FET 28 W，28 V，1800–2200 MHz PTFC210202FC

2016-06-22 - 数据手册 PTFC210202FC是一款由Infineon公司生产的28W高功率RF LDMOS FET，专为2.1GHz至2.17GHz频段的蜂窝放大器应用设计。该器件集成了两个独立的10W LDMOS FET，采用Infineon先进的LDMOS工艺，提供卓越的热性能和可靠性。

INFINEON - LDMOS FETS,热增强大功率射频LDMOS场效应管,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET,LDMOS FET,UMK325C7106MM-T,CR11206T0100J,ERJ-8GEYJ100V,ATC100A200JW150XB,ECA-1HHG101,PTFC210202FCV1R250XTMA1,PTFC210202FC,PTFC210202FCV1R0XTMA1,ATC100A5R1CW250XT,ATC100A200JW250XT,C5750X5R1H106K230KA,ATC800A1R6BT250XT,蜂窝放大器,CELLULAR AMPLIFIER

IRDCiP2001-C参考设计

07/19/02 - 应用笔记或设计指南本资料提供了一种基于iP2001的4相同步降压转换器的设计方案，适用于实验室环境，无风情况下可提供高达80A的电流。资料中包含了电路图、元件清单、性能参数和操作指南，帮助工程师快速设计4相转换器。此外，还提供了关于iPOWIR技术产品的应用指南和应用笔记，以优化设计并确保产品安全运行。

INFINEON - C2012X7R1H223K,ETQP6F0R6BFA,MCR10EZHJ000,8412,C5750X5R0J107K,C3225X5R1C106K,IRDCIP2001-C,C1608X7R1H472K,IP2001,C2012COG1H220J,RM73B1J510J,MCR10EZHJ513,HIP6311CB,SD06H0SK,MCR10EZHJ102,C2012X7R1H103K,MCR10EZHJ103,MCR10EZHJ202

热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管700瓦，50伏，1200–1400兆赫

2017-02-06 - 数据手册 PTVA127002EV是一款适用于1200至1400 MHz频段的高功率RF LDMOS FET，用于功率放大器应用。该器件采用Infineon的先进LDMOS工艺制造，具有高增益和热增强封装，提供优异的热性能和可靠性。

INFINEON - 热增强大功率射频LDMOS场效应管,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET,LDMOS场效应晶体管,LDMOS FET,ATC100B390KW500,ECO-S2AP682EA,SK101M100ST,ERJ-8GEYJ202V,C4532X7R2A105M230KA,SEK220M100ST,ATC100B560JW500XB,BCP56,SEK100M100ST,ATC800A3R9CW250,PTVA127002EV,LM7805,ERJ-8GEYJ100V,ERJ-8GEYJ102V,ATC100B2R2CW500,ERJ-8RQJ5R6V,C5750X5R1H106K230KA,ERJ-3GEYJ132V,ECJ-1VB1H102K,ERJ-8GEYJ5R6V,ATC100A6R2CW150XB,ATC100B390KW500XB,ERJ-3GEYJ122V,3224W-1-202E,ATC100B560JW500,功率放大器应用,POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

IRDCiP2001-B参考设计

07/19/02 - 应用笔记或设计指南本资料提供了一种基于iP2001的3相同步降压转换器的设计方案，适用于实验室环境，输出电流可达60A。资料中包含了电路图、元件清单、效率曲线、启动指南和注意事项。设计者可根据具体需求调整输出电压、开关频率等参数，并参考数据手册进行优化。此外，资料还提供了关于iPOWIR技术产品的应用指南和注意事项。

INFINEON - C2012X7R1H223K,ETQP6F0R6BFA,MCR10EZHJ000,8412,C5750X5R0J107K,C3225X5R1C106K,C1608X7R1H472K,IRDCIP2001-B,IP2001,C2012COG1H220J,RM73B1J510J,MCR10EZHJ513,HIP6311CB,SD06H0SK,MCR10EZHJ102,C2012X7R1H103K,MCR10EZHJ103,MCR10EZHJ202

热增强高功率射频LDMOS FET 700 W，50 V，470–806 MHz PTVA047002EV

2015-07-08 - 数据手册 PTVA047002EV是一款适用于470 MHz至806 MHz频段的LDMOS FET，用于功率放大器应用。该器件具有高增益、热增强封装和螺栓固定法兰，采用Infineon的先进LDMOS工艺制造，提供优异的热性能和可靠性。

INFINEON - ATC800A120JW150XB,ERJ-8GEYJ1R0V,ATC100A100JW150XB,ERJ-8GEYJ100V,ATC100A8R2JW150XB,ATC100A6R8JW150XB,SK101M100ST,ATC100A4R7JW150XB,ATC100A160JW150XB,ATC100A101JW150XB,C5750X5R1H106K230KA,PTVA047002EV,ERJ-8GEYJ5R6V,UT-090C-25,ATC100A4R1JW150XB,ATC10QA2R0JW150XB,PTVA047002EVV1R250XTMA1,ATC100B910JW150XB,PTVA047002EVV1R0XTMA1,ATC100B910JW500XB

IRDCiP2001-A参考设计

07/19/02 - 应用笔记或设计指南本资料提供了一种基于iP2001的2相同步降压转换器的设计，适用于实验室环境，无风情况下可提供高达40A的电流。资料中包含了电路图、元件清单、效率曲线和连接及启动指南。此外，还提供了PWM控制器电压识别代码、过流限制调整方法以及控制IC与iP2001模块的同步方法。

INFINEON - C2012X7R1H223K,ETQP6F0R6BFA,MCR10EZHJ000,8412,C5750X5R0J107K,C3225X5R1C106K,C1608X7R1H472K,IRDCIP2001-A,IP2001,C2012COG1H220J,RM73B1J510J,MCR10EZHJ513,HIP6311CB,SD06H0SK,MCR10EZHJ102,MCR10EZHJ103,C2012X7R1H103K,MCR10EZHJ202

热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，50 V，960–1400 MHz PTVA102001EA

2015-09-22 - 数据手册 PTVA102001EA是一款200瓦LDMOS FET，适用于960-1400 MHz频段的功率放大器应用。该器件采用Infineon的先进LDMOS工艺制造，具有高增益和热增强型封装，提供优异的热性能和可靠性。

INFINEON - PTVA102001EAV1R2XTMA1,ERJ-8GEYJ100V,ECO-S2AP682EA,SK101M100ST,PTVA102001EA,ERJ-8GEYJ102V,ERJ-8GEYJ202V,PTVA102001EAV1R0XTMA1,ERJ-8RQJ5R6V,C5750X5R1H106K230KA,C4532X7R2A105M230KA,ATC100B3R6CW500XB,SEK220M100ST,ERJ-3GEYJ132V,LM78L05ACM,ECJ-1VB1H102K,BCPS6,SEK100M100ST,ATC100B390KW500XB,ERJ-3GEYJ122V,3224W-1-202E

IR3651评估板用户指南

12/20/2006 - 用户指南本资料为IR3651评估板的用户指南，介绍了IR3651这款高压PWM控制器的设计和应用。IR3651适用于高性能同步Buck DC/DC应用，可驱动外部N-MOSFET，支持高达400kHz的可编程开关频率，并具备同步功能简化滤波器设计。输出电压可通过内部1.25V参考电压精确调节。评估板规格包括48V输入、3.3V输出、10A输出电流和100kHz开关频率。资料中还包括电路布局、物料清单和典型输出波形等详细信息。

INFINEON - GRM2165C1H222JA01D,CC0805KRX7R8BB104,DB513,IR3651,6TPD330M,ERJ-6ENF6650V,ERJ-6ENF2872V,ERJ-6ENF4991V,IRF6662,ERJ-6ENF2553V,MMBD6100LT1,STS1305-6R8M,ERJ-6ENF1912V,ERJ-8ENF2431V,GRM32ER72A225K,IRF6646,BZX84C12-7-F,ECJ-2FB1C105K,ERJ-6ENF1742V,ERJ-6ENF1501V,ERJ-6ENF0R00V,C0805C221J5GACTU,GRM21B5C1H183JA01L

热增强高功率射频LDMOS FET 700 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA127002EV

2016-04-19 - 数据手册 PTVA127002EV是一款适用于1200至1400 MHz频段的高功率RF LDMOS FET，用于功率放大器应用。该器件采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，具有高增益和热增强封装，提供优异的热性能和可靠性。

INFINEON - 热增强大功率射频LDMOS场效应管,THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET,LDMOS场效应晶体管,LDMOS FET,ATC100B390KW500,ECO-S2AP682EA,SK101M100ST,ERJ-8GEYJ202V,C4532X7R2A105M230KA,SEK220M100ST,ATC100B560JW500XB,BCP56,PTVA127002EVV1R0XTMA1,SEK100M100ST,ATC800A3R9CW250,PTVA127002EV,LM7805,ERJ-8GEYJ100V,ERJ-8GEYJ102V,ATC100B2R2CW500,ERJ-8RQJ5R6V,C5750X5R1H106K230KA,ERJ-3GEYJ132V,PTVA127002EVV1R250XTMA1,ECJ-1VB1H102K,ERJ-8GEYJ5R6V,ATC100A6R2CW150XB,ATC100B390KW500XB,ERJ-3GEYJ122V,3224W-1-202E,ATC100B560JW500,POWER AMPLIFIER,功放

IRPLPFC1 90-265VAC PFC预调节器

2018/02/15 - 应用笔记或设计指南本文介绍了IRPLPFC1 90-265VAC PFC预调节器，详细阐述了其工作原理、设计方程、影响功率因数和总谐波失真的因素、PCB布局考虑因素以及物料清单。文章重点介绍了PFC电路的功能描述、设计方程、影响PF和THD的因素、PCB布局注意事项和测试结果。

INFINEON - EEU-EE2W560,ERJ-8GEYJ222V,1902F,STTH3L06S,ERJ-8GEYJ124V,EKZE250ELL101MF11D,B82721A2152N1,RC0805FR-0712K7L,RS3JB-13-F,RC0805FR-078K87L,ECQ-U2A224ML,QXK2G474KTP,RL-1282-1000,B57236S0259L002,IRPLPFC1 REV A,ERJ-1TRQJR27U,C2012X7R1H102K,ERJ-6GEYJ103V,ERJ-8GEYJ220V,5122,ERJ-6GEY183V,5124,FLZ18VC,ERJ-14YJ334U,ERJ-6GEYJ470V,C2012COG2A471J,C2012X7R1E105K,PFC-13500-01,IPP60R250CP,IRS2500S,ERJ-8GEYJ754V,2N3904TF,PMS 440 0025 PM,C2012X7R1H103K,DL4148-TP,E350ELL300ME11D,IRPLPFC1,591202B00000G,26-60-4030,ERJ-6GEYJ102V,IRS2500,C3216X7R1H104K,EKZ,C3216X7R1E105K,GBU4J,5005,5006,5007,RST 3.15,5008,5009

【选型】Infineon（英飞凌）射频功率产品选型指南

2017年5月 - 选型指南本资料主要讲述以下产品：横向扩散金属氧化物半导体，半导体，LDMOS，氮化镓晶体管，碳化硅晶体管，晶体管，ICs，蜂窝基础设施射频功率晶体管，通用射频晶体管，射频晶体管，射频功率晶体管，功率晶体管，集成射频功率放大器，射频功率放大器，放大器，超高频射频功率晶体管，L波段射频功率晶体管，广播射频功率晶体管等。

INFINEON - CELLULAR INFRASTRUCTURE RF POWER TRANSISTORS,超高频射频功率晶体管,功率晶体管,碳化硅晶体管,广播射频功率晶体管,BROADCAST RF POWER TRANSISTORS,ICS,放大器,RF POWER AMPLIFIERS,GENERAL PURPOSE RF TRANSISTORS,集成射频功率放大器,RF TRANSISTORS,通用射频晶体管,TRANSISTORS,射频功率晶体管,RF POWER TRANSISTORS,INTEGRATED RF POWER AMPLIFIERS,L-BAND RF POWER TRANSISTORS,AMPLIFIERS,射频电晶体,集成电路,射频功率放大器,晶体管,GAN TRANSISTORS,UHF RF POWER TRANSISTORS,LDMOS,POWER TRANSISTORS,蜂窝基础设施射频功率晶体管,L波段射频功率晶体管,氮化镓晶体管,SIC TRANSISTORS,PXAC260602FC,PTRA083818NF,PXAC182908FV,PXAC201202FC,PTFC270101M,PTFC262802FV,PXFC192207NF,PTFB090901EA,PXAC210552MD,PTVA082407NF,PXFC191507FC,PTFC260202FC,PTRA094252FC,PTVA047002EV,PXFC192207FH,PTFA220121M,PTMA180402M,PTRA094808NF,PTMA210152M,GTVA261701FA,PTVA035002EV,PTFC262157FH,PXAC261212FC,PTFB093608FV,PTFB201402FC,PTFB211503FL,PTRA093818NF,PTVA120251EA,PTVA043502EC,PTFB210801FA,PTFB212503FL,PXAC180602MD,PTFB072707FH,GTVA104001FA,PXAD184218FV,GTVA107001FC,GTVA126001FC,PXAC182002FC,PTFB213208FV,PTVA123501FC,PTVA102001EA,PTFB182503EL,PTMA080152M,PTRA093302FC,PXAC200902FC,PTRA082808NF,PXAC213308FV,PTVA043502FC,PXAD214218FV,PTFB192503FL,PTMC210404MD,PXAC201602FC,PTFC261402FC,PTVA101K02EV,PTAC210802FC,PTFB091507FH,PTVA093002ND,PXAC243502FV,PXAC203302FV,PTFC210202FC,PTAC260302FC,PTVA127002EV,PTVA042502FC,PXAC261002FC,PXAC210552FC,PTFB182503FL,GTVA123501FA,PTVA092407NF,PTFB091802FC,PTFB092707FH,PTVA120121M,PTFB183404E,PTVA123501EC,PTVA120501EA,PTFC270051M,PTAC240502FC,PTFA220041M,PTFB213004F,PXAC192908FV,PXAC210552ND,PTFB090901FA,PTMC210204MD,PTFB192503EL,PTVA030121EA,PTVA104501EH,PTFB181702FC,PXAC241702FC,PTVA120252MT,PTVA042502EC

【产品】25W热增强型射频LDMOS FET，专为在500MHz至1400MHz频段的功率放大器

2017-12-21 - 新产品 Infineon的 PTVA120252MT是一款25W,48V热增强型大功率射频LDMOS FET，专为在500 MHz至1400 MHz频段的功率放大器应用而设计。增益典型值为19.5dB，漏极效率典型值为31.5%，邻信道功率比ACPR典型值可达-33.5dBc，最大可达-31dB。能够减少非线性因素引起的失真。