PXAC192908FV Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 28 V, 1930 – 1995 MHz
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
PXAC192908FV; PXAC192908FVV1R0XTMA1; PXAC192908FVV1R250XTMA1; ATC600F180JT250X; LLL31BC70G106MA01L; ATC600F1R0CT250X; ATC600A1R2CT250X; ATC600F0R5CT250X; ATC600F1R1CT250X; ECJ-1VB1H102K; ERJ-8RQJ5R6V; ERJ-8GEYJ102V; ERJ-8GEYJ5R1V; C16A50Z4; ERJ-3GEYJ132V; ERJ-3GEYJ122V; ERJ-8GEYJ512V; LM78L05ACM; BCP56; 3224W-1-202E; X3C19P1-04S; UMK325C7106MM-T; ATC600F1R8CT250X; ATC600F0R8CT250X; ATC600F0R4CT250X; ATC600F0R2CT250X; EEE-FP1V221AP
资料平台
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热增强高功率射频LDMOS FET 240 W，28 V，2110–2170 MHz PXFC212551SC
Rev. 03.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 280 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262808FV
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热增强高功率射频LDMOSFET 140 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC261402FC
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热增强高功率射频LDMOS FET 280 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262808SV
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热增强高功率射频LDMOS FET 240 W，28 V，1805–1880 MHz PXAC182908FV
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PTFC270101M大功率射频LDMOS场效应晶体管10 W，28 V，900–2700 MHz
Rev. 04.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 300 W，50 V，703–960 MHz PTVA093002
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOS FET 208 W，48 V，746–960 MHz PTRA094252FC
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热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552
Rev. 04
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热增强高功率射频LDMOS FET330W，28V，1880–2025MHz PXAC203302FV
Rev. 02.1
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PXAC182002FC热增强高功率射频LDMOS FET 180 W，28 V，1805–1880 MHz
Rev. 02.3
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管70 W，50 V，1805–2170 MHz GTVA220701FA
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOS FET 150 W，28 V，2110–2170 MHz PXFC211507SC
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热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552FC
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552MD
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热增强高功率射频LDMOS FET 120 W，28 V，1800–2200 MHz PXAC201202FC
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热增强高功率射频LDMOS FET 220 W，28 V，1805–1990 MHz PXFC192207NF
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 220 W，28 V，1805–1990 MHz PXFC192207FH
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大功率射频LDMOS场效应晶体管350 W，28 V，2300–2400 MHz PXAC243502FV
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热增强高功率射频LDMOSFET 120 W，28 V，2496–2690 MHz PXAC261212FC
Rev. 02.2
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热增强高功率射频LDMOS FET 90 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC200902FC
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 220 W，28 V，1805–1990 MHz PXFC192207SH
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOS FET 140 W，28 V，1880–1920 MHz，2010–2025 MHz PXAC201602FC
Rev. 04.1
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热增强型50VpxFc1915射频场效应晶体管
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOSFET 12 W，50 V，500–1400 MHz PTVA120121M
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOS FET 60 W，28 V，1805–1880 MHz PXAC180602MD
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOSFET 25 W，48 V，500–1400 MHz PTVA120252MT
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热增强高功率射频LDMOSFET 12 W，50 V，390–450 MHz PTVA030121EA
Rev. 05.1
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热增强型大功率射频ldmosfet 1000w，50v，1030/1090mhz PTVA101K02EV
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，50 V，960–1400 MHz PTVA102001EA
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOSFET 50 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA120501EA
Rev. 02.1,
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热增强高功率射频LDMOS FET 450 W，50 V，960–1215 MHz PTVA104501EH
Rev. 02.1
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大功率射频LDMOS场效应晶体管12w，28v，700–2200mhz PTFA220121M
Rev. 10
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz PTFC262157SH
Rev. 03
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热增强高功率射频LDMOS FET 500 W，50 V，390–450 MHz PTVA035002EV
Rev. 05.2
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热增强型高功率射频LDMOS FET 350 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA123501EC PTVA123501FC
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大功率射频LDMOS场效应晶体管340 W，30 V，1805–1880 MHz PTFB183408SV
Rev. 03
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热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262157FH
Rev. 03.1
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热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管700瓦，50伏，1200–1400兆赫
Rev. 03.3
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热增强高功率射频LDMOS FET 700 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA127002EV
Rev. 03.2
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热增强高功率射频LDMOS FET 320 W，28 V，2110–2170 MHz PTFB213208SV
Rev. 04
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热增强高功率射频LDMOSFET 180 W，28 V，920–960 MHz PTFB091802FC
Rev. 02.1
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世强AI
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应用/方案
【产品】240W大功率LDMOS PXAC192908FV，支持1930-1995MHz频段的各种制式的蜂窝通信
英飞凌推出适用于1930-1995MHz的240W大功率LDMOS PXAC192908FV，该器件采用Push-Pul结构，更适合于高峰均比下的Doherty功放,支持1930-1995MHz频段的各种制式的蜂窝通信。得益于英飞凌先进的LDMOS生产工艺，该器件可实现优秀的性能和更高的可靠性。器件大小仅为32.2×18.2mm，为实现PCB板的小型化设计提供了便利。
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输出功率超过1000W的LDMOS，兼具出色效率及超低热阻！
千瓦级射频LDMOS FET PTVA101K02EV不仅具有高增益，可满足大功率输出的要求，而且拥有出色的效率及超低热阻。
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【产品】12W/50V热增强型LDMOS FET PTVA030121EA，420MHz频段首选
Infineon的 PTVA030121EA是一款H-36265-2封装的热增强型LDMOS FET，可用于390 MHz至450 MHz频段的功率放大器应用。
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【产品】功率高达480W的射频功率放大器PTRA094808NF
英飞凌PTRA094808NF是一款高功率的射频功率放大器( LDMOS FET )，可达480W，具有优秀的散热性能和出色的可靠性
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【产品】240W，746~821MHz射频功率放大器PTVA082407NF，结节温度高达225℃
Infineon的PTVA082407NF是一款240W射频功率放大器（LDMOS FET），具有单端设计和输入匹配的特点，适合746 MHz到821 MHz的工作频率范围内使用。
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【产品】270W，28V，925-960 MHz的热增强型大功率RF LDMOS FET
PTFB092707FH射频功率放大器采用Infineon先进的LDMOS工艺制造，快速散发产生的热量，保证了产品的寿命和稳定性
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【产品】90W/28V,920-960MHz的热增强型大功率RF LDMOS FET
INFINEON的热增强型RF LDMOS FET PTFB090901FA适用于多标准蜂窝功率放大应用，线性增益可达20.8dB，效率可达35%，互调失真率为-35dBc，在28V，90W工况下能够承受10:1的电压驻波比。
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