Material Composition Declaration MC74HCT125ADTR2G
发布时间:
2018-07-31
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
MC74HCT125ADTR2G
本资料为关于MC74HCT125ADTR2G器件的材料成分声明,详细阐述了该产品所含物质的构成及其合规性。声明中明确列出了器件内部使用的各类关键材料,涵盖铜、硅、银、环氧树脂、铁、镍及金等,并精确提供了每种材料的重量及CAS编号,以确保物质信息的透明度与可追溯性。此外,该文件重点说明了产品符合欧盟RoHS指令的相关要求,并详细记录了焊接过程中的温度与时间参数,为制造工艺的执行提供了规范依据。基于该产品,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务。相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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MC74HCT125A:具有LSTTL兼容输入的四通道3态同相缓冲器
Rev. 2
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材料成分声明BUFF/DVR TRI-ST QD
2017-12-26
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材料成分声明BUFF/DVR TRI-ST QD
2017-12-26
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材料成分声明BUFF/DVR TRI-ST QD
2017-12-26
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材料成分声明BUFF/DVR TRI-ST QD
2017-12-26
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MC74HCT125A四通道3态同相缓冲器,具有LSTTL兼容输入
Rev. 2
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MC74HCT125A四通道3态同相缓冲器,具有LSTTL兼容输入
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HCT125ADTR2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT125ADTR2G材料成分声明
2019-05-12
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MC74HCT125A四路三态同相缓冲器,带LSTL兼容输入高性能硅栅CMOS
Rev. 2
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MC74HCT125A四路三态同相缓冲器,带LSTL兼容输入高性能硅栅CMOS
Rev. 2
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材料成分声明MC74HCT125ADG
2018-01-21
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MC74HCT125A:带LSTTL兼容输入的四路非反相缓冲器,3态
1/18/2018
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MC74HCT125A:带LSTTL兼容输入的四路非反相缓冲器,3态
12/1/2017
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MC74HCT125A四通道3态同相缓冲器,提供LSTTL兼容输入:高性能硅栅CMOS
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HCT125ADG材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HCT125ADG材料成分声明
2019-05-12
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MC74HCT125A四通道3态同相缓冲器
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MC74HCT125ADR2G材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HCT125ADR2G材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74HCT125ADTG
2018-01-21
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MC74HCT125A带LSTTL兼容输入的四路非反相缓冲器产品概述
3/31/2019
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MC74HCT125ADTG材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT125ADTG材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74HCT125ADR2G
2018-01-21
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
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ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
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8/10/2019
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2019-09-16
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MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
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AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
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74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
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CM1216-06MR材料成分声明
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2019-09-10
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2019-09-10
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2019-09-10
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NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-09-10
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MC10H600FNR2G材料成分声明
2019-09-10
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2019-09-10
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MC14020BFEL材料成分声明
2019-09-10
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