Material Composition Declaration NGTB40N120FL2WAG
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTB40N120FL2WAG
本资料为关于NGTB40N120FL2WAG型号的元器件物质声明文件，详细阐述了该产品的材料构成及合规性信息。文件内容涵盖了产品名称、型号规格、详细的材料成分列表及其含量，并明确确认该产品符合欧盟RoHS指令的相关要求。此外，资料中还包含了供应商的认证信息、具体的产品测试数据以及环境合规性声明，旨在为用户提供全面、可追溯的物质合规依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述器件，平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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产品概述NGTB40N120FL2WA:1200 VField Stop II IGBT，40 A
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WAG材料成分声明
2020-04-12
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NGTB40N120FL2WAG材料成分声明
2019-07-15
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NGTB40N120FL2WAG材料成分声明
2019-03-30
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NGTB40N120FL2WA IGBT产品概述
3/29/2019
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NGTB40N120FL2WAG IGBT-磁场停止II/4引线
Rev. 0
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产品概述NGTB40N120FL2:IGBT 1200V 40A FS2太阳能/UPS
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明1200V/40快速IGBT FSII TO-247-4L
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N120FL2:IGBT，1200V 40A FS2太阳能/UPS产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2020-04-12
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NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2020-02-9
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NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2019-07-15
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NGTB40N120FL2WG材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB40N120FL2WG IGBT-磁场停止II数据表
Rev. 8
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NGTB40N120FL2WG IGBT-现场停止II
Rev. 7
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NGTB40N120FL2WG IGBT-现场停止II
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTB40N120FL2WG
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明1200V/40A快速IGBT FSII TO-247
2017-12-04
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
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ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PN2222（传统飞兆半导体）通用晶体管产品概述
8/10/2019
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BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
8/10/2019
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MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
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1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
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MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
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AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
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7WB3126MUTCG材料成分声明
2019-09-10
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CM1216-06MR材料成分声明
2019-09-10
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MC74VHCT04ADTR2材料成分声明
2019-09-10
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74LCX541SJ材料成分声明
2019-09-10
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MMBT6520LT3G材料成分声明
2019-09-10
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NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-09-10
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MC10H600FNR2G材料成分声明
2019-09-10
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NUP4004M5T1G材料成分声明
2019-09-10
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MC14020BFEL材料成分声明
2019-09-10
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NIS5135MN1TXG-L701材料成分声明
2019-09-10
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SC431BVSNT1G材料成分声明
2019-09-10
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世强AI
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NGTB40N120FL2是一款1200V 40A的IGBT，采用Field Stop II Trench结构，适用于UPS和太阳能应用。该器件具有高效 trench 技术和软快速反向恢复二极管，优化于高速切换，具备10µs的短路能力。适用于太阳能逆变器、焊接机、不间断电源（UPS）系统等。
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产品概述NGTB40N120FL2WA:1200 VField Stop II IGBT，40 A
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