APT80GA60B APT80GA60S
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT80GA60B; APT80GA60S; APT80GA60B_S
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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APT36GA60B APT36GA60S
Rev C
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APT54GA60B APT54GA60S
Rev E
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APT28GA60BD15 APT28GA60SD15
Rev E
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APT80GA90B APT80GA90S
Rev C
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APT54GA60BD30 APT54GA60SD30
Rev D
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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APT35GA90B APT35GA90S
Rev D
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APT44GA60B APT44GA60S
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APT68GA60B APT68GA60S
Rev D
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APT60GA60JD60
Rev D
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APT27GA90BD15 APT27GA90SD15
Rev E
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APT35GA90BD15 APT35GA90SD15
Rev E
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT102GA60B2 APT102GA60L
Rev C
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APT64GA90LD30 APT64GA90B2D30
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APT36GA60BD15 APT36GA60SD15
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APT64GA90B APT64GA90S
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APT80GA60LD40
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
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APT80GA90LD40
Rev D
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APT46GA90JD40
Rev D
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APT68GA60LD40 APT68GA60B2D40
Rev F
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TimeProvider®5000 IEEE 1588-2008 PTP主时钟
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ZL30282 6输出PCIe时钟发生器数据表
September 2020
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ZL30237双通道通用NCO时钟发生器
2021/06/04
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TimePictra®软件套件：下一代同步管理系统
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MSC2x31/30SDA070J双通道碳化硅肖特基势垒二极管
Revision A
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GPS-2700 10 MHz GNSS受控振荡器，具有芯片级原子钟（CSAC）
Rev D
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MSCSM70AM10CT3AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSCSM70AM19CT1AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSCSM70VM10C4AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
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PD-9601GC中跨1端口，IEEE 802.3bt 90W PoE中跨
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PD-9606GC/9612GC/9624GC中跨90W/端口千兆位中跨系列，适用于高功率供电设备
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PD69204T4和PD69200规格书4端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
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双输出超低附加相位噪声PCIe Gen 1至5，以及UPI/QPIFanut缓冲数据表
June 2019
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PD69208T4和PD69210数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 3.0
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PD69208T4和PD69200数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
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带SiC功率级的MAIPDMC40X120A混合动力驱动器数据表
Revision 1.2
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MSC030SDA070S零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】集电极标称电流高达75A的沟槽弱穿通型IGBT的MG6308WZ，集电极-发射极电压为650V
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH、PFC等应用领域，设计厂商可以选择Rohm公司旗下的MG6308WZ，作为一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管IGBT，其集电极-发射极电压为650V，集电极电流达75A(标称)，具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关切换等优势。在每一片晶圆上，最多可加工512 pcs芯片。
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【产品】集电极-发射电压650V、集电极电流标称值20A的沟槽弱穿通型IGBT MG6306WZ
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC等应用领域，设计厂商可以选择使用Rohm公司旗下的绝缘栅双极型晶体管IGBT MG6306WZ，该IGBT是一款沟槽弱穿通型（LPT）器件，具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关性能等优势。在一片晶圆上，最多可以加工1546 pcs器件。
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使用散聚DMA控制器的RTG4 FPGA PCIe数据平面演示
本资料介绍了Microsemi公司RTG4 FPGA PCIe数据平面演示，使用Scatter-Gather DMA控制器实现高速数据传输。资料详细描述了设计要求、前提条件、演示设计、设置演示设计、运行设计等步骤，包括硬件设置、编程、连接、驱动程序安装、应用程序安装和运行。此外，还提供了DMA传输流程图、性能计算方法和附录，包括编程设备、运行TCL脚本和演示寄存器及缓冲区描述符的详细信息。
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PolarFire FPGA：利用用户密码处理器实现数据安全
本资料介绍了如何使用Microsemi的PolarFire FPGA中的用户加密处理器（User Cryptoprocessor）实现数据安全。资料详细描述了用户加密处理器的功能、设计要求、硬件和软件实现方法，包括时钟结构、IP核使用、内存映射和软件配置。此外，还提供了如何编程PolarFire设备和SPI闪存的指南，以及如何运行演示和示例项目。
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【产品】650V/60A的IGBT MG6405WZ，集电极-发射极饱和电压典型值为1.5V
为了满足太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC等应用领域的需求，Rohm公司推出了一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）MG6405WZ，其集电极-发射极电压最大额定值为650V，集电极标称电流值为60A，特性优势为低集电极-发射极饱和电压（典型值1.5V）、高速开关性能、低开关损耗以及不低于2us的短路耐受时间。同时，一片晶圆最多可以加工568 pcs芯片。
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Libero®SoC v2021.2 RTG4™FCCC（带增强型PLL校准）配置器用户指南
本指南介绍了RTG4™ FCCC with Enhanced PLL Calibration Configurator，该配置器允许配置两个CCC（CCC_0和CCC_1）。它描述了如何进行校准，包括在启动或PLL重置时进行的校准，以确保PLL锁定在正常操作期间稳定。指南还涵盖了配置选项，包括基本配置、高级配置和PLL选项，以及如何设置输出时钟、PLL参考时钟源和频率。此外，它还提供了关于动态配置、PLL选项、端口描述和修订历史的信息。
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