APT54GA60B APT54GA60S
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT54GA60B; APT54GA60S; APT54GA60B_S
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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APT54GA60BD30 APT54GA60SD30
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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APT50GN60B APT50GN60S APT50GN60B(G) APT50GN60S(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
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APT50GN60BDQ2 APT50GN60SDQ2 APT50GN60BDQ2(G) APT50GN60SDQ2(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT50GN60BDQ3 APT50GN60SDQ3 APT50GN60BDQ3（G）APT50 GN60SDQ3（G）
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT50GP60B APT50GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
Rev B
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碳化硅半导体产品
05/18
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APT53N60BC6 APT53N60SC6
Rev B
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APT50M65B2LL APT50M65LLL 500V 67A 0.065Ω
Rev D
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BR APT50GT60SR APT50 GT60BRG*APT50 GT60SRG*
Rev D
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N-Channel MOSFET APT56M60B2 APT56M60L
Rev F
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APT50GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
Rev B
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N-Channel MOSFET APT56M50B2 APT56M50L
Rev C
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APT5024BFLL APT5024SFLL 500V 22A 0.240Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev D
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N-Channel FREDFET APT56F50B2 APT56F50L
Rev D
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N-Channel FREDFET APT56F60B2 APT56F60L
Rev C
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APT50GS60BRDQ2(G) APT50GS60SRDQ2(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel 'DQ' Diode
Rev B
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APT50GS60BR(G) APT50GS60SR(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT
Rev A
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APT50M65B2FLL APT50M65LFLL 500V 67A 0.065Ω
Rev C
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1200V APT50GN120L2DQ2 APT50GN120L2DQ2G*
Rev B
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APT50GR120B2 APT50GR120L 1200V，50A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
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600V APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G*
Rev A
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POWER MOS V® APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080Ω
Rev B
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1200V APT50GF120B2R APT50GF120LR APT50GF120B2RG* APT50GF120LRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. FAST IGBT
Rev E
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APT5025BN 500V 23.0A 0.25ΩAPT5030BN 500V 21.0A 0.30ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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1200V APT50GN120B2 APT50GN120B2G*
Rev C
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APT5010JN 500V 48.0A 0.10ΩAPT5012JN 500V 43.0A 0.12ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev F
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APT50GT60BRDQ1 APT50GT60BRDQ1G霹雳IGBT®
Rev A
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APT5014BLL（G）APT5014SLL（G）500V 35A 0.140Ω
Rev B
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
Rev C
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APT50GT120B2R（G）APT50GT120LR（G）1200V，50A，VCE（ON）=3.2V典型Thunderbolt IGBT®
Rev E
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APT5020BN 500V 28.0A 0.20APT5022BN 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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APT5020BNR 500V 28.0A 0.20ΩAPT5022BNR 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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功率MOS 7®FREDFET APT5010B2FLL APT5010LFLL 500V 46A 0.100Ω
Rev.D
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APT50GT120B2RDQ2G
Rev D
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霹雳IGBT®1200V APT50GT120LRDQ2 APT50GT120LRDQ2G*
Rev A
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N-Channel MOSFET APT58M80J
Rev C
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N-Channel MOSFET APT58M50J
Rev D
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N-Channel MOSFET APT51M50J
Rev E
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N-Channel FREDFET APT51F50J
Rev D
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APT50GLQ65JU2
Rev 0
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N-Channel FREDFET APT53F80J
Rev D
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世强AI
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应用/方案
120kw有源负载的新型500V线性mosfet
本文介绍了新型500V线性MOSFET在120 kW主动负载中的应用。文章讨论了线性MOSFET在开关模式下的局限性，如高增益和负温度系数导致的线性区域操作困难。文章重点介绍了APL501JN线性MOSFET的开发，通过不对称源结构降低电流密度，提高线性工作模式的功率耗散能力。此外，文章还探讨了FBSOA测试方法、线性安全工作区域以及并联MOSFET电路设计。
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APT0407高压高频系统中VDS（on）、VCE（sat）测量
本文介绍了在高电压、高频系统中测量VDS(on)（MOSFET）或VCE(sat)（IGBT）的挑战和方法。文章首先指出直接测量这些参数时可能出现的信号失真问题，随后提出了几种电压钳位电路，包括使用齐纳二极管的简单电路、使用射频晶体管的差分电压钳位电路以及闪光电压钳位电路。文章还讨论了这些电路的频率限制和安全性问题，并强调了在实际应用中考虑系统变量的重要性。
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【产品】集电极标称电流高达75A的沟槽弱穿通型IGBT的MG6308WZ，集电极-发射极电压为650V
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH、PFC等应用领域，设计厂商可以选择Rohm公司旗下的MG6308WZ，作为一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管IGBT，其集电极-发射极电压为650V，集电极电流达75A(标称)，具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关切换等优势。在每一片晶圆上，最多可加工512 pcs芯片。
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【产品】集电极-发射电压650V、集电极电流标称值20A的沟槽弱穿通型IGBT MG6306WZ
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC等应用领域，设计厂商可以选择使用Rohm公司旗下的绝缘栅双极型晶体管IGBT MG6306WZ，该IGBT是一款沟槽弱穿通型（LPT）器件，具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关性能等优势。在一片晶圆上，最多可以加工1546 pcs器件。
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