600V APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G*

知识图谱
2018-09-10 MICROSEMI 数据手册 英文


●功率MOS 7®IGBT是新一代高压功率IGBT。使用穿通技术,该IGBT非常适合于许多高频、高压开关应用,并已针对高频开关电源进行了优化。

●低传导损耗
●SSOA评级
●低栅极电荷
●超快尾电流关断

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APT54GA60B APT54GA60S

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HYPERSEMI SiC Mosfet选型表

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产品型号
品类
Package
VDS
ID
Rds
CM7N65PDX100
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PDFN5x6
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索力德普“高压大电流大功率电力电子器件及模块关键技术与应用”获工信部科技成果登记

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数明半导体 SiLM208x 系列 200V高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片:三相电机驱动的理想之选!

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品类:双向可控硅

价格:¥6.3100

现货:1,500

品牌:INFINEON

品类:IPM模块

价格:¥31.5000

现货:12,899

品牌:INFINEON

品类:栅极驱动芯片

价格:¥4.2000

现货:1,738

品牌:AVAGO

品类:36V以上光电继电器

价格:

现货:

品牌:VISHAY

品类:二极管

价格:

现货:

品牌:UTC

品类:Power MOSFET

价格:

现货:

品牌:方舟微

品类:耗尽型MOSFET_N Channel

价格:

现货:

品牌:SHINDENGEN

品类:桥式整流二极管

价格:

现货:

品牌:santon

品类:直流隔离开关

价格:

现货:

品牌:ST

品类:双向可控硅

价格:

现货:

品牌:ST

品类:双向可控硅

价格:

现货:

品牌:INFINEON

品类:IPM模块

价格:

现货:

品牌:INFINEON

品类:栅极驱动芯片

价格:

现货:

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