APT50GT120B2RDQ2G
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT50GT120B2RDQ2G; APT50GT120B2RDQ2R
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT50GN60B APT50GN60S APT50GN60B(G) APT50GN60S(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GN60BDQ2 APT50GN60SDQ2 APT50GN60BDQ2(G) APT50GN60SDQ2(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GN60BDQ3 APT50GN60SDQ3 APT50GN60BDQ3（G）APT50 GN60SDQ3（G）
Rev A
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT54GA60B APT54GA60S
Rev E
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GP60B APT50GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
Rev B
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT53N60BC6 APT53N60SC6
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50M65B2LL APT50M65LLL 500V 67A 0.065Ω
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
霹雳IGBT®600V APT50GT60BR APT50GT60SR APT50 GT60BRG*APT50 GT60SRG*
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel MOSFET APT56M60B2 APT56M60L
Rev F
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel MOSFET APT56M50B2 APT56M50L
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT5024BFLL APT5024SFLL 500V 22A 0.240Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel FREDFET APT56F50B2 APT56F50L
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT54GA60BD30 APT54GA60SD30
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50M65B2FLL APT50M65LFLL 500V 67A 0.065Ω
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel FREDFET APT56F60B2 APT56F60L
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GS60BRDQ2(G) APT50GS60SRDQ2(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel 'DQ' Diode
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GS60BR(G) APT50GS60SR(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1200V APT50GF120B2R APT50GF120LR APT50GF120B2RG* APT50GF120LRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. FAST IGBT
Rev E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GR120B2 APT50GR120L 1200V，50A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
600V APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G*
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1200V APT50GN120L2DQ2 APT50GN120L2DQ2G*
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS V® APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080Ω
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1200V APT50GN120B2 APT50GN120B2G*
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT5025BN 500V 23.0A 0.25ΩAPT5030BN 500V 21.0A 0.30ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT5010JN 500V 48.0A 0.10ΩAPT5012JN 500V 43.0A 0.12ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev F
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GT60BRDQ1 APT50GT60BRDQ1G霹雳IGBT®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT5014BLL（G）APT5014SLL（G）500V 35A 0.140Ω
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GT120B2R（G）APT50GT120LR（G）1200V，50A，VCE（ON）=3.2V典型Thunderbolt IGBT®
Rev E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT5020BN 500V 28.0A 0.20APT5022BN 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT5020BNR 500V 28.0A 0.20ΩAPT5022BNR 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®FREDFET APT5010B2FLL APT5010LFLL 500V 46A 0.100Ω
Rev.D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
霹雳IGBT®1200V APT50GT120LRDQ2 APT50GT120LRDQ2G*
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel MOSFET APT58M80J
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel MOSFET APT58M50J
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N-Channel MOSFET APT51M50J
Rev E
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
120kw有源负载的新型500V线性mosfet
本文介绍了新型500V线性MOSFET在120 kW主动负载中的应用。文章讨论了线性MOSFET在开关模式下的局限性，如高增益和负温度系数导致的线性区域操作困难。文章重点介绍了APL501JN线性MOSFET的开发，通过不对称源结构降低电流密度，提高线性工作模式的功率耗散能力。此外，文章还探讨了FBSOA测试方法、线性安全工作区域以及并联MOSFET电路设计。
阅读原文 >>
APT0407高压高频系统中VDS（on）、VCE（sat）测量
本文介绍了在高电压、高频系统中测量VDS(on)（MOSFET）或VCE(sat)（IGBT）的挑战和方法。文章首先指出直接测量这些参数时可能出现的信号失真问题，随后提出了几种电压钳位电路，包括使用齐纳二极管的简单电路、使用射频晶体管的差分电压钳位电路以及闪光电压钳位电路。文章还讨论了这些电路的频率限制和安全性问题，并强调了在实际应用中考虑系统变量的重要性。
阅读原文 >>
数明半导体 SiLM208x 系列 200V高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片：三相电机驱动的理想之选!
数明半导体推出SiLM208x系列200V高压高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，专为三相电机驱动设计。该系列芯片支持最高200V母线电压，具备高耐压、高速度及完善的安全防护机制，提供多种封装选择，广泛应用于工业电力电子及新能源领域。
阅读原文 >>
麦思浦 IGBT 模块：高功率应用的理想之选
麦思浦技术创新实力强劲，在超高压 MOSFET 领域成绩斐然，推出多款国内首款超高压产品，并应用于 IGBT 模块，提升产品竞争力。其严格把控质量，建立完善管控体系，产品通过多项国际认证。而且，麦思浦为客户提供从产品选型到应用调试的一站式整体解决方案，降低客户研发成本与风险 。
阅读原文 >>
AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。
阅读原文 >>
上海贝岭基于1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F的800V车载PTC加热器驱动解决方案
针对高压PTC应用，上海贝岭推出1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F。采用第二代微沟槽多层场截止技术，优化了导通压降和开关损耗，实现了更好的输出特性。BLG40T120FDL5合封全电流FRD，减少了电路设计时的元器件数量，提高了整体可靠性。
阅读原文 >>
华润微BT30T60AKFK等IGBT用于逆变焊机，能大幅提升焊机开关频率，减小焊机尺寸
CRMICRO综合考虑高频焊机的发展趋势，在上一代技术的基础上，优化了应用于焊机领域的IGBT产品，大幅降低了IGBT器件的开关损耗，提升了器件开关速度，客户使用华润微电子的IGBT，在输出同等功率条件下，能大幅提升焊机开关频率，减小焊机尺寸，降低生产成本，提升焊机整体的性价比。
阅读原文 >>
