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Material Composition Declaration NCP81233MNTXG
发布时间: 2018-07-31
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NCP81233MNTXG
本资料详细介绍了元器件NCP81233MNTXG的物质成分声明,旨在确保产品符合RoHS指令及相关环保标准。声明内容涵盖了产品名称、型号、有效日期、制造地点、重量等基础信息,并深入阐述了材料组成、工艺温度及回流次数等关键制造参数。此外,资料还精确列出了各成分的CAS号、含量及单位,为用户提供了详尽的合规性数据支持。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述器件,平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
NCP81233多相控制器,具有用于DrMOS的i²C接口
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数据手册 - 英文
NCP81233多相控制器,具有用于DrMOS的i²C接口
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测试报告 - 英文
材料成分声明NCP81233MNTXG
2018-01-16
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产品概述NCP81233:多相控制器,可配置,4.5 V至20 V,I2C
1/19/2018
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12/27/2017
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用于DrMOS的带L2C接口的NCP81233多相控制器
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PN2222(传统飞兆半导体)通用晶体管产品概述
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BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
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FSL136HR绿色模式电源开关
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2019-09-10
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2019-08-14
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NGTG40N120FL2WG材料成分声明
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NIS5135MN1TXG-L701材料成分声明
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SC431BVSNT1G材料成分声明
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ISL9V3040D3ST-F085C IGBT,N通道点火,DPAK,17A,1.58V,300mJ EcoSPARK®I产品概述
:8/10/2019
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BAWH56W,NSVBAWH56W双开关二极管,共阳极
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SMDA24 ESD/浪涌保护器产品概述
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STK534U362C-E智能电源模块(IPM),600 V,10 A产品概述
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BD435G、BD437G、BD439G和BD441G塑料中等功率硅NPN晶体管
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2019-09-14
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MC74ACT253DR2材料成分声明
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应用/方案
高密度计算解决方案
ON Semiconductor提供全面的半导体器件组合,用于高密度计算和通信基础设施。产品包括功率管理、数据完整性和传感与反馈解决方案。公司专注于中等电压MOSFET技术,以实现最低损耗的应用。此外,还提供多种封装选项以满足设计者的需求。产品线覆盖了服务器时钟生成、分配和重驱动器,以及高性能运算放大器和标准逻辑电路。还包括电子保险丝、负载开关、热插拔MOSFET和IMON输出等功能。
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网络和电信解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C Docking Station领域的解决方案,包括USB-C数据集线器、充电能力等。此外,文章还详细阐述了ON Semiconductor在系统设备、端口电源、数据路径和控制方面的产品,如NCP81239、NCP81231、FUSB252UMX等。同时,文章还介绍了ON Semiconductor在时钟解决方案、数据分配子系统、PLL时钟合成器和发生器等方面的产品,如NB3N3002、NB3N5573、NB3N51032等。
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FAM65V05DF1 ASPM 27系列组件组装指南应用说明
本文介绍了ASPM 27系列汽车级SPM模块的组装指南,包括热界面材料(TIM)的应用、散热器安装、焊接程序等。文章详细说明了两种组装方法,并提供了螺丝拧紧指南、焊接质量检查等内容。此外,还讨论了热性能、机械特性和电气隔离距离等关键参数。
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AN-9036飞兆半导体电源使用指南56
本文介绍了Fairchild Power56功率器件的安装指南,包括组件安装、板布局、通孔使用、焊接工艺、焊膏使用、焊接结束、铅终止、暴露的铜和焊料圆角等方面。文章强调了正确设计焊盘和电路板布局对于提高热性能的重要性,并提供了关于焊膏印刷、焊接过程和测试的建议。此外,还讨论了在原型和批量生产环境中使用Power56组件的技巧和注意事项。
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MT9J003I12STMUH-GEVB MT9J003评估板用户手册
本资料为ON Semiconductor MT9J003图像传感器评估板用户手册。手册详细介绍了评估板的功能、特性、电路图、跳线位置、接口连接等。评估板旨在展示MT9J003图像传感器的特性,可直接连接到Demo 2X系统。板载测试点和跳线提供对时钟、I/O和其他信号的访问。主要特性包括时钟输入、两线串行接口、并行接口和符合ROHS标准。
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