APT30M70BVFR(G) 300V_代理商_研发采购服务

APT30M70BVFR(G) 300V 48A 0.070Ω POWER MOS V®

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

APT

型号：

APT30M70BVFR(G)

本数据手册详细介绍了APT30M70BVFR(G)型号高压N沟道增强型功率MOSFET的技术规格与性能参数。该器件专为高电压应用场景设计，具备300V的漏源电压和48A的连续漏电流能力，同时拥有0.070Ω的低导通电阻，有助于降低导通损耗。其关键特性包括快速恢复体二极管、低漏电流以及快速的开关速度，并经过100%雪崩测试以确保可靠性。产品采用TO-247封装，能够适应严苛的工业级应用环境。基于该方案，APT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。

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【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻

上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。

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【产品】低栅电荷的N沟道增强型功率MOSFET FIR10N60FG，静态漏源导通电阻典型值0.68Ω

FIR10N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell™结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。

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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性

群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A

虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。

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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低

SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。

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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V

威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。

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【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域

正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷，具有高功率和电流处理能力，该产品适合用于负载开关、电源管理、PWM应用。

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