2N3057A LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
2N3057A; MIL-PRF-19500/391
本数据手册详细介绍了2N3057A低功耗NPN硅晶体管的产品规格与技术参数。该器件符合MIL-PRF-19500/391军事标准，具备高可靠性，并已在JEDEC完成注册。其设计采用低剖面金属封装，提供TO-46（TO-206AB）标准封装，同时支持TO-39、TO-5、TO-18及UB等多种封装形式，具有轻量化和低功耗特性。作为通用开关和放大器，2N3057A广泛应用于军事及高可靠性领域，且符合RoHS环保要求。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2N3700低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
半导体器件认证MICROSEMI IRELAND LTD.Gort Eoad Industrial Estate Gort Road，Ennis County Clair IRELAND
2017/11/14
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| 技术文档 - 英文 |
补偿装置公司MIL-PRF-19500军用合格产品清单
2018/01/19
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| 数据手册 - 英文 |
2N3700UB低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
国防后勤局哥伦布市中心
May 27,2009
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| 数据手册 - 英文 |
NJF6510 N沟道J-FET耗尽型晶体管
Rev. 1 (120634)
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TECHNICAL DATA NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/262
2017/12/04
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| 数据手册 - 英文 |
JANSR2N7380辐射加固N沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/614标准
Rev. 3
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| 技术文档 - 英文 |
JANS批准的双极晶体管
2017/11/25
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| 数据手册 - 英文 |
1N6391肖特基势垒整流器符合MIL-PRF-19500/553标准
Rev. 2
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2N5114至2N5116 P沟道J-FET
Rev. 2 (111983)
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| 数据手册 - 英文 |
1N6843CCU3 100伏，10安培双肖特基共阴中心抽头整流器符合MIL-PRF-19500/681标准
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
1N6845U3 45伏，30安肖特基整流器陶瓷表面贴装符合MIL-PRF-19500/682
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
2N3960 NPN硅开关晶体管，符合MIL-PRF-19500/399标准
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
2N4261 PNP小信号硅晶体管符合MIL-PRF-19500/511标准
Rev 3
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2N3019低功率NPN硅晶体管
Rev. 2
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扬斯_2N3057A
Rev. 1
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技术数据表辐射加固P沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/630器件2N7389 2N7389u水平JANSR（100K RAD（Si））JANSF（300K RAD（Si））
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
1N5711-1、1N5712-1、1N6857-1和1N6858-1；DSB2810和DSB5712提供符合MIL-PRF-19500/444标准的肖特基势垒二极管
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/560
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/464
2017/12/13
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TECHNICAL DATA PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/354
2017/12/05
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TECHNICAL DATA NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/583
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/369
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/561
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
2N7334四通道N沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/597标准
Rev. 2 (121516)
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/52
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA P-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/296
2017/12/05
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/402
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA P-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/295
2017/12/05
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| 数据手册 - 英文 |
2N7335四通道P沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/599标准
Rev. 1 (120481)
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TECHNICAL DATA PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/582
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/518
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/408
2017/12/13
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TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/43
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/466
2017/12/13
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TECHNICAL DATA PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/44
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/41
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/41
2017/12/13
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2N7236U P沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/595
Rev. 1 (121515)
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/37
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/37
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN SILICON DUAL TRANSIST Qualified per MIL-PRF-19500/495
2017/12/13
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TECHNICAL DATA PNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496
2017/12/13
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
CD3821至CD3828A
本资料介绍了CD3821至CD3828A型号的硅控整流器（Zener）的特性。这些器件具有1瓦的功率能力，适用于-65°C至+175°C的工作温度范围。资料详细列出了每个型号的额定电压、最大反向漏电流、最大反向电流和最大正向电压等电气特性。此外，还包括了金属化层厚度、芯片厚度和电路布局数据。资料还提供了Zener阻抗与工作电流的关系图，以及制造商的联系方式。
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CD4099至CD4135
该资料介绍了Zener二极管芯片，包括型号CD4099至CD4135。这些芯片具有0.5瓦的功率能力，与1N4099至1N4135电性能等效。芯片完全由二氧化硅保护，适用于所有焊接和芯片附着技术，但不适用于回流焊接。资料提供了最大额定值、电气特性、设计数据和电路布局数据。
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【产品】集电极-发射极饱和电压仅0.1V的互补硅晶体管，适用于低压大电流驱动器与开关应用
AUK作为KODENSHI（可天士）集团旗下品牌，专注于硅半导体，化合物半导体，光传感器领域，DN030E、DP030E、DN030U、DP030U作为KODENSHI AUK公司推出的互补硅晶体管，DN030E和DN030U是NPN型，DP030E和DP030U是PNP型，具有低饱和电压和低功耗的特点，适用于低压大电流驱动器和开关。
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【产品】80V/1.5A表面贴装NPN硅晶体管CXT3019，可作为大电流通用放大器使用
Central Semiconductor公司推出了一款表面贴装NPN硅晶体管CXT3019，其最高开关频率可达100MHz，集射基电压最大80V，集电极持续工作电流最高为1.5A，可见其工作电流很大，可作为大电流通用放大器使用。表面贴装NPN硅晶体管CXT3019功率损耗最大只有1.2W，集电极-基极截止电流最大仅为10nA，低功耗可减少芯片发热量，有利于提高产品效率降低芯片热功耗。
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【产品】功耗低至250mW表面贴装互补硅晶体管，专为小信号通用放大器和开关应用而设计
CMUT3904（NPN）和CMUT3906（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的两款表面贴装互补硅晶体管。该晶体管的集电极-基极间电压分别为60V、40V，集电极电流为200mA，他们拥有低至250mW的功耗，可满足低功耗的设计要求。这两款晶体管采用外延平面工艺制造，并采用ULTRAmini™表面贴装封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。
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【产品】饱和压降低至0.1V的增强型表面贴装互补硅晶体管
CMBT3904E（NPN）和CMBT3906E（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的两款增强型表面贴装互补硅晶体管，他们具有低饱和压降、低功耗、尺寸小等特点，均采用了FEMTOmini™SOT-923封装。CMBT3904E和CMBT3906E互补硅晶体管非常适合于超小尺寸和功耗为主要要求的应用。
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