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2017/12/13 - 数据手册
MICROSEMI - 2N3847,2N3846,MIL-PRF-19500/41
半导体器件认证MICROSEMI IRELAND LTD.Gort Eoad Industrial Estate Gort Road，Ennis County Clair IRELAND
2017/11/14 - 测试报告
MICROSEMI - MIL-PRF-19500
NJF6510 N沟道J-FET耗尽型晶体管
2018/01/13 - 数据手册 NJF6510是一款N通道JFET型晶体管，适用于VHF和小信号放大器。该产品经过筛选，符合MIL-PRF-19500 JANTX等级标准。主要特点包括低功耗、TO-72封装，以及与MX2N3822等效。
MICROSEMI - N沟道J-FET耗尽型晶体管,N-CHANNEL, J-FET DEPLETION MODE TRANSISTOR,NJF6510,MIL-PRF-19500
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2017/12/04 - 数据手册
MICROSEMI - 2N1724,MIL-PRF-19500/262,2N1722,MIL-PRF-19500
CD3821至CD3828A
2017/12/31 - 应用笔记或设计指南 本资料介绍了CD3821至CD3828A型号的硅控整流器（Zener）的特性。这些器件具有1瓦的功率能力，适用于-65°C至+175°C的工作温度范围。资料详细列出了每个型号的额定电压、最大反向漏电流、最大反向电流和最大正向电压等电气特性。此外，还包括了金属化层厚度、芯片厚度和电路布局数据。资料还提供了Zener阻抗与工作电流的关系图，以及制造商的联系方式。
MICROSEMI - CD3826,CD3827,CD3824,CD3825,CD3826A,CD3827A,CD3828A,CD3828,CD3822A,CD3823A,MIL-PRF-19500/115,CD3824A,CD3825A,CD3822,CD3823,CD3821,CD3821A
1N6845U3 45伏，30安肖特基整流器陶瓷表面贴装符合MIL-PRF-19500/682
6/13/13 - 数据手册 本资料介绍了Microsemi公司生产的1N6845U3型号肖特基整流器，该产品为军用级，符合MIL-PRF-19500/682标准，具有低剖面陶瓷表面贴装封装。产品特点包括高浪涌额定值、低反向漏电流、低正向电压和低功耗损失。
MICROSEMI - CERAMIC SURFACE MOUNT SCHOTTKY RECTIFIER,扁平肖特基整流器,陶瓷表面贴装肖特基整流器,LOW-PROFILE SCHOTTKY RECTIFIER,MIL-PRF-19500,MIL-PRF-682,1N6845U3
CD4099至CD4135
2017/12/31 - 应用笔记或设计指南 该资料介绍了Zener二极管芯片，包括型号CD4099至CD4135。这些芯片具有0.5瓦的功率能力，与1N4099至1N4135电性能等效。芯片完全由二氧化硅保护，适用于所有焊接和芯片附着技术，但不适用于回流焊接。资料提供了最大额定值、电气特性、设计数据和电路布局数据。
MICROSEMI - CD4105,CD4127,CD4104,CD4126,MIL-PRF-19500/435,CD4103,CD4125,CD4102,CD4124,CD4109,CD4108,CD4107,CD4129,CD4106,CD4128,CD4130,CD4112,CD4134,CD4111,CD4133,CD4099,CD4110,CD4132,CD4131,CD4116,CD4115,CD4114,CD4135,CD4113,CD4119,CD4118,CD4117,CD4101,CD4123,CD4100,CD4122,CD4121,CD4120
1N6843CCU3 100伏，10安培双肖特基共阴中心抽头整流器符合MIL-PRF-19500/681标准
6/14/13 - 数据手册 该资料详细介绍了Microsemi公司生产的1N6843CCU3双肖特基二极管，这是一种军用级别的低剖面器件，适用于高可靠性应用。该产品具有低正向电压、低反向漏电流和高浪涌电流等特性，适用于多种电子设备。
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2N5114至2N5116 P沟道J-FET
2018/01/11 - 数据手册 该资料介绍了Microsemi公司生产的2N5114至2N5116系列P沟道JFET晶体管。这些晶体管适用于高可靠性应用，并提供表面贴装版本。资料详细描述了产品的特性、电气参数、封装类型和尺寸，以及可靠性等级。
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1N6391肖特基势垒整流器符合MIL-PRF-19500/553标准
5/31/13 - 数据手册 这款1N6391肖特基势垒二极管提供低正向电压，适用于军事级高可靠性应用。它具有内部焊接结构、密封封装、600安培浪涌额定值，并符合MIL-PRF-19500/553标准。该器件适用于金属和玻璃构造，具有快速恢复特性。
MICROSEMI - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER,肖特基势垒整流器,SCHOTTKY BARRIER DIODE,肖特基势垒二极管,1N6391,MIL-PRF-19500,MIL-PRF-553
JANSR2N7380辐射加固N沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/614标准
11/18/13 - 数据手册 该资料介绍了JANSR2N7380辐射硬化N通道MOSFET，适用于需要总剂量辐射（TID）耐受性和单事件能力的空间级应用。该产品具有三个合格的辐射等级，并封装在密封的TO-257轮廓中。产品具有行业标准MOSFET的所有相同性能特性，可用于大多数电压控制和快速切换应用。
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2N3960 NPN硅开关晶体管，符合MIL-PRF-19500/399标准
10/15/13 - 数据手册 该资料介绍了2N3960型NPN硅开关晶体管，适用于高可靠性应用。该晶体管具有TO-18封装，并符合MIL-PRF-19500/399标准，具备JAN、JANTX和JANTXV级别的认证。产品特性包括表面贴装等效、低功耗、轻量化和军事及高可靠性应用。
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2N4261 PNP小信号硅晶体管符合MIL-PRF-19500/511标准
10/9/13 - 数据手册 2N4261是一款军规级小信号硅晶体管，适用于高可靠性应用。该晶体管采用TO-72金属密封封装，并提供低轮廓的UB表面贴装封装和带陶瓷盖的UBC封装。产品符合RoHS标准，具有JAN、JANTX、JANTXV和JANS认证。
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