DESIGNING FOR HOT INSERTION AND MULTIPLE POWER SUPPLY SYSTEMS APPLICATION NOTE AN-158
发布时间：
2018-08-01
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
FCT16xxxT; FCT162xxxT; FCT166xxxT; FCT163xxx; FCX16xxx; FCX162xxx; ALVH16xxx; ALVH162xxx; FST16xxx; FST162xxx; FCTxxxT; FCT2xxxT; FCT3xxx; FCTxxx; FSTxxx; FST2xxx
该应用笔记详细阐述了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。文档深入探讨了在应用场景中常见的挑战，包括对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压的风险，以及如何正确排序对未供电组件的供电连接。文中提供了针对性的组件选择建议和具体的设计技术，旨在帮助工程师实现成功的接口设计，确保系统在复杂电源环境下的稳定性与可靠性。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述技术，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16373AT/CT快速CMOS 16位透明锁存器数据表
JULY 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：逻辑-01-01
1/29/2001
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IDT74FCT16543AT/CT FAST CMOS 16-BIT LATCHED TRANSCEIVER
07/31/2017
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IDT74FCT16543AT/CT FAST CMOS 16-BIT LATCHED TRANSCEIVER
07/31/2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：L0203-09R2
8/16/2004
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
May 29, 2003
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
8/16/2004
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
2015/07/03
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
7/27/2005
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16952AT/CT/ET FAST CMOS16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER
MAY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT16952AT/CT/ET FAST CMOS 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER
MAY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT74FCT139T产品/工艺变更通知（PCN）
11/28/2007
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| 数据手册 - 英文 |
FAST CMOS 16-BIT BIDIRECTIONAL TRANSCEIVER IDT54/74FCT16245T/AT/CT/ET
JANUARY 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：L0203-09R1
May 29, 2003
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT16245T/AT/CT/ET FAST CMOS 16-BIT BIDIRECTIONAL TRANSCEIVER
ANUARY 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）
12/5/2003
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）
5/25/2004
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT139T/AT/CT快速CMOS 1-of-4解码器，带使能功能
6/20/2002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：逻辑-01-02
1/29/2001
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| 数据手册 - 英文 |
FAST CMOS 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER IDT74FCT16952AT/CT/ET
SEPTEMBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：A1312-06
January 10, 2014
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT157AT/CT/DT快速CMOS四路2输入多路复用器数据表
AUGUST 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）附录
May 22, 2000
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| 数据手册 - 英文 |
快速CMOS 20位缓冲器IDT74FCT162827AT/CT
SEPTEMBER 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知
Rev. 02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知
5/22/2000
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IDT74FCT16374AT/CT/ET FAST CMOS 16-BIT REGISTER (3-STATE)
MARCH 2019
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IDT74FCT16374AT/CT/ET FAST CMOS 16-BIT REGISTER (3-STATE)
SEPTEMBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
3-Jul-2015
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产品/工艺变更通知（PCN）
July 28, 2015
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产品/工艺变更通知（PCN）
REV. 00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
热插拔多电源系统设计应用说明
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文章提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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热插拔多电源系统设计应用说明
本文档为应用笔记，主要讨论了热插拔和多电源系统设计中的接口设计问题。内容涵盖了热插拔和多电源系统应用中的常见问题，如对未供电或部分供电设备的接口引脚施加电压，以及正确排序对未供电组件的供电连接。文章提供了组件选择和设计技术建议，以实现成功的接口设计。
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FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
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FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
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FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
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FCT-T双密度逻辑特性及应用说明
本文介绍了IDT公司Double-Density逻辑产品线，包括其特性、应用和电气参数。Double-Density逻辑提供小封装尺寸、极低功耗、低泄漏、减少地弹跳和多种输出驱动级别。文章详细讨论了不同类型的Double-Density逻辑，如高驱动、平衡驱动和BD-Lite，以及它们在工业温度和电压下的性能。此外，还涵盖了直流和交流电气特性、功耗、温度效应、I/O端口特性、总线竞争和与FCT八位的比较。
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地面弹跳测量和比较的神话应用说明
本文详细探讨了地弹跳现象及其对高速元器件性能的影响。文章首先介绍了地弹跳的成因和影响，包括对信号质量和逻辑门切换的影响。接着，文章分析了地弹跳的测量方法，包括传统测量方法和准确测量方法，并讨论了Vcc弹跳的测量问题。此外，文章还探讨了地弹跳的影响因素，如驱动电平、交叉电流、封装设计等，并提出了避免地弹跳问题的设计建议。
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地面弹跳测量和比较的神话应用说明
本文详细探讨了地弹跳现象及其对高速元器件性能的影响。文章首先介绍了地弹跳的成因和影响，包括对信号质量和逻辑门切换的影响。接着，文章分析了地弹跳的测量方法，包括传统测量方法和准确测量方法，并讨论了Vcc弹跳的测量问题。此外，文章还探讨了地弹跳的影响因素，如驱动电平、交叉电流、封装设计等，并提出了避免地弹跳问题的设计建议。
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【产品】16位高速、低功耗寄存收发器74FCT16952T，输出偏斜小于250ps
IDT（Renesas收购）推出的74FCT16952T，是一种16位高速、低功耗寄存收发器。经过组织可用作两个独立的8位D型寄存收发器，具有独立的输入和输出控制，用于对任意方向的数据流进行独立控制。也可通过将独立收发器的控制引脚绑在一起来实现完全的16位操作。其输出缓冲器具有断电禁用功能，当用作背板驱动器时允许板的“热插入”。该产品的工作温度范围为-40℃至+85℃，符合工业级温度环境要求。
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【产品】20位缓冲器74FCT163827，输入可以由3.3V或5V器件驱动
IDT（Renesas收购）推出的74FCT163827， 是一种20位缓冲器，为宽数据/地址路径或承载奇偶校验的总线提供高性能总线接口缓冲。74FCT163827具有串联限流电阻，从而减少了对外部串联终端电阻的需求。74FCT163827的输入可以由3.3V或5V器件驱动，从而可以在3.3V / 5V混合电源系统中用作转换器。该产品的工作温度为-40℃至+85℃。
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【产品】16位高速、低功耗锁存收发器74FCT16543T，输出偏斜小于250ps
IDT（Renesas收购）推出的16位高速、低功耗锁存收发器74FCT16543T，由两个独立的8位D型锁存收发器组成，具有独立的输入和输出控制，可以用于对任意方向的数据流进行独立控制。
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CMOS器件AN-154功耗估算应用说明
本文档为应用笔记，主要介绍了如何估算CMOS器件在系统中的功耗。内容涵盖热限、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，帮助工程师确定设计是否超出功耗限制。
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CMOS器件功耗的估算
本文档为应用笔记，主要介绍了如何估算CMOS器件在系统中的功耗。内容涵盖了热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，帮助工程师评估设计中的功耗问题，确保设备在规定的热限制内运行。
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【产品】16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器74FCT16374T，三种速度可供选择
IDT（Renesas收购）推出的74FCT16374T是一种16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器，是用于数据同步和存储的缓冲寄存器的理想选择，可以用作两个8位寄存器或一个带有公共时钟的16位寄存器。74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗信号板。该芯片的工作温度范围为-40°C~+85°C。
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【产品】16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器74FCT163374，输入可由3.3V或5V器件驱动
IDT（Renesas收购）推出的74FCT163374 是一种16位高速、低功耗、边缘触发的D型寄存器，是用于数据同步和存储的缓冲寄存器的理想选择。将输出使能(xOE和时钟 (xCLK)控件组织为两个8位或一个具有公共时钟的16位寄存器来操作每个设备。74FCT163374的输入可以由3.3V或5V器件驱动，从而可以在3.3V / 5V混合电源系统中用作转换器。
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【产品】16位高速低功耗透明D型锁存器74FCT16373T，低输入和输出漏电流最大值仅1μA
IDT（Renesas收购）推出的74FCT16373T是一款16位高速低功耗透明的D型锁存器，非常适合于临时存储数据，可用于实现内存地址锁存、I/O端口和总线驱动器。该器件的输出使能和锁存使能控制经过组织用作两个8位锁存器或一个16位锁存器来操作每个设备。其中输出缓冲器具有断电禁用功能，当用作背板驱动器时允许板的“热插入”。该芯片的工作温度范围为-40°C~+85°C。
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CMOS器件功耗估算应用说明
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记，旨在帮助工程师估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖了功耗估算方法、热限制、基于数据表规格的总功耗估算、负载功耗估算等方面。文章提供了计算公式和实例，以帮助工程师确保设计不会超过热限制，并计算整体系统功耗。
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CMOS器件功耗估算应用说明
本文档为IDT公司发布的《估算CMOS器件功耗》应用笔记（AN-154），主要介绍了如何估算CMOS逻辑器件在系统中的功耗。内容涵盖热极限、基于数据表规格估算总功耗、负载功耗等方面。通过提供等效功耗模型和方程，帮助工程师使用FCT/FCTT逻辑和时钟缓冲器进行功耗估算。
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