APT5010JVFR 500V 44A 0.100Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT5010JVFR
本数据手册详细介绍了APT5010JVFR这款500V、44A、0.100Ω的N通道增强型功率MOSFET。该器件采用新技术最小化JFET效应，有效提高了封装密度并降低了导通电阻，同时通过优化的栅极布局实现了更快的开关速度。产品具备快速恢复体二极管、低漏电流及100%雪崩测试等特性，展现出优异的可靠性与性能。在关键参数方面，其支持±30V连续栅源电压、±40V瞬态栅源电压，总功耗达450W，工作和存储结温范围覆盖-55°C至150°C，并能承受2500V隔离电压。该器件采用SOT-227封装，引线温度耐受度高达300°C，最大扭矩为13lb·in，适用于对功率密度和开关性能有严苛要求的电子电路设计。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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APT5024BVR APT5024SVR 500V 22A 0.240Ω功率MOS V®
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APT5024BVFR APT5024SVFR 500V 22A 0.240Ω
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APT5017BVFR APT5017SVFR 500V 30A 0.170Ω
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APT5024BLL（G）APT5024SLL（G）500V 22A 0.240Ω
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APT50M75B2FLL APT50M75LFLL 500V 57A 0.075Ω
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APT5016BFLL APT5016SFLL 500V 30A 0.160Ω
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APT5010B2LL（G）APT5010LLL（G）500V 46A0.100Ω
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APT5014BFLL APT5014SFLL 500V 35A 0.140Ω
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APT5018BFLL APT5018SFLL 500V 27A 0.180Ω
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APT5016BLL APT5016SLL 500V 30A 0.160Ω
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APT50M75JLL 500V 51A 0.075Ω
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APT5018BLL（G）APT5018SLL（G）500V 27A 0.180Ω
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APT5015BVFR APT5015SVFR 500V 32A 0.150Ω
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APT50M75B2LL（G）APT50M75LLL（G）500V57A0.075Ω
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APT50M75JFLL 500V 51A 0.075Ω
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APT50M38JLL 500V 88A 0.038Ω
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APT50M50JFLL 500V 71A 0.050Ω
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APT50M50JVFR 500V 77A 0.050Ω
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APT5028BVR 500V 20A 0.280Ω
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APT50M50L2LL 500V 89A 0.050Ω
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APT50GP60J 1200V
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APT50M50JLL 500V 71A 0.050Ω
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APT50M50JVR 500V 77A 0.050Ω
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APT5017SVR 500V 30A 0.170Ω
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APT5010JVR 500V 44A 0.100Ω
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APT5017BVR 500V 30A 0.170Ω
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APT5010LVR 500V 47A 0.100Ω
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APT5010LVFR 500V 47A 0.100Ω
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APT5014LVR 500V 37A 0.140Ω
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APT5020SVFR 500V 26A 0.200Ω
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APT5020BVFR 500V 26A 0.200Ω
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APT5020BVR 500V 26A 0.200Ω
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APT5015BVR 500V 32A 0.150Ω
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APT30M70BVFR（G）300V 48A 0.070Ω功率MOS V®
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APT10M09B2VFR APT10M09LVFR 100V 100A 0.009Ω功率MOS V®FREDFET
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APT10M19SVR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®
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APT10M07JVFR 100V 225A 0.007Ω功率MOS V®
Rev A
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APT10M11JVFR 100V 144A 0.011Ω功率MOS V®
Rev A
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APT10M25BVR 100V 75A 0.025Ω功率MOS V®
Rev A
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APT10M19BVFR APT10M19SVFR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®FREDFET
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APT10086BVFR 1000V 13A 0.860Ω功率MOS V®
Rev B
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APT10078BFLL APT10078SFLL 1000V 14A 0.780Ω功率MOS 7 R FREDFET
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
220V/65A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs VM2002 is Suit for 1.8V Gate Drive Applications
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors VM2002 are using trench DMOS technology. This advanced technology has been specially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
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【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
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【产品】低栅电荷的N沟道增强型功率MOSFET FIR10N60FG，静态漏源导通电阻典型值0.68Ω
FIR10N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell™结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V
威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。
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【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域
正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷，具有高功率和电流处理能力，该产品适合用于负载开关、电源管理、PWM应用。
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