APT50M65B2FLL APT50M65LFLL 500V 67A 0.065Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT50M65B2FLL; APT50M65LFLL; APT50M65 B2FLL - LFLL
本数据手册详细介绍了APT公司推出的APT50M65B2FLL与APT50M65LFLL两款高压N沟道增强型功率MOSFET。这些器件基于先进的Power MOS 7®技术设计，具备500V耐压、67A连续漏极电流及0.065Ω的低导通电阻，旨在满足高效能电源转换需求。资料重点阐述了产品的核心电气特性，包括极低的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷Qg，从而显著降低导通与开关损耗；同时，器件拥有较低的输入电容、米勒电容，支持快速开关速度与更高的功率耗散，且易于驱动。在封装方面，该系列提供了T-MAX™或TO-264两种选项，以适应不同的散热与安装环境。文中还详细列出了最大额定值、静态与动态电气特性、热特性及典型性能曲线，为工程师的设计验证提供了详实参考。APT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
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APT50GN60B APT50GN60S APT50GN60B(G) APT50GN60S(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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APT50GN60BDQ2 APT50GN60SDQ2 APT50GN60BDQ2(G) APT50GN60SDQ2(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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超软恢复整流二极管
Rev B
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APT50GN60BDQ3 APT50GN60SDQ3 APT50GN60BDQ3（G）APT50 GN60SDQ3（G）
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT54GA60B APT54GA60S
Rev E
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT50GP60B APT50GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
Rev B
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碳化硅半导体产品
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APT50M65B2LL APT50M65LLL 500V 67A 0.065Ω
Rev D
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APT53N60BC6 APT53N60SC6
Rev B
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BR APT50GT60SR APT50 GT60BRG*APT50 GT60SRG*
Rev D
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N-Channel MOSFET APT56M60B2 APT56M60L
Rev F
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APT50GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
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N-Channel MOSFET APT56M50B2 APT56M50L
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APT5024BFLL APT5024SFLL 500V 22A 0.240Ω功率MOS 7 R FREDFET
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N-Channel FREDFET APT56F50B2 APT56F50L
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APT54GA60BD30 APT54GA60SD30
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N-Channel FREDFET APT56F60B2 APT56F60L
Rev C
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APT50GS60BRDQ2(G) APT50GS60SRDQ2(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel 'DQ' Diode
Rev B
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APT50GS60BR(G) APT50GS60SR(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT
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1200V APT50GN120L2DQ2 APT50GN120L2DQ2G*
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APT50GR120B2 APT50GR120L 1200V，50A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
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600V APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G*
Rev A
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POWER MOS V® APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080Ω
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1200V APT50GF120B2R APT50GF120LR APT50GF120B2RG* APT50GF120LRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. FAST IGBT
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APT5025BN 500V 23.0A 0.25ΩAPT5030BN 500V 21.0A 0.30ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
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1200V APT50GN120B2 APT50GN120B2G*
Rev C
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APT5010JN 500V 48.0A 0.10ΩAPT5012JN 500V 43.0A 0.12ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev F
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APT50GT60BRDQ1 APT50GT60BRDQ1G霹雳IGBT®
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APT5014BLL（G）APT5014SLL（G）500V 35A 0.140Ω
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
Rev C
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APT50GT120B2R（G）APT50GT120LR（G）1200V，50A，VCE（ON）=3.2V典型Thunderbolt IGBT®
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APT5020BN 500V 28.0A 0.20APT5022BN 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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APT5020BNR 500V 28.0A 0.20ΩAPT5022BNR 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
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功率MOS 7®FREDFET APT5010B2FLL APT5010LFLL 500V 46A 0.100Ω
Rev.D
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APT50GT120B2RDQ2G
Rev D
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霹雳IGBT®1200V APT50GT120LRDQ2 APT50GT120LRDQ2G*
Rev A
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N-Channel MOSFET APT58M80J
Rev C
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N-Channel MOSFET APT58M50J
Rev D
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N-Channel MOSFET APT51M50J
Rev E
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APT50GLQ65JU2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
120kw有源负载的新型500V线性mosfet
本文介绍了新型500V线性MOSFET在120 kW主动负载中的应用。文章讨论了线性MOSFET在开关模式下的局限性，如高增益和负温度系数导致的线性区域操作困难。文章重点介绍了APL501JN线性MOSFET的开发，通过不对称源结构降低电流密度，提高线性工作模式的功率耗散能力。此外，文章还探讨了FBSOA测试方法、线性安全工作区域以及并联MOSFET电路设计。
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APT0407高压高频系统中VDS（on）、VCE（sat）测量
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背光系统解决方案CCFL，基板
Microsemi公司提供高性能的CCFL和LED系统解决方案，包括CCFL驱动器IC、LED驱动器IC和可见光传感器。产品适用于汽车、LCD电视、显示器和笔记本电脑背光平台。解决方案具有高可靠性、效率和服务，包括广泛的输入/输出电压范围、数字和模拟调光功能、温度补偿和故障检测管理。此外，Microsemi还提供在线工具、选型指南和销售支持。
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Microsemi光学解决方案产品选型指南
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安全解决方案保护全球从硅到软件的嵌入式系统
Microsemi公司提供全面的嵌入式系统安全解决方案，涵盖硬件、固件和软件层面。其产品包括安全固态硬盘（SSDs）、安全相关服务、加密技术、FPGAs和SoCs等。Microsemi致力于保护数据在运动、使用和静止状态下的安全，并提供针对金融、汽车、医疗、数字版权管理、游戏和工业等领域的解决方案。公司还拥有专业的安全中心，提供风险评估、保护规划、红蓝对抗和侧信道分析等服务。
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用于AFS-EVAL-KIT的Microsemi电源管理解决方案
本文档介绍了Microsemi公司针对AFS Fusion Evaluation Kit的电源管理解决方案，包括对现有电源管理IC的替代方案。文档详细比较了Microsemi的电源管理IC与竞争对手的产品，提供了测试数据和电路图，并建议了替换方案。主要内容包括：电源需求分析、测试数据对比、电路图和PCB布局建议。
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