APT50M65JFLL 500V 58A 0.065Ω
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT50M65JFLL
本数据手册详细介绍了APT50M65JFLL型号的500V/58A功率MOSFET的技术规格与性能特性。该器件采用SOT-227封装，具备0.065Ω的低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷（Qg）、低输入电容及低Miller电容等关键优势，能够显著降低导通和开关损耗。凭借其快速开关速度、高功率耗散能力及易于驱动的特性，该MOSFET在25°C温度下表现出优异的静态电气特性，适用于对能效和热管理要求严苛的功率电路设计。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
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APT50GN60B APT50GN60S APT50GN60B(G) APT50GN60S(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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APT50GN60BDQ2 APT50GN60SDQ2 APT50GN60BDQ2(G) APT50GN60SDQ2(G) 600V *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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超软恢复整流二极管
Rev B
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APT50GN60BDQ3 APT50GN60SDQ3 APT50GN60BDQ3（G）APT50 GN60SDQ3（G）
Rev A
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Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT54GA60B APT54GA60S
Rev E
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT50GP60B APT50GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
Rev B
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碳化硅半导体产品
05/18
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APT53N60BC6 APT53N60SC6
Rev B
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APT50M65B2LL APT50M65LLL 500V 67A 0.065Ω
Rev D
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BR APT50GT60SR APT50 GT60BRG*APT50 GT60SRG*
Rev D
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N-Channel MOSFET APT56M60B2 APT56M60L
Rev F
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APT50GF120JRD 1200V 60A快速IGBT
Rev B
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N-Channel MOSFET APT56M50B2 APT56M50L
Rev C
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APT5024BFLL APT5024SFLL 500V 22A 0.240Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev D
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N-Channel FREDFET APT56F50B2 APT56F50L
Rev D
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APT54GA60BD30 APT54GA60SD30
Rev D
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APT50M65B2FLL APT50M65LFLL 500V 67A 0.065Ω
Rev C
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N-Channel FREDFET APT56F60B2 APT56F60L
Rev C
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APT50GS60BR(G) APT50GS60SR(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT
Rev A
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APT50GS60BRDQ2(G) APT50GS60SRDQ2(G) 600V, 50A, VCE(ON) = 2.8V Typical Thunderbolt® High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel 'DQ' Diode
Rev B
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1200V APT50GF120B2R APT50GF120LR APT50GF120B2RG* APT50GF120LRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. FAST IGBT
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APT50GR120B2 APT50GR120L 1200V，50A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
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600V APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G*
Rev A
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1200V APT50GN120L2DQ2 APT50GN120L2DQ2G*
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POWER MOS V® APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080Ω
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1200V APT50GN120B2 APT50GN120B2G*
Rev C
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APT5025BN 500V 23.0A 0.25ΩAPT5030BN 500V 21.0A 0.30ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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APT5010JN 500V 48.0A 0.10ΩAPT5012JN 500V 43.0A 0.12ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev F
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APT50GT60BRDQ1 APT50GT60BRDQ1G霹雳IGBT®
Rev A
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APT5014BLL（G）APT5014SLL（G）500V 35A 0.140Ω
Rev B
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
Rev C
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APT50GT120B2R（G）APT50GT120LR（G）1200V，50A，VCE（ON）=3.2V典型Thunderbolt IGBT®
Rev E
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APT5020BN 500V 28.0A 0.20APT5022BN 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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APT5020BNR 500V 28.0A 0.20ΩAPT5022BNR 500V 27.0A 0.22ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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功率MOS 7®FREDFET APT5010B2FLL APT5010LFLL 500V 46A 0.100Ω
Rev.D
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APT50GT120B2RDQ2G
Rev D
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霹雳IGBT®1200V APT50GT120LRDQ2 APT50GT120LRDQ2G*
Rev A
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N-Channel MOSFET APT58M50J
Rev D
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N-Channel MOSFET APT51M50J
Rev E
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N-Channel MOSFET APT58M80J
Rev C
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N-Channel FREDFET APT51F50J
Rev D
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
120kw有源负载的新型500V线性mosfet
本文介绍了新型500V线性MOSFET在120 kW主动负载中的应用。文章讨论了线性MOSFET在开关模式下的局限性，如高增益和负温度系数导致的线性区域操作困难。文章重点介绍了APL501JN线性MOSFET的开发，通过不对称源结构降低电流密度，提高线性工作模式的功率耗散能力。此外，文章还探讨了FBSOA测试方法、线性安全工作区域以及并联MOSFET电路设计。
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APT0407高压高频系统中VDS（on）、VCE（sat）测量
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Microsemi的PoE中继器助力客户满足不断增长的无线网络需求。Dustin公司帮助其客户在多个校园内部署无线网络，采用Microsemi的6500和9000系列中继器，实现180个位置的无线网络覆盖，显著提高无线性能，同时降低安装和配置时间，使网络基础设施的回报率超过8年。
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FlexPort™ Technology SyncServer S6xx Series 产品介绍
FlexPort™ Technology SyncServer S6xx Series是一种创新的时序和频率标准技术，允许用户通过Web界面动态配置BNC连接器的输入/输出信号类型，如IRIG时间码、脉冲速率和正弦波。该技术支持多种输入和输出信号，包括时间码、脉冲和正弦波，并提供灵活的配置选项，以适应不同的应用需求。FlexPort技术提高了空间利用率和配置灵活性，同时保持了高精度和稳定性。
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