3135GN – 170M 170 Watts - 60 Volts, 300 s, 10% 3100 - 3500 MHz
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
3135GN – 170M
本数据手册详细介绍了3135GN-170M型号器件，这是一款内部匹配的共源AB类氮化镓碳化硅晶体管。该产品专为高性能射频应用设计，能够在3100至3500 MHz频段内提供11dB的增益和170瓦的脉冲射频输出功率，具备300μs的脉冲宽度和5:1的负载失配容限。其关键电气特性包括0.6°C/W的低热阻、150V的饱和电压、250V的击穿电压以及极低的漏电流，确保了在严苛环境下的可靠运行。该器件广泛应用于仪器、公共广播、卫星通信、工业与医疗设备、商业无线基础设施（涵盖WCDMA、LTE、WiMAX标准），以及民用和军事雷达与通信系统。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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3135GN – 170M 170 Watts - 60 Volts, 300 μs, 10% 3100 - 3500 MHz
Rev.1
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3135GN-120V 120瓦•50伏•300μs，10%s波段雷达3100-3500兆赫
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3135GN-110M 110瓦-50伏，300秒，10%3100-3500 MHz
Revision 0.1
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3135GN-200V 200瓦•50伏•200μs，10%s波段雷达3100-3500兆赫
Revision 1.0
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射频/微波氮化镓功率晶体管
05/18
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3135GN-400V 400瓦•50伏•200μs，10%s波段雷达3100-3500兆赫
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3135GN-280LV 280瓦•50伏•200μs，20%s波段雷达3100-3500兆赫
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2N6317和2N6318 PNP硅功率晶体管
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2N6315和2N6316 NPN硅功率晶体管
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2730GN–100L 100瓦，3毫秒，30%，+55伏2700-3000 MHz
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2731GN–110M 110瓦-60伏，200μs，10%2700-3100 MHz
June 2011
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2731GN–110M 110瓦-60伏，200μs，10%2700-3100 MHz
Rev.1
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2731GN–200米200瓦-60伏，200μs，10%2700-3100 MHz
Rev.1
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2729GN–150 150瓦-60伏，100μs，10%雷达2700-2900 MHz
Rev 1
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2735GN–100米100瓦-60伏，300μs，10%2700-3500 MHz
June 2011
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2735GN–35M 35瓦-60伏，300μs，10%2700-3500 MHz
June 2011
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MS3023射频和微波晶体管在通用放大器中的应用
2018/01/15
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TimeProvider®5000 IEEE 1588-2008 PTP主时钟
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ZL30282 6输出PCIe时钟发生器数据表
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ZL30237双通道通用NCO时钟发生器
2021/06/04
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TimePictra®软件套件：下一代同步管理系统
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MSC2x31/30SDA070J双通道碳化硅肖特基势垒二极管
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GPS-2700 10 MHz GNSS受控振荡器，具有芯片级原子钟（CSAC）
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MSCSM70AM10CT3AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
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MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
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MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
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MSCSM70AM19CT1AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
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MSCSM70VM10C4AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
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PD-9601GC中跨1端口，IEEE 802.3bt 90W PoE中跨
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PD-9606GC/9612GC/9624GC中跨90W/端口千兆位中跨系列，适用于高功率供电设备
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PD69204T4和PD69200规格书4端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
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双输出超低附加相位噪声PCIe Gen 1至5，以及UPI/QPIFanut缓冲数据表
June 2019
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PD69208T4和PD69210数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
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PD69208T4和PD69200数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
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带SiC功率级的MAIPDMC40X120A混合动力驱动器数据表
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MSC030SDA070S零恢复碳化硅肖特基二极管
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| 测试报告 - 英文 |
加固安全的网络时间服务器波动性证书
26 April 2018
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Unison RTOS 4.1版软件数据表
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MM-APP-0002 Microsemi微波单片集成电路质量保证
2017/11/15
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】采用SC-88封装的通用型双PNP小信号晶体管MBT5401DW，集电极连续电流-500mA
MBT5401DW是AiT推出的一款通用型、双PNP小信号晶体管，采用SC-88封装，其集电极-发射极电压为-150Vdc，集电极-基极电压为-160 Vdc，发射极-基极电压为-5 Vdc，集电极连续电流为-500mAdc，该产品的耗散功率最大为225mW（安装于FR-5基板TA=25°C）。
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【产品】采用SOT-23封装的PNP通用晶体管MMBT4403，适用于中等功率放大电路和开关电路
鲁光电子推出的PNP通用晶体管MMBT4403采用SOT-23封装，其集电极-发射极电压为-40V，集电极电流（直流）为-0.6A，集电极耗散功率为0.35W，直流电流增益最大可达300。该晶体管可提供无铅版本，结温和存储温度范围为-55℃~+150℃。
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使用散聚DMA控制器的RTG4 FPGA PCIe数据平面演示
本资料介绍了Microsemi公司RTG4 FPGA PCIe数据平面演示，使用Scatter-Gather DMA控制器实现高速数据传输。资料详细描述了设计要求、前提条件、演示设计、设置演示设计、运行设计等步骤，包括硬件设置、编程、连接、驱动程序安装、应用程序安装和运行。此外，还提供了DMA传输流程图、性能计算方法和附录，包括编程设备、运行TCL脚本和演示寄存器及缓冲区描述符的详细信息。
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PolarFire FPGA：利用用户密码处理器实现数据安全
本资料介绍了如何使用Microsemi的PolarFire FPGA中的用户加密处理器（User Cryptoprocessor）实现数据安全。资料详细描述了用户加密处理器的功能、设计要求、硬件和软件实现方法，包括时钟结构、IP核使用、内存映射和软件配置。此外，还提供了如何编程PolarFire设备和SPI闪存的指南，以及如何运行演示和示例项目。
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【产品】采用SOT-23封装的NPN通用开关晶体管2SC1815，结温可达150℃，符合RoHS标准
固得沃克推出的NPN通用开关晶体管2SC1815，采用SOT-23封装，其集电极-基极电压为60V，集电极-发射极电压为50V，发射极-基极电压为5V，集电极电流为0.15A，器件耗散功率为0.2W，结温可以达到150℃。
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功率砷化镓高电子迁移率晶体管
Freescale推出的高效率功率pHEMT晶体管适用于100至5000 MHz频率范围内的陆地移动、公共安全、雷达等高数据率小细胞应用。这些晶体管提供成本效益的表面贴装塑料和空气腔陶瓷封装，可与Freescale通用驱动放大器配合使用，构建完整的发射链。资料中列出了不同型号的晶体管和放大器的详细规格，包括频率范围、增益、ACPR、效率、P1dB、VDD、电流和封装类型等信息。
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【产品】14W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F，为射频功率应用提供了通用的宽带解决方案
UMS公司推出了一款 功率为14W 的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。CHK8013-99F采用0.25μm栅极长度的GaN HEMT技术。器件建议采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。
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Libero®SoC v2021.2 RTG4™FCCC（带增强型PLL校准）配置器用户指南
本指南介绍了RTG4™ FCCC with Enhanced PLL Calibration Configurator，该配置器允许配置两个CCC（CCC_0和CCC_1）。它描述了如何进行校准，包括在启动或PLL重置时进行的校准，以确保PLL锁定在正常操作期间稳定。指南还涵盖了配置选项，包括基本配置、高级配置和PLL选项，以及如何设置输出时钟、PLL参考时钟源和频率。此外，它还提供了关于动态配置、PLL选项、端口描述和修订历史的信息。
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【产品】40V/150mW NPN通用开关型晶体管MMBT3904W，SOT-323塑料封装
PANJIT(强茂)推出电压为40V，功率为150mW的NPN通用开关型晶体管——MMBT3904W。NPN硅外延，用于平面设计；集电极-射极电压VCE = 40V；集电极电流IC = 200mA。
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【产品】集电极-发射极电压分别为50V/30V的通用型NPN晶体管BC817/BC818系列
Diotec（德欧泰克）推出的通用型NPN晶体管BC817/BC818系列晶体管，集电极-发射极电压分别为50V/30V(E-B short)，耗散功率为310mW，集电极电流为800mA，可以应用在信号处理、开关、放大器中。
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【产品】30V/0.3A的NPN小信号达林顿晶体管，常用于通用开关应用
丽正国际公司推出了一款NPN小信号达林顿晶体管CMBTA13，集电极-基极电压最大为30V，集电极电流最大为300mA，该产品可应用于高灵敏的放大电路中，用来放大非常微小的信号，常被用于通用开关应用，如大功率开关电路等。
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