MDS-GN-650ELM 650 Watts - 65 Volts, Mode-S ELM Avionics 1030-1090 MHz
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MDS-GN-650ELM
本数据手册详细介绍了MDS-GN-650ELM器件，这是一款专为Mode-S ELM航空电子系统设计的650瓦、65伏GaN on SiC高功率晶体管。该晶体管工作频率覆盖1030-1090 MHz，具备内部预匹配设计，能够在Mode-S ELM脉冲条件下提供超过21dB的增益和650瓦的脉冲射频输出功率。在技术特性方面，器件采用金金属化和共晶附着技术，确保了高可靠性与优异的耐用性，其最大功耗达1000瓦，最大漏源电压为150伏，最大栅极-源极电压范围为-8至+0伏，工作结温可达+200°C，存储温度范围为-55至+125°C，能够满足严苛的航空电子应用需求。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/262
2017/12/04
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符合MIL-PRF-19500/622标准的NPN高功率硅晶体管
2017/12/24
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符合MIL-PRF-19500/621标准的PNP高功率硅晶体管
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
2N7371 PNP Darlington高功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/623标准
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
2N7370 NPN达林顿高功率硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/624标准
Rev. 2
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/37
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/37
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/408
2017/12/13
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TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/43
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/488
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/461
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/456
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/439
2017/12/13
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TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/518
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/379
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/370
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/384
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/102标准的2N1016B、2N1016C、2N1010D NPN硅高功率晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
10502500瓦，50伏，脉冲航空电子设备1030/1090 MHz
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
MDS500L 500瓦，50伏，脉冲航空电子设备1030 MHz
Rev.A
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
Libero SoC V12.5 SP1编程和调试工具发行说明
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
振荡器，晶体控制，1型（晶体振荡器（XO）），1.0兆赫至60.0兆赫，密封，方波，TTL性能规范表
24 February 2005
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| 测试报告 - 英文 |
Microsemi S600 SyncServer、S650 SyncServer原产地证书
20 March 2018
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| 测试报告 - 英文 |
S80 SyncServer原产地证书
22 March 2018
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RTAX2000S-CQ352-DCWA41总电离剂量试验报告
rev 0
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RTAX2000S-CQ352-DAHWT1总电离剂量试验报告
February 8, 2018
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| 测试报告 - 英文 |
RT4G150总电离剂量试验报告
REV1
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| 测试报告 - 英文 |
RT4G150总电离剂量试验报告
November 4th, 2016
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RT4G150-LG1657-K6241总电离剂量试验报告
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RT4G150-LG1657-K418A总电离剂量试验报告
January 26, 2018
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| 测试报告 - 英文 |
RTG4 PLL见测试结果
July 31, 2018
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
SPI DirectC v2.1和DirectC v4.1发行说明
October 2013
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| 电路原理图 - 英文 |
Freedom U540SoC示意图
Revision A
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| 技术文档 - 英文 |
第6期FPGA和SoC技术
Issue 6
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| 技术文档 - 英文 |
第8期FPGA和SoC技术
Issue 8
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| 测试报告 - 英文 |
TR0043 PolarFire中子测试报告
Revision 1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PNP Transistor TIP32A Can be Used in Audio Amplifier, Motor Driver and Power Supply
Hottech’s medium and high power amplifier transistor TIP32A has the advantages of high power handling capacity, high withstand voltage capacity, strong amplification performance, high temperature working capacity, good heat dissipation performance, stable physical and chemical properties, strong stability and reliability, and wide application range.
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半导体器件为什么需要“外延层”
对于硅而言，硅外延生长技术开始的时候，真是硅高频大功率晶体管制做遇见困难的时刻。从晶体管原理来看，要获得高频大功率，必须做到集电区击穿电压要高，串联电阻要小，即饱和压降要小。
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UMS Newly Launched A High Power GaN Transistor CHKA012bSYA with Wide Band Capability of up to 6GHz and High Power Added Efficiency of 58%@1.3GHz
UMS‘ CHKA012bSYA is an unmatched High Power GaN Transistor. This power bar covers from DC to up 6GHz. It exhibits a high power of 130W with an excellent PAE. Its consumption remains low with 50V@640mA； It can be used in CW or Pulsed mode. Its associated gain @ max PAE is 16dB@1.3GHz.
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【产品】单芯片全集成栅极驱动器CMT-HADES2S，专为高压/大功率的驱动宽带隙晶体管而设计
CISSOID推出的CMT-HADES2S是一款耐高温、高可靠性的单芯片全集成栅极驱动器，专门设计用于高压/大功率的驱动宽带隙晶体管，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件。由于其体积小且所需的外部组件数量少，它提供了市场上最紧凑的解决方案。
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RT PolarFire®FPGA编程用户指南
本资料详细介绍了RT PolarFire® FPGA的编程方法和流程。资料涵盖了编程接口、编程模式、位流生成、系统控制器挂起模式、编程时间、编程模式（JTAG、SPI从、SPI主）以及飞行中重编程等内容。资料还提供了编程文件大小、错误代码、修订历史等信息，旨在帮助用户了解和掌握RT PolarFire® FPGA的编程技术。
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用于安全关键应用的PolarFire FPGA应用笔记
本资料介绍了Microsemi公司PolarFire FPGA在安全关键应用中的特性。内容包括：FPGA配置单元的可靠性、单事件效应免疫性、配置单元的“即时启动”和“单芯片”特性、嵌入式块RAM的错误检测和纠正能力、内置自检机制、未使用硬IP块的钝化和监控等。此外，还涉及DO-254和IEC 61508标准的相关内容。
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SmartFusion2 SoC和iGLOO2 FPGA系统控制器用户指南
本资料为Microsemi公司关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA系统控制器的用户指南。内容涵盖系统控制器功能描述、子系统与接口介绍、系统服务功能及使用方法等。资料详细阐述了系统控制器的架构、工作原理以及如何利用系统服务进行设备编程和系统服务请求处理。
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PolarFire FPGA板设计用户指南
本资料为Microsemi公司发布的PolarFire FPGA板级设计用户指南，旨在为熟悉PolarFire设备、具备数字板级设计经验和了解系统电气特性的读者提供指导。指南涵盖了电源、高速接口、控制接口以及PolarFire FPGA的关联外围组件。内容涉及电源供应、去耦电容、用户I/O、时钟、复位、设备编程、收发器、AC和DC耦合、掉电检测等方面，并提供了设计检查表和布局设计实践指南。
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【应用】国产高压大电流达林顿晶体管阵列SKD2003助力大功率直流电源项目，输出电压高达50V
洺太推出高压大电流达林顿晶体管阵列SKD2003，实际上是三极管接在一块，从而可以起到放大电流的作用，可用于大功率开关上。
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EPC Introduces 100V eGaN Power Transistor for High Power Density Power Conversion and Lidar Applications
EPC Introduces 100 V eGaN Power Transistor for High Power Density Power Conversion and Lidar ApplicationsThe EPC2070 offers power systems designers a 100 V, 23 mΩ, power transistor capable of 34 A pulsed in an extremely small chip-scale package.
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【产品】30V/180A大功率N沟道增强型场效应晶体管，采用TO-252封装
扬杰科技推出的YJD180N03A为一款30V/180A的大功率N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS（非嵌位感性负载开关过程）和▽VDS测试，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。
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【产品】博恩高导热、高绝缘强度的导热绝缘矽胶管，满足大功率晶体管散热与绝缘要求
博恩（Bornsun）推出的导热绝缘矽胶管，材料采用高导热氧化铝、氮化硼等高导热粉体配合高绝缘强度的硅橡胶，在高导热的前提下保证了高绝缘强度。满足大功率晶体管散热与绝缘要求。多应用于中心功率晶体管的散热。
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【产品】650V/30A高速大功率绝缘栅双极型晶体管，集电极-发射极饱和电压仅为1.35V
RENESAS（瑞萨）公司制作了一款采用隔离封装的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RJP65T54DPM-A0，开通延迟时间td(on)典型值仅为31ns，上升时间tr典型值为22ns，关断延迟时间典型值为128ns，下降时间典型值为156ns。开通能量损耗典型值为0.47mJ，关断能量损耗典型值为1.04mJ，能量损耗极少，主要应用于电动工具，电动汽车动力系统，逆变电源，轨道交通等应用领域。
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【产品】200MHz高压大电流硅PNP晶体管CP763V-CZT955，助力高频大功率应用
CENTRAL公司推出的CP763V-CZT955系列芯片是为高电压和高电流应用而设计的一种硅PNP晶体管。适用于高可靠性系统的设计。
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