Separate Sheet Product Specifications of the RJP65T54DPM-E0
发布时间：
2018-08-01
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
RJP65T54DPM-E0; RJP65T54DPM-E0#T2
本产品规格书详细介绍了RJP65T54DPM-E0型号元器件的详细技术参数与封装信息。该资料重点阐述了器件的关键电气特性，涵盖了集电极到发射极电压、栅极到发射极电压、集电极电流及其峰值电流等核心指标。同时，文档还明确了结温范围、集电极到发射极饱和电压、栅极到发射极截止电压以及下降时间等开关性能参数，并提供了具体的封装形式数据，为工程师进行电路设计与选型提供了精准的参考依据。针对文中所述的RJP65T54DPM-E0器件，原厂在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） IGBT RJP65T54DPM-E0数据手册
Rev.1.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
分立功率器件产品内箱标签位置更改产品咨询（PA）（BL202301967）
8/2/2023
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| 数据手册 - 英文 |
RJP65T54DPM-E0 650V-30A-IGBT应用：部分开关电路数据表
Rev.1.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）
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| 数据手册 - 英文 |
RJP65T54DPM-A0型
Rev.1.10
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| 数据手册 - 英文 |
RJH60M0DPQ-E0 600V-22A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.2.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
8英寸未切割晶圆IGBT UV带更换产品更改通知（PCN）（BL202301547）
6/19/2023
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| 数据手册 - 英文 |
RJH60M3DPQ-E0 600V-17A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.2.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
8英寸未切割晶圆的1800V IGBT产品变更通知（PCN）（BL202301548）的UV带更换和铝溅射条件优化
6/19/2023
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
离散和功率设备为广泛的高性能应用提供强健、可靠的解决方案
本资料介绍了Renesas公司提供的离散和功率器件，包括晶闸管/硅控整流器、IGBT和功率MOSFET。资料详细介绍了这些器件的特点、技术参数和应用领域，旨在支持高性能应用，提高系统性能并减小尺寸和重量。资料还包含了产品线、技术规格和销售办公室信息。
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【产品】650V/30A高速大功率绝缘栅双极型晶体管，集电极-发射极饱和电压仅为1.35V
RENESAS（瑞萨）公司制作了一款采用隔离封装的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RJP65T54DPM-A0，开通延迟时间td(on)典型值仅为31ns，上升时间tr典型值为22ns，关断延迟时间典型值为128ns，下降时间典型值为156ns。开通能量损耗典型值为0.47mJ，关断能量损耗典型值为1.04mJ，能量损耗极少，主要应用于电动工具，电动汽车动力系统，逆变电源，轨道交通等应用领域。
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【产品】650V/30A绝缘栅双极型晶体管，适用于开关电路
RJP65T54DPM-A0是RENESAS（瑞萨）推出的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用了瑞萨公司的第七代IGBT技术，具有特有的沟槽栅极技术，并采用了薄化晶圆工艺，可应用在开关电路中。
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【应用】集电极-发射极的耐压值为650V瑞萨IGBT助力电子抓拍补光灯设计，有效降低传导损耗
电子抓拍补光灯，用在电子警察及治安卡口处，灯与相机水平距离1～3 米，照射距离18～35 米，给相机补光用，提升相机拍摄的效果。IGBT作为补光灯的开关，要求耐压值650V，电流150~160A，给客户推荐瑞萨的IGBT RBN75H65T1FPQ-A0＃CB0。
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【应用】瑞萨650V/75A IGBT助力户用光储一体机设计，采用先进沟槽场阻断技术，饱和压降低至1.5V
客户做户用光储一体机，当前IGBT市场出现缺货的情况，本文介绍瑞萨的RBN75H65T1FPQ-A0＃CB0，它是一款高性能IGBT，该IGBT内置快速恢复二极管，使用沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H系列），可以在短时间内快速切换且短路承受时间高达10分钟。
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瑞萨IGBT RBN40H125S1FPQ-A0 pin to pin替代仙童FGL40N120AND，导通压降1.8V
瑞萨RBN40H125S1FPQ-A0 IGBT与仙童IFGL40N120AND都使用TO247封装，具有极好的互换性。不缺货、交期快、性价比高，瑞萨IGBT是当下IGBT采购最佳选择。推荐使用世强公司代理的RBN40H125S1FPQ-A0替换IFGL40N120AND进行设计。
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现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND
瑞萨现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND。Renesas瑞萨IGBT不仅可替换FAIRCHILD仙童 IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND，在产品性能上还有了极大提升，性价比高。
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【应用】瑞萨导通压降达1.41V的IGBT RBN50H65T1FPQ-A0用于户用储能逆变器，可提高单管效率
某司在5KW户用储能逆变器中就使用到了主副开关全为RBN50H65T1FPQ-A0的解决方案。单管更低的导通压降1.41V，发热量更低，提高热损耗；导通损耗1.27mJ，可提高单管效率。采用标准的TO-247封装，更方便替换同等级产品。
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【产品】Renesas推出保持高击穿强度的IGBT AE5，可用作构成EV逆变器电路的关键器件
Renesas（瑞萨电子）推出的IGBT器件---AE5，可作为提供控制EV主电机的逆变器的关键部件。AE5的特点包括电气特性的改善和保持高击穿强度。
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Renesas’ the next generation IGBT/AE5 offers high efficiency and ease of use
Renesas provides IGBTs, which are key components of inverters that control the main motors of EVs, and Renesas has just released a new product, the AE5.Features of AE5 (1): Improvement of Electrical Characteristic；Features of AE5 (2): Maintains high breakdown strength.
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【应用】650V/75A高性能IGBT用于工业空调电机，体二极管峰值电流达300A
瑞萨电子推出高性能IGBT RBN75H65T1FPQ-A0，耐压性能好，导通压降低，开关损耗小，使用沟槽栅极和薄晶圆技术（G8H系列），可以在短时间内快速切换且短路承受时间高达10分钟，性能强大，适用于直流无刷电机驱动电路中的使用。
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【经验】Renesas RBN75H65T1FPQ-A0 IGBT在直流无刷电机驱动中的应用
无刷电机驱动电路是数字控制电路和无刷直流电机联系的纽带， 它是电机控制系统中的薄弱环节 。因此，电机功率驱动模块电路性能的好坏将直接关系到系统的整体性能和可靠性。本文讲述了瑞萨公司生产的RBN75H65T1FPQ-A0 IGBT 。
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【产品】反向传输电容Cres比上一代降低80%的G8H IGBT系列，助力IGBT并联均流实现
由于IGBT并联能够提供更高的电流密度、均匀热分布、灵活布局以及较高性价比等优势，使得IGBT并联方案目前已成为一种趋势，成为大功率设计应用的解决方案之一。Renesas最新的G8H IGBT提高了并联的一致性，主要与Cres的参数有关。为了实现快速开关， G8H IGBT产品的反向传输电容Cres比上一代产品降低了80%，改善了Vge的波形振铃。
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【经验】简析IGBT驱动波形振荡原因及解决方法
在调试大功率变流器或电源设备时，工程师经常会遇到的一个问题就是IGBT驱动波形出现振荡，如果不加以改善，可能会造成IGBT桥臂直通，设备不能正常运行或损坏。通过本文给出的几种改善方法，可以帮助工程师快速解决调试中遇到的IGBT驱动波形振荡问题，减小IGBT的直通故障风险，提高整机可靠性。
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【经验】单管IGBT驱动电阻Rg该如何选取？
IGBT凭借出色的高电压大电流特点，是目前主流的功率开关器件，而其驱动设计关乎着IGBT能否可靠运行，驱动电阻Rg的选取尤其重要。但Rg的选型不是一个很简单的工作。本文为大家讲述单管IGBT驱动电阻Rg该如何选取。
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【产品】1200V-25A/30A/35A IGBT，集电极-发射极饱和压降1.8V，适用于逆变器
Renesas推出的RJH1CV5DPK、RJH1CV6DPK、RJH1CV7DPK绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，集电极到发射极的饱和电压极低，典型值为1.8V，降低了IGBT的总体损耗；具有独特的沟槽栅配置，以及薄化晶圆制造工艺，可以降低导通损耗及开关损耗；短路耐受时间典型值均为5µs，主要应用于逆变器等领域。
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【产品】三款1200V-25A/30A/35A IGBT，短路承受时间5µs，适用于逆变器
Renesas推出的RJH1CV5DPQ-E0、RJH1CV6DPQ-E0、RJH1CV7DPQ-E0绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，集电极-发射极的饱和电压极低，典型值为1.8V，降低了IGBT的总体损耗；另外，其还具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，可以降低导通损耗及开关损耗；短路承受时间典型值为5µs，主要应用于逆变器等领域。
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【产品】1250V/75A的IGBT RJP1CS05DWA、RJP1CS05DWS，10μs高短路耐受力
RJP1CS05DWA / RJP1CS05DWS是一款由Renesas公司推出的新一代IGBT产品，该晶体管采用了增强型薄化晶圆工艺，在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡，以更好的承受短路情况的发生。新一代产品具有1250V的更高额定电压，以满足低温性能和过压阻断能力，提供更好的器件短路保护性能，主要应用于功率转换器，变流器以及电机控制等领域中。
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【产品】600V/30A IGBT RJH60T04DPQ-A1，TO-247A直插封装，结壳热阻仅为0.6℃/W
RJH60T04DPQ-A1是一款由Renesas公司推出的IGBT器件，该器件采用沟槽栅极和薄晶圆技术，其封装内内置了快速恢复二极管。其采用TO-247A直插封装，结壳热阻仅为0.6℃/W，具有出色的导热性能，非常适合应用于电流谐振应用中。
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【产品】内置快速恢复二极管，650V/50A绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）RJH65D27BDPQ-A，适用逆变器领域
Renesas推出的RJH65D27BDPQ-A0绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，其反向恢复时间典型值仅需80ns，反向恢复电荷典型值仅为0.35uC，具有较快的恢复速度，一定程度上保证了IGBT的开关速率；关于IGBT的电气参数，其集电极-发射极的饱和电压极低，典型值为1.3V；采用TO-247A封装，具有独特的沟槽栅极配置，可用于逆变器应用。
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【产品】650V/50A的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），针对电流共振应用进行了优化
RENESAS推出了一款针对电流共振应用进行了优化的绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）——RJH65T14DPQ-A0，具有独特的沟槽栅配置，以及薄化晶圆制造工艺，封装内置了快速恢复二极管，可应用于感应加热设备和微波炉等场合。集电极到发射极电压为650V，集电极电流为100A（TC=25℃）/50A（TC=100℃），集电极功耗为250W，可应对高压大功率电力系统的应用需求。
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单独汇总表第8代G8H IGBT系列产品规格
本资料详细介绍了Renesas公司第八代G8H系列650V和1250V IGBT产品的规格参数。包括集电极-发射极电压、栅极-发射极电压、集电极电流、结温、饱和电压、截止电压等关键性能指标。此外，还提供了产品型号、订购编号和封装信息。
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【经验】一文教你解决IGBT驱动光耦驱动IGBT模块时出现的IGBT驱动震荡问题
近期在一个项目中遇到过驱动震荡问题，IGBT驱动光耦选用Renesas PS9402驱动Vincotech IGBT PIM模块V23990-P546-A28-PM，带负载调试时驱动出现震荡，本文以该项目为例，分享如何解决IGBT驱动震荡问题。
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RENESAS 第八代IGBT单管，不亚于业内ES5技术的IGBT单管
RENESAS在IGBT单管产品上的最新一代技术为G8H技术，电流规格可高达75A。在工业市场，其中UPS、光伏和充电桩等市场产品均有使用CompanyA-ES5的IGBT单管。但总体损耗G8H技术的RBN50H65T1FPQ-A0更低。故RENESAS的G8H技术IGBT单管在应用于UPS、光伏和充电桩等市场产品上时，IGBT单管在总体上的性能表现将比CompanyA-ES5更佳。
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【产品】耐压达650V的IGBT，单相光伏逆变器最佳选择
本文针对单相光伏逆变器，介绍一款瑞萨公司推出的第八代IGBT单管（绝缘栅双极型晶体管）RBN50H65T1FPQ-A0，与英飞凌的IKW50N65H5及IKW50N65EH5、ST的STGW60H65DFB相比，该IGBT在保证光伏系统性能稳定的同时，可使系统获得更优越的性能。
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【产品】600V/22A绝缘栅双极型晶体管，短路耐受时间高达6μs
瑞萨的RJP60V0DPM-80采用了瑞萨公司的第六代IGBT技术，具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄晶圆制造工艺，其额定电压600V，额定电流22A，最大耗散功率为60W，结壳热阻为2.08°C/W，短路耐受时间典型值高达6μs，可以应用于变频器。
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【产品】650V/20A绝缘栅双极型晶体管，最大耗散功率为68.8W
瑞萨的RJP65T43DPM采用了瑞萨公司的第七代IGBT技术，具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄晶圆制造工艺，其额定电压650V、额定电流20A，反向传输电容典型值为26pF，可以应用在功率因数校正电路中。
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【产品】1250V高压型绝缘栅双极型晶体管，开通延迟仅为20ns
RJP1CS03DWA / RJP1CS03DWS是瑞萨公司推出的集电极到发射极电压VCES高达1250V的绝缘栅双极型晶体管，栅极到发射极电压VGES额定值为±30V，集电极到发射极的饱和电压VCE（sat）的典型值低至1.8V，具有高开关速度，低导通损耗，适用于变频器领域。
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【产品】1250V高压型绝缘栅双极型晶体管，反向传输电容仅0.12nF
RJP1CS04DWA / RJP1CS04DWS是瑞萨公司推出的集电极到发射极电压VCES高达1250V的绝缘栅双极型晶体管，栅极到发射极电压VGES额定值为±30V，集电极电流最大为100A（Tc=25℃），开关开通延迟仅为30ns，短路耐受时间最小值达10μs，适用于变频器领域。
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【应用】绝缘电压达5KV IGBT驱动光耦，可完美替代同类驱动光耦
RENESAS推出的PS9031 IGBT驱动光耦， 驱动输出电流上能达到2.5A，共模抑制比CMTI达50KV/us，信号传输延时时间为175ns，工作温度可达-40℃-125℃。
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【产品】高耐压值高速开关的IGBT，栅极电荷总量仅350nC
瑞萨的RJP65S05DWA/RJP65S05DWS集电极到发射极的饱和电压低至1.5V，反向传输电容典型值为220pF，适用于变频器等应用。
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【产品】650V绝缘栅双极型晶体管，反向传输电容典型值仅90pF
瑞萨的RJP65S03DWA/RJP65S03DWS IGBT集电极到发射极的饱和电压最大值1.8V，可用于逆变器等应用。其中RJP65S03DWA以未切割晶圆形式供货，RJP65S03DWS以已切割晶圆形式供货。
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【产品】高速绝缘栅双极型晶体管，额定电流75A
瑞萨的RJP65M05DWA/RJP65M05DWS开关损耗低，集电极到发射极的饱和电压VCE（sat）的典型值为1.55V，最大值2.05V，可应用于变频器领域。
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【产品】1250V、150A高压绝缘栅双极型晶体管
瑞萨的RJP1CS27DWA/RJP1CS27DWS 采用了瑞萨第七代IGBT技术，栅极电荷总量典型值为910nC，短路耐受时间最小值高达10μs，可用于变频器领域。
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【产品】200A大电流绝缘栅双极型晶体管，集电极到发射极电压高达1250V
瑞萨的RJP1CS28DWA/RJP1CS28DWS采用了瑞萨第七代IGBT技术，栅极电荷总量典型值为1150nC，短路耐受时间最小值高达10μs，应用于变频器领域。
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