GaAs SMT PHEMT LOW NOISEAMPLIFIER, 6 - 20 GHz
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC565LC5; HMC565LC5TR; HMC565LC5TR-R5
本数据手册详细介绍了HMC565LC5这款6至20GHz频段的GaAs SMT PHEMT低噪声放大器。该器件专为点对点及点对多点无线电、VSAT、测试设备以及军事和太空应用而设计，具备卓越的射频性能。其关键技术指标包括21dB的小信号增益、2.5dB的低噪声系数以及+20dBm的输出三阶截点（OIP3）。HMC565LC5采用单+3V电源供电，典型工作电流为53mA，内部集成了直流阻隔功能，并提供了50欧姆匹配的RF输入/输出接口，封装形式为符合RoHS标准的5x5mm表贴封装，易于集成。基于该方案，Analog Devices（亚德诺）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
加工定制
捷配提供PCBA一站式服务，涵盖SMT/DIP/组装，ISO9001与UL认证保障质量。
立即提交 PCBA（SMT/DIP）一站式服务 >>
拥有中等规模的SMT、DIP以及成品组装产线；支持PCBA及成品OEM/ODM代工组装制造；在嵌入式系统、物联网系统等具备专业性量产制造的项目组织和服务能力。
立即提交 电子产品OEM制造/ODM研发服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片PHigh电子迁移率晶体管低噪声放大器，6-20ghz
v03.0514
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
模拟器件欢迎Hittite微波公司资格测试报告
Rev: 01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，6-20ghz
v02.0209
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
合格鉴定试验报告
Rev: 05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC565 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，6-20 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC564LC4 GaAs SMT p高电子迁移率晶体管低噪声放大器，7-14 GHz
v08
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器，7-14ghz
v06.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC618ALP3E GaAs SMT P高电子迁移率晶体管低噪声放大器，1.2-2.2 GHz
v00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC617LP3/617LP3E GaAs SMT P高电子迁移率晶体管低噪声放大器，0.55-1.2 GHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
表面贴装pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器，17-27千兆赫
v01.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
表面贴装PHigh电子迁移率晶体管低噪声放大器，17-26千兆赫
v04.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器，1.2-2.2ghz
v00.1014
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片PHigh电子迁移率晶体管低噪声放大器，0.55-1.2ghz
v02.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC751LC4 SMT pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器，17-27千兆赫
v01.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC516LC5 SMT P高电子迁移率晶体管低噪声放大器，9-18 GHz
v05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
贴片功率因数电子迁移率晶体管低噪声放大器，9-18千兆赫
v05.0717
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC375LP3/375LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2千兆赫
v01.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2千兆赫
v03.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC519 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，18-32 GHz
v04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC356LP3/356LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，350-550 MHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓辉光电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，350-550兆赫
v03.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声高IP3放大器，12-16千兆赫
v04.0213
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC382LP3/382LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2 GHz
v01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，7-13.5ghz
v01.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC564 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，7-13.5 GHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
32千兆赫单片微波晶体管集成电路低噪声砷化镓
v02.0217
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC373LP3/373LP3E GaAs P高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，带旁路模式，700-1000 MHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，29-36千兆赫
v00.0306
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，7-17千兆赫
v03.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，18-31千兆赫
v04.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，28-36千兆赫
v02.0609
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，18-32千兆赫
v03.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC818LP4E GaAs SMT P高电子迁移率晶体管双通道低噪声放大器，1.7-2.2 GHz
v01.0809
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，17-26千兆赫
v03.0917
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC669LP3/669LP3E GaAs P高电子迁移率晶体管微波单片集成电路LNA，带故障安全旁路模式，1700-2200 MHz
v04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC668LP3/668LP3E GaAs P高电子迁移率晶体管微波单片集成电路LNA，带故障安全旁路模式，700-1200 MHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC599ST89/599ST89E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路LNA，75欧姆50-1000 MHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LTC3875双通道2相同步控制器，具有低值DCR检测和温度补偿功能
Rev. D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LTM4686B超薄双通道14A或单通道28AμModule稳压器，具有数字电源系统管理功能
2022/6/17
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报
2019/6/19
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
微电路，线性数字，0.1 GHz至33 GHz，1 dB最低有效位（LSB），5位，数字衰减器，砷化镓（GaAs）
2020/10/20
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
30_WLCSP_A-CB-30-03材料声明
2011/5/31
|
下载 |
技术论坛
DC2354A（ADI）的国产替代有哪些芯片
查看官方回答 >>
需要PTP替换一个4.5V基准源，要求精度0.1%, 温漂2 ppm/°C，原来使用的是ADI的REF194GS，有合适的推荐吗？
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
CN-0534 USB供电5.8 GHz RF LNA接收器，具有输出功率保护电路笔记
本文档介绍了基于Analog Devices元器件的5.8 GHz射频接收器系统设计，包括低噪声放大器、带通滤波器、过功率保护和USB供电等关键组件。系统采用HMC717A低噪声放大器，ADL5904真功率检测器和HMC802A数字衰减器，实现高增益、过功率保护和低噪声性能。设计支持文件包括原理图、布局文件和物料清单，适用于ISM频段的应用。
阅读原文 >>
ADI系统级解决方案：加速工业4.0智能制造的发展
本文介绍了ADI公司提供的系统级解决方案，旨在加速工业4.0智能制造的发展。文章重点阐述了可配置的运动和机器人平台、网络接口解决方案、状态监控（CbM）平台等关键技术和产品，以及它们如何满足工业4.0智能工厂的特点，如可配置性、实时监控、多协议连接等。此外，文章还介绍了ADI提供的评估工具和设计资源，以帮助客户快速将解决方案推向市场。
阅读原文 >>
实时电表健康监控及基于数据驱动的智能化决策
全球电力公司正在投资高级计量基础设施(AMI)以降低抄表成本，提供定制计费选项，并拓展新服务。然而，电表资产的部署生命周期管理仍依赖现场检查。实时电表健康监控技术，如*m*Sure，可提供电表健康数据，帮助电力公司识别不合规电表、精度漂移的电表和故障电表，以及更准确地检测窃电事件。这些技术有助于降低成本、减少窃电并改善运营。
阅读原文 >>
智能可穿戴医疗设备解决方案
本文介绍了智能可穿戴医疗设备解决方案，包括其定义、典型架构、设计考虑因素和主要挑战。文章重点介绍了低功耗芯片、传感器技术、人体工程学设计、高可靠性传感器设计等关键要素。此外，还详细介绍了ADI公司提供的全面解决方案，包括高集成度模数转换器（AFE）、运动传感器、低功耗微控制器（MCU）和电源管理解决方案，以及评估板、仿真工具和应用专业知识。
阅读原文 >>
StudentZone 2017年5月根植与脱钩：现在就学习基础知识，以后再省去很多悲伤！第3部分：脱钩（续）
本文深入探讨了去耦电容器的细节，包括其实际电路模型、寄生元件、自谐振频率等。文章介绍了不同类型去耦电容器的特点，如电解电容器、钽电容器和陶瓷电容器，并分析了它们在不同频率下的阻抗特性。此外，文章还讨论了去耦技术在高性能数据转换器中的应用，并通过实际案例展示了不当去耦技术对性能的影响。最后，文章总结了去耦的重要性，并建议读者参考制造商的评估板和参考资料以获取更多详细信息。
阅读原文 >>
