Material Composition Declaration T6 40V Nch LL in SO8FL
发布时间：
2018-08-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C460NLAFT3G
本物质声明文件详细介绍了T6 40V Nch LL SO8FL器件的材料构成与合规性信息。该资料明确列出了产品内部所含的关键材料及其具体含量，涵盖铜、硅、银、铅、锡等主要元素，并正式声明该产品完全符合欧盟RoHS指令的环保要求。此外，文件还提供了制造商的联系方式、详细的产品规格参数以及制造地点等关键信息，旨在为用户提供全面的产品物质透明度与合规性依据，满足电子制造行业对供应链材料管理的严格要求。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL：功率MOSFET 40V，78A，4.5欧姆，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/24/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL：功率MOSFET 40V，78A，4.5欧姆，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/23/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLAFT3G材料成分声明
2019-08-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLAFT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
5/21/2021
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
5/20/2021
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
2/27/2020
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLT1G材料成分声明
2019-08-31
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLT3G材料成分声明
2019-10-28
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLT3G材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明NVMFS5C460NLT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL功率MOSFET 40 V，4.5 mW，78 A，单N-沟道
Rev. 5
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NVMFS5C460NL 40 V、4.5 mΩ、78 A MOSFET–功率、单通道N沟道\n
Rev. 6
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、4.5 MΩ、78 a
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLT1G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460NL MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 7
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NVMFS5C460NL MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLWFT3G材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
NCV881930低静态电流410 kHz汽车同步降压控制器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCV881930低静态电流410 kHz汽车同步降压控制器
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLAFT1G材料成分声明
2019-08-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLWFAFT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLWFAFT3G
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLAFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLWFAFT3G材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C460N：功率MOSFET 40V，68A，5.3 mOhm，单N沟道
1/18/2018
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产品概述NVMFS5C460N：功率MOSFET 40V，68A，5.3 mOhm，单N沟道
1/16/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C460NLWFT1G材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460N MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、5.3 MΩ、71 a
Rev.1
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460N MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、5.3 MΩ、71 a
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLWFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C460NLWFT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C460N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C460N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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SO8FL中T6 40V N通道LL的材料成分声明
2018-01-20
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NVMFS5C460N产品预览功率MOSFET 40 V，5.3 mΩ，68 A，单N-沟道
Rev. P0
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NVMFS5C460NLWFAFT1G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460N MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 1
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世强AI
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应用/方案
NCV881930/NCV891930-混合电容技术滤波应用说明
本文介绍了混合技术陶瓷和铝聚合物（或固态铝电解质）电容器在输出滤波中的应用。针对高输出电流应用，文中提出了一种混合技术解决方案，以降低成本并减少PCB面积。文章详细讨论了NCV881930和NCV891930汽车同步降压控制器，并提供了推荐的电感值、电流检测电阻和输出滤波组件。此外，还提供了混合电容器技术的推荐值，并分析了不同电容器ESR值对输出电压瞬态响应的影响。
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NCV881930 100 W汽车预调节器，非隔离，同步降压，基于参考设计
本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和NVMFS5C460NL 40V N通道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器。该参考设计适用于多种应用，突出了NCV881930控制器的功能，包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整解决方案，并提供关键特性细节。
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100W汽车预调节器，非隔离，同步降压，基于NCV881930的参考设计
本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和四通道NVMFS5C460NL 40V N沟道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器的设计。该设计适用于多种汽车应用，并突出了NCV881930控制器的功能，包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整的解决方案，但同时也提供了访问NCV881930的关键功能。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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