Material Composition Declaration SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
发布时间：
2018-08-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FGA25S125P-SN00337
本资料为关于SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V产品的物质成分声明，详细阐述了该产品在RoHS指令下的限制物质含量及合规性情况。文件中不仅列出了产品各成分的化学物质名称、CAS编号、具体含量及单位，还提供了制造商的联系方式与详细产品信息。声明明确指出该产品符合RoHS指令要求，不含限制物质，并附带了相关的豁免信息，为用户在环保合规性审查方面提供了权威依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述FGA25S125P:1250V，25A，短阳极IGBT
12/19/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FGA25S125P-SN00337 SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
FGA25S125P:IGBT，1250V，25A，短路阳极产品概述
9/1/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FGA25S125P-SN00337材料成分声明
2019-09-01
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| 数据手册 - 英文 |
FGA25S125P 1250 V，25 A短路阳极IGBT
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FGA25S125P:1250V，25A，短路阳极IGBT
12/14/2017
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| 数据手册 - 英文 |
FGA25S125P 1250 V，25 A短路阳极IGBT
Rev. 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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| 数据手册 - 英文 |
ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PN2222（传统飞兆半导体）通用晶体管产品概述
8/10/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
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| 测试报告 - 英文 |
1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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| 测试报告 - 英文 |
NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
7WB3126MUTCG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
CM1216-06MR材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHCT04ADTR2材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCX541SJ材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMBT6520LT3G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC10H600FNR2G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NUP4004M5T1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC14020BFEL材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN1TXG-L701材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
SC431BVSNT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3ST-F085C IGBT，N通道点火，DPAK，17A，1.58V，300mJ EcoSPARK®I产品概述
:8/10/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BAWH56W，NSVBAWH56W双开关二极管，共阳极
Rev. 4
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SMDA24 ESD/浪涌保护器产品概述
8/10/2019
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| 数据手册 - 英文 |
STK534U362C-E智能电源模块（IPM），600 V，10 A产品概述
8/10/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BD435G、BD437G、BD439G和BD441G塑料中等功率硅NPN晶体管
Rev.17
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| 测试报告 - 英文 |
MC100EP33DTG材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
NCV303LSN09T1G材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
PACDN045-LF材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
HGTG30N60A4D材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
CS8190EDWF20G材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
1SMB5952BT3G材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
BC547ARLG材料成分声明
2019-09-14
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世强AI
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应用/方案
AN-4155 Fairchild’s Second-Generation,Field-Stop,Shorted-Anode, Trench IGBTs for Induction Heating Applications 数据手册
Fairchild半导体公司推出第二代场截止、短阳极、沟槽IGBT产品系列，适用于感应加热应用。该系列IGBT具有内置体二极管，适用于软开关应用，如感应炉和逆变微波炉。与传统的NPT沟槽IGBT相比，该技术提供更低的饱和电压和更低的尾电流，从而提高系统效率。该产品在单端谐振逆变器中的应用得到验证，表现出优异的性能。
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飞兆半导体的第二代，场停止，短路阳极，沟道IGBT感应加热应用
Fairchild半导体公司推出第二代场截止、短阳极、沟槽IGBT产品系列，适用于感应加热应用。该系列IGBT具有内置体二极管，适用于软开关应用，如感应炉和逆变微波炉。与传统的NPT沟槽IGBT相比，该技术提供更低的饱和电压和更低的尾电流，从而提高了系统效率和稳定性。
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AN-4155 Fairchild用于感应加热应用的第二代、场截止、短路阳极、沟槽式IGBT
Fairchild半导体公司推出第二代场截止、短阳极、沟槽IGBT产品系列，适用于感应加热应用。该系列IGBT具有内置体二极管，适用于软开关应用，如感应炉和逆变微波炉。与传统的NPT沟槽IGBT相比，该技术提供更低的饱和电压和更低的尾电流，从而提高系统效率和稳定性。
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FAM65V05DF1 ASPM 27系列组件组装指南应用说明
本文介绍了ASPM 27系列汽车级SPM模块的组装指南，包括热界面材料（TIM）的应用、散热器安装、焊接程序等。文章详细说明了两种组装方法，并提供了螺丝拧紧指南、焊接质量检查等内容。此外，还讨论了热性能、机械特性和电气隔离距离等关键参数。
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AN-9036飞兆半导体电源使用指南56
本文介绍了Fairchild Power56功率器件的安装指南，包括组件安装、板布局、通孔使用、焊接工艺、焊膏使用、焊接结束、铅终止、暴露的铜和焊料圆角等方面。文章强调了正确设计焊盘和电路板布局对于提高热性能的重要性，并提供了关于焊膏印刷、焊接过程和测试的建议。此外，还讨论了在原型和批量生产环境中使用Power56组件的技巧和注意事项。
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MT9J003I12STMUH-GEVB MT9J003评估板用户手册
本资料为ON Semiconductor MT9J003图像传感器评估板用户手册。手册详细介绍了评估板的功能、特性、电路图、跳线位置、接口连接等。评估板旨在展示MT9J003图像传感器的特性，可直接连接到Demo 2X系统。板载测试点和跳线提供对时钟、I/O和其他信号的访问。主要特性包括时钟输入、两线串行接口、并行接口和符合ROHS标准。
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