HMC-AUH318 GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 71 - 76 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC-AUH318
本数据手册详细介绍了HMC-AUH318器件，这是一款工作在71至76 GHz频段的GaAs HEMT MMIC中功率放大器。该器件专为短距离及高容量链路、测试测量设备以及E波段通信系统而设计，能够提供24 dB的增益和+17.5 dBm的输出功率（P1dB），饱和输出功率可达20 dBm。HMC-AUH318具有50欧姆匹配的输入/输出阻抗，输入回波损耗为7 dB，输出回波损耗为4 dB，在+4V供电电压下工作电流为160 mA。其采用紧凑的封装设计，尺寸仅为2.65 x 1.60 x 0.05 mm，非常适合对空间要求严苛的高频应用场景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
ANALOG DEVICES HMC920LP5E有源偏置控制器
v07.1013
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC920LP5E有源偏置控制器
v07
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ANALOG DEVICES HMC981有源偏置控制器
v00.0611
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ANALOG DEVICES HMC981LP3E有源偏置控制器
v 01.0411
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC-APH596砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，16-33 GHz
v02.0208
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC-APH510砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，37-40 GHz
v03.0709
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC-APH196砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17-30 GHz
v02.0209
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，81-86千兆赫
v04.0511
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，81-86千兆赫
v01.0713
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，37-45千兆赫
v03.0209
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，71-86千兆赫
v04.0412
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，55-65千兆赫
v03.0714
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，71-76ghz
v03.0209
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Gaas高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，50-66ghz
v03.0412
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，17.5-24.0千兆赫
v01.0807
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，21-32千兆赫
v03.0908
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，17.5-25.5千兆赫
v03.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，34-42千兆赫
v01.0209
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，12-30千兆赫
v05.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，12-30千兆赫
v02.0907
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6-18ghz
v08.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6-18ghz
v09.0917
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓，菲氏电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，中功率放大器，24千兆赫至35千兆赫
Rev.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6.5-13.5ghz
v07.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC451 GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-20 GHz
v04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC451LP3/451LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-18 GHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC451LP3/451LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-18 GHz
v01.0118
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC451LC3砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20千兆赫
v07.0118
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC442LC3B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17.5-25.5 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-18ghz
v00.0808
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC442LM1 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17.5-24.0 GHz
v01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20ghz
v06.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20ghz
v03.0913
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，34-46.5ghz
v00.1111
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC1082LP4E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5.5-18千兆赫
v06.0920
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC1082LP4E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5.5-18千兆赫
v05.1018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC441LC3B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，6-18 GHz
v08
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC952ALP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路带功率检波器的2瓦功率放大器8-14 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，5.5-8.5千兆赫
v00.0813
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓PHigh电子迁移率晶体管中功率放大器，17-24千兆赫
v04.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC498LC4砷化镓辉光电子迁移率晶体管中功率放大器，17-24千兆赫
v05.0418
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs pHEMT电子迁移率晶体管中功率放大器，9.5-11.5ghz
v04.0617
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC608LC4砷化镓辉光电子迁移率晶体管中功率放大器，9.5-11.5千兆赫
v04.0617
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC499LC4 SMT高电子迁移率晶体管中等功率放大器21-32 GHz
v06
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC7357LP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2 w功率放大器，5.5-8.5 GHz
v01
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
ADI系统级解决方案：加速工业4.0智能制造的发展
本文介绍了ADI公司提供的系统级解决方案，旨在加速工业4.0智能制造的发展。文章重点阐述了可配置的运动和机器人平台、网络接口解决方案、状态监控（CbM）平台等关键技术和产品，以及它们如何满足工业4.0智能工厂的特点，如可配置性、实时监控、多协议连接等。此外，文章还介绍了ADI提供的评估工具和设计资源，以帮助客户快速将解决方案推向市场。
阅读原文 >>
实时电表健康监控及基于数据驱动的智能化决策
全球电力公司正在投资高级计量基础设施(AMI)以降低抄表成本，提供定制计费选项，并拓展新服务。然而，电表资产的部署生命周期管理仍依赖现场检查。实时电表健康监控技术，如*m*Sure，可提供电表健康数据，帮助电力公司识别不合规电表、精度漂移的电表和故障电表，以及更准确地检测窃电事件。这些技术有助于降低成本、减少窃电并改善运营。
阅读原文 >>
智能可穿戴医疗设备解决方案
本文介绍了智能可穿戴医疗设备解决方案，包括其定义、典型架构、设计考虑因素和主要挑战。文章重点介绍了低功耗芯片、传感器技术、人体工程学设计、高可靠性传感器设计等关键要素。此外，还详细介绍了ADI公司提供的全面解决方案，包括高集成度模数转换器（AFE）、运动传感器、低功耗微控制器（MCU）和电源管理解决方案，以及评估板、仿真工具和应用专业知识。
阅读原文 >>
iSensor®ADIS1633x演示提示使用iSensor®IMU6DOF传感器集成的简单解决方案IMU DOF评估软件，界面选择
本文档提供了使用ADIS1633x系列IMU（惯性测量单元）的演示指南。内容包括ADIS16334BMLZ模块的安装、与ADISUSBZ的连接、IMU_6DOF评估软件的配置和使用，以及如何通过软件读取和写入寄存器。此外，还介绍了数据记录功能的使用方法。
阅读原文 >>
StudentZone 2017年5月根植与脱钩：现在就学习基础知识，以后再省去很多悲伤！第3部分：脱钩（续）
本文深入探讨了去耦电容器的细节，包括其实际电路模型、寄生元件、自谐振频率等。文章介绍了不同类型去耦电容器的特点，如电解电容器、钽电容器和陶瓷电容器，并分析了它们在不同频率下的阻抗特性。此外，文章还讨论了去耦技术在高性能数据转换器中的应用，并通过实际案例展示了不当去耦技术对性能的影响。最后，文章总结了去耦的重要性，并建议读者参考制造商的评估板和参考资料以获取更多详细信息。
阅读原文 >>
