HMC-APH596 GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 16 - 33 GHz
发布时间：
2018-08-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC-APH596
本数据手册详细介绍了HMC-APH596 GaAs HEMT MMIC中功率放大器的技术规格与应用特性。该器件是一款覆盖16至33GHz频段的单片微波集成电路，专为点对点及点对多点无线电、VSAT终端以及军事和太空通信系统设计。其核心性能指标包括提供17dB的增益、+24dBm的1dB压缩输出功率（P1dB）以及+33dBm的三阶互调截点点（IP3）。此外，该放大器具备优异的输入输出回波损耗，支持+5V供电电压，并集成了50欧姆匹配输入输出接口，封装尺寸仅为2.55 x 1.87 x 0.1 mm，支持常规芯片贴装工艺，便于集成。针对文中所述器件，Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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ANALOG DEVICES HMC920LP5E有源偏置控制器
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ANALOG DEVICES HMC980有源偏置控制器高电流
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HMC980LP4E有源偏置控制器高电流
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HMC-APH196砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17-30 GHz
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，81-86千兆赫
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HMC-AUH318砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，71-76 GHz
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，17.5-24.0千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，21-32千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，12-30千兆赫
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砷化镓，菲氏电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，中功率放大器，24千兆赫至35千兆赫
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6-18ghz
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HMC451 GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-20 GHz
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HMC451LC3砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20千兆赫
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HMC451LP3/451LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-18 GHz
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HMC442LM1 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17.5-24.0 GHz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20ghz
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HMC442LC3B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17.5-25.5 GHz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，34-46.5ghz
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HMC1082LP4E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5.5-18千兆赫
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HMC1082LP4E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5.5-18千兆赫
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HMC441LC3B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，6-18 GHz
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HMC952ALP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路带功率检波器的2瓦功率放大器8-14 GHz
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，5.5-8.5千兆赫
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砷化镓PHigh电子迁移率晶体管中功率放大器，17-24千兆赫
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HMC498LC4砷化镓辉光电子迁移率晶体管中功率放大器，17-24千兆赫
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HMC608LC4砷化镓辉光电子迁移率晶体管中功率放大器，9.5-11.5千兆赫
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HMC499LC4 SMT高电子迁移率晶体管中等功率放大器21-32 GHz
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HMC7357LP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2 w功率放大器，5.5-8.5 GHz
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电子迁移率晶体管SMT介质功率放大器21-32千兆赫
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35ghz～70ghz，GaAs，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，中功率放大器
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世强AI
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