低温升、高转换效率的电源方案是如何炼成的？
发布时间：
2019-06-27
类型：
新应用，创新应用、新兴应用场景、应用案例
品牌：
WOLFSPEED（沃尔夫速度）
型号：
C2M1000170D; C2M1000170; C2M1000170J; SiC MOSFET
针对电源应用中发热严重、转换效率低及系统成本高的问题，采用Wolfspeed SiC MOSFET C2M1000170D的解决方案展现出显著优势。该方案在变压器初级端仅需一颗器件即可替代传统双MOSFET设计，有效降低成本的同时，实现了高达93%的转换效率，并将MOSFET区域温度控制在48℃。凭借高可靠性与低温升特性，该产品正逐步取代传统硅基器件，广泛应用于逻辑电路、显示设备及风扇控制等高压场景。Wolfspeed在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，平台提供正品保障，型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。依托专职FAE团队提供的选型、设计、调试及验证技术支持，以及覆盖研发打样到量产的全生命周期服务，该平台能够有效缩短供应链响应周期，加速产品上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
C2M1000170D碳化硅功率MOSFET C2MTM MOSFET技术
Rev. E
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表注1 C2M1000170D
Rev - 04-2015
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| 数据手册 - 英文 |
C2M1000170D Silicon Carbide Power MOSFETC 2MTM MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement
Rev. E
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| 测试报告 - 英文 |
REACh可报告物质申报MOSFET-TO-263-7->C2M1000170J、C3M0065090J、C3M0120090J、C3M0280090J
Revision: RE3107072017
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| 数据手册 - 英文 |
C2M1000170J碳化硅功率MOSFET C2MTM MOSFET技术
Rev. B
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| 测试报告 - 英文 |
RoHS符合性声明RS3107022016
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
宽输入电压范围（300 Vdc-1200 Vdc）15 W反激辅助电源板
2018/06/20
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| 测试报告 - 英文 |
RoHS符合性声明MOSFET-TO-263-7->C2M1000170J、C3M0065090J、C3M0075120J、C3M0120090J、C3M0280090J
5/7/2018
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| 测试报告 - 英文 |
RoHS符合性声明MOSFET-TO-263-7->C2M1000170J、C3M0065090J、C3M0075120J、C3M0120090J、C3M0280090J
5/7/2018
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技术论坛
和封装为TO247的C2M1000170D相比，碳化硅MOSFET C2M1000170J的优势是什么?
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现在要做一款开关电源，由于电压较高，选择C2M1000170D，希望能并联使用，C2M1000170D这种碳化硅MOS适合并联吗？
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碳化硅MOS管1700V的背面可以直接与散热片涂导热硅脂用金属螺丝固定吗？我们一块板子在做环境高湿试验时管子炸裂。不知原因是什么？
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如果50w开关电源上开关管选用Wolfspeed的C2M1000170J SIC MOSFET，请问对散热器有何要求？
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应用/方案
【经验】SiC MOSFET双脉冲测试夹具为功率器件开关、功率等特性提供评估方案
在特制的双脉冲测试夹具上，通过采集SiC MOSFET开通过程、关断过程的驱动电压、开关电压和电流波形，可以有效的评估SiC MOSFE的开通、关闭时间，器件应力，功率回路杂散电感等参量，以及根据测试数据计算导通电阻、开关损耗等，本文介绍Wolfspeed公司推荐的双脉冲测试夹具的原理、设计、使用要点。
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【应用】效率达到98.7%的低成本12KW组串式光伏逆变器
本方案源于知名企业的光伏逆变器成功案例，选取高性价比、库存充足、供货稳定的升压电路和逆变电路的功率模块，以及对应的驱动产品，可以保证12kW组串式光伏逆变器的整体功率转换效率达到98.7%。
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【方案】高效率12kW组串式光伏逆变器优选元器件方案
本方案通过采用Vincotech的升压和逆变功率模块、Silicon Labs的电容隔离驱动器件及相关的产品，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高，同时能够提高系统稳定性和可靠性。
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【方案】100kVA高效率APF优选元器件方案
本方案针对业内广泛使用的100kVA容量APF，主功率电路采用了I型三电平拓扑，提高了整机的开关频率（最高40kHz），功率器件采用Vincotech高集成度NPC IGBT模块以及Power Integrations高可靠性SCALE-iDriver驱动，辅助电源采用Littelfuse高耐压1700V的SiC MOS管，控制电路采用进芯电子高性能DSP。
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【方案】高效率10kw三相光伏逆变器优选元器件方案
本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。
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除了干掉双管反激电源，SiCMOSFET还能为辅助电源带来啥
双管反激电源降低了对MOSFET耐压的要求，但同时增加了功率管的数量和控制的复杂程度，使整个电源的损耗增大、效率降低。对此，CREE最新推出了最高耐压1700V、封装为TO-247的SiC MOSFET，应用在反激开关电源中只需单路开关控制。
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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。
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【产品】基于1700V碳化硅MOSFET C2M1000170J设计的15W反激式辅助电源板CRD15DD17P
本文将介绍Wolfspeed的15W反激式辅助电源板CRD15DD17P，该电源板是基于Wolfspeed的1700V碳化硅（SiC）MOSFET C2M1000170J设计的。该电源板能接受480VAC～530VAC或300VDC～1200VDC的输入电压，并提供12VDC的输出电压，适用于大功率、高压应用的小功率子系统的辅助电源。
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1200V高耐压SiC MOSFET，导通电阻仅280mΩ
C2M0280120D是一款1200V SiC MOSFET，导通电阻仅为280mΩ，开关损耗大幅降低，且拥有高温工作特性，结壳热阻为1.8℃/W，无需额外添加散热器。
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【经验】利用高速SIC MOSFET C2M1000170D实现高倍压电压脉冲
在超声波医疗仪器应用中，经常需要高电压窄脉冲电源，有时需要几千伏的电压，通常会采用倍压电路的方法得到高压，普通器件由于开关速率不高，很难产生窄脉冲，脉冲电压的上升沿和下降沿也不符合要求，本文推荐利用高速WOLFSPEED的高速SIC MOSFET C2M1000170D实现高倍压脉冲电源。
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重新定义分立式功率MOSFET格局，业界首款900V SiC
Cree的SiC MOSFET C3M0065090J额定工作电压/电流分别为900V/32A；在25°C条件下，可以实现最低至65 mΩ的额定导通电阻。
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【技术】Wolfspeed 采用独立Kelvin驱动源极引脚封装，降低SiC MOSFET 开关损耗3.5倍
Wolfspeed 开发了两种分立SiC MOSFET 封装TO-247-4L和TO-263-7，采用独立Kelvin驱动源极引脚。，应用于SiC MOSFET，突破了传统封装对di/dt的限制，能够发挥出SiC MOSFET开关速度快和开关损耗低的特点。
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Wolfspeed（cree）CRD15DD17P（CPWR-AN22）应用指南
本文介绍了Cree公司生产的CRD15DD17P宽电压输入范围（300VDC-1200VDC）15W反激式辅助电源板。该板基于Cree的C2M1000170J硅碳化物（SiC）MOSFET，适用于高功率和高电压应用，如太阳能逆变器、储能系统和牵引应用。该板可接受480VAC-530VAC或300VDC-1200VDC输入，输出12VDC。文章详细介绍了设计规格、电气操作、性能数据、PCB布局和物料清单。
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【产品】1700V SiC MOSFETC2M1000170J，辅助电源电路显著系统成本节约方案首选
Wolfspeed继续其在碳化硅（SiC）功率器件技术的创新，打包推出了业内首个 1700V SiC MOSFET C2M1000170J，该产品提高优化表面贴装组合，以用于高压逆变电源系统辅助电源的商业使用。
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【产品】SiC MOSFET——高速低功耗应用的理想选择
Wolfspeed公司推出的MOSFET产品建立在久经验证的可靠的SiC技术平台之上。SiC MOSFET取代了更高阻断电压（＞1700V）的硅器件，所有MOSFETs具有耐闩锁的特点，雪崩额定值＞1800V，开关损耗和导通损耗更低。可应用于可再生能源，电动汽车电池充电器，高电压DC / DC转换器，开关模式电源等场景。
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SiC mosfet
Wolfspeed SiC MOSFETs在提高电力电子逆变器系统的功率密度方面具有显著优势。这些器件具有高速切换、低导通电阻和低开关损耗，相比硅基IGBT和超级结MOSFET，能实现更高的效率和功率密度。Wolfspeed的SiC MOSFET产品基于可靠的技术平台，具有高可靠性，适用于各种应用，包括电池充电器等。资料还提供了SiC MOSFET与IGBT的对比，以及不同型号的SiC MOSFET的详细参数。
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【产品】耐压达900V SiC MOSFET，可抑制雪崩击穿
CPM3-0900-0065B/CPM3-0900-0010A最大额定电流分别为38A/196A，工作温度范围为-55~175℃。
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【产品】1000V碳化硅MOSFET，可再生能源市场的福音！
C3M0120100K是一款1000V、25A的SiC MOSFET，采用先进的C3M SiC MOSFET技术，开关速度快，导通电阻仅120mΩ，损耗低。
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【产品】1000V SiC MOSFET，输出功率提高33％
Cree 旗下的 Wolfspeed公司推出了一款1000V MOSFET，可以降低整体系统成本，同时提高系统效率和减小系统尺寸。
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超高频感应加热？你也可以拥有
在感应加热相较于传统加热装备有明显优势的同时，也对功率器件产生了更高的要求。SiC相较于传统SI有着高热导率，低开关损耗等特点，是感应加热器件的良好选择。
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在线SiC功率器件仿真软件，让您数秒选对系统器件
Wolfspeed推出的免费在线仿真工具——SpeedFit可以为电力电子工程师提供采用SiC功率器件的电路进行仿真与性能评估，仅需几秒就可生成报告，帮助工程师选择适合应用的最佳SiC功率器件。
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专为SiC MOSFET设计的驱动模块，使器件工作在最佳状态
CGD15HB62P1专为1200V SiC MOSFET器件而设计的双路SiC MOSFET门极驱动模块，用于SiC MOSFET分立器件和模块的驱动，能使器件工作在最佳状态。
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开关损耗仅12mJ的SiC MOSFET半桥模块
Cree公司推出了低导通电阻的SiC N沟道增强型MOSFET半桥模块CAS300M12BM2，其导通阻抗仅为5mΩ，开关损耗在负载电流为300A的条件下，仅为12mJ。
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