长晶科技官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是长晶科技的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供长晶科技的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的的分立器件研发企业：长晶科技（JSCJ）
长晶科技（JSCJ）是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商，其前身为长电科技（全球知名的集成电路封装测试企业）分立器件部门。长晶科技（JSCJ）主营产品包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等，拥有15000多个产品系列和型号，广泛应用于各消费类、工业类电子领域。
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现货平台 / 长晶科技 授权代理店
| 订货型号 | CJAC50SN03_PDFNWB5×6-8L |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC50SN03 |
| 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：SGT，V(BR)DSS(V)：30 |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5×6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| TYPE | N |
| Process | SGT |
| V(BR)DSS(V) | 30 |
| VGS（±V） | 20 |
| ID(A) | 50 |
| RDS(on) @10V TYP(mΩ) | 3.8 |
| RDS(on) @10V MAX(mΩ) | 4.95 |
| RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | 5.5 |
| RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 7.2 |
| VGS(th) MAX(V) | 2.5 |
| Ciss PF | 1220 |
| Coss PF | 1065 |
| Crss PF | 58 |
| Qg nC | 24 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CJAC50P03S_PDFNWB5×6-8L |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC50P03S |
| 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：-30 |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5×6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| TYPE | P |
| Process | Trench |
| V(BR)DSS(V) | -30 |
| VGS（±V） | 20 |
| ID(A) | -50 |
| RDS(on) @10V TYP(mΩ) | 6.5 |
| RDS(on) @10V MAX(mΩ) | 8.2 |
| RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | 8.4 |
| RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | 12 |
| VGS(th) MAX(V) | -2.5 |
| Ciss PF | 3259 |
| Coss PF | 404 |
| Crss PF | 282 |
| Qg nC | 30 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CJAC50P03_PDFNWB5×6-8L |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC50P03 |
| 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：-30 |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5×6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | 卷筒 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| TYPE | P |
| Process | Trench |
| V(BR)DSS(V) | -30 |
| VGS（±V） | 20 |
| ID(A) | -50 |
| RDS(on) @10V TYP(mΩ) | 4.4 |
| RDS(on) @10V MAX(mΩ) | 7 |
| RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | - |
| VGS(th) MAX(V) | -2.5 |
| Ciss PF | 3590 |
| Coss PF | 695 |
| Crss PF | 665 |
| Qg nC | 84 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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库存：
0
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| 订货型号 | CJAC50P03_PDFNWB5*6-8L |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC50P03 |
| 品类 | P-Channel Power MOSFETS |
| 描述/说明 | P-Channel Power MOSFETS,V(BR)DSS-30V ID-50A |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| V(BR)DSS | -30V |
| VGS | ±20V |
| VGS(th) | -1V～-2.5V |
| ID | -50A |
| Ciss | 3590pF |
| Coss | 695pF |
| Crss | 665pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2404
库存：
0
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| 订货型号 | CJAC50N06 |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC, CJAC50 |
| 品类 | 分离MOS |
| 描述/说明 | 分离MOS,V(BR)DSS60V VGS±25V ID50A VGS(th)Max2~4V Ciss3290PF Coss335PF Crss245PF Qg90nC |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 零件报废(OBS) |
| 停产时间 | |
| TYPE | N |
| V(BR)DSS(V) | 60 |
| VGS（V） | ±25 |
| ID(A) | 50 |
| RDS(on)@10VTYP(mΩ) | 6.2 |
| RDS(on)@10VMAX(mΩ) | 8 |
| RDS(on)@4.5VTYP(mΩ) | - |
| RDS(on)@4.5VMAX(mΩ) | - |
| VGS(th)Max(V) | 2～4 |
| Ciss PF | 3290 |
| Coss PF | 335 |
| Crss PF | 245 |
| Qg nC | 90 |
| Chip | Trench |
| ESD | NO |
授权代理商：
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商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CJAC50P03 |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAC50P03 |
| 品类 | 分离MOS |
| 描述/说明 | 分离MOS,V(BR)DSS-30V VGS±20V ID-50A VGS(th)Max -1V~-2.5V Ciss3590PF Coss695PF Crss665PF Qg84nC |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 零件报废(OBS) |
| 停产时间 | |
| V(BR)DSS | -30V |
| VGS | ±20V |
| ID | -50A |
| Ciss | 3590pF |
| Coss | 695pF |
| Crss | 665pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2404
库存：
0
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世强硬创平台整合长晶科技原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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资料平台
| 测试报告 - 英文 |
M-F00118 CJAC1R3SN04A 平均失效时间报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
40V 表面贴装/MOSFET CJACR95SN04AL PDFNWB5x6-8L
M-M00073
|
下载 |
| 测试报告 - 中文 |
40V 表面贴装/MOSFET CJACR95SN04AL PDFNWB5x6-8L
M-R00073
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-M00118 CJAC1R3SN04A MOSFET MSL报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MOS-E260418 CJAC1R3SN04A ESD报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-M00119 CJAC2R5SN04A MSL报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00118 CJAC1R3SN04A MOSFET 可靠性报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
报告编号：M-F00464
2026/02/02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CJAC50P03S PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-F00119 CJAC2R5SN04A 平均失效时间报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00044
1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00044
May-25
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MOS-E260422 CJAC2R5SN04A ESD报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00119 CJAC2R5SN04A MOSFET 可靠性报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
部件编号：CJAC2R0SN06AL
2026/01/15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MOS-E260413 CJAC2R8SN04MZ ESD报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 中文 |
M-R00459
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00459
March-25
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
CJAC50P03可靠性测试报告
2026/02/02
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-F00112 CJAC2R8SN04MZ 平均故障时间报告
Rev. - 1.0
|
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| 测试报告 - 英文 |
30V 表面贴装/MOSFET CJAC50P03 PDFNWB5x6-8L
M-M00459
|
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| 技术文档 - 英文 |
1. 产品信息
2026/02/16
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00112 CJAC2R8SN04MZ 可靠性报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00464
March-25
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
30V 表面贴装/MOSFET CJAC50P03S PDFNWB5x6-8L
M-M00464
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-M00112 CJAC2R8SN04MZ MSL报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 技术文档 - 中文 |
产品信息
2026/01/15
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/01/15
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CJAC50SN03 PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-M00108 CJAC2R5SN085AH MSL报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-F00108 CJAC2R5SN085AH 平均故障时间报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
M-R00108 CJAC2R5SN085AH 可靠性报告
Rev. - 1.0
|
下载 |
技术论坛
确认长晶科技的二极管G-前缀的和没有的有什么区别，如果两者有区别需要确认以下型号带G和不带G的区别
G-RB521G-30、G-CJ431E-N3A-ARG、G-RB551V-30、G-SS34、G-2N7002K、G-2N7002KDW、G-CJAC50P03S、G-BZT52C3V3S、G-RB550V-30、G-2N7002T、G-CESD3V3D5、G-ESDSU5V0A1、G-ESDTU5V0AG4B、G-ESDUEG5V0T4、G-ESDBKV15VD3、G-CESD5V0D5、G-MMBT3904T、G-CD431E-N3B-ARG、G-BAS70WS、G-MMBT3904、G-SK104、G-BZT52C18、G-CJ432-1.24V、G-DSS14、G-B5819WS、G-CESD3V3D3、G-ESDBKV12VD3、G-DSS36、G-ESDBW712C2
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有没有替代AONS62922的国产替换方案？
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请问有可以ptp替换华羿微HYG120P06LR1C2这颗料的器件吗？
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锂电保护板上寻一款外置dual NMOS，DFN5x6，VDS耐压60V，ID电流20A，最大导通电阻小于30mΩ，求推荐。
查看官方回答 >>
AC-DC电源须推荐一功率MOS，性能可参考bsc034n03lsg，国产优先。
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做开关电源，输出12V，需要一颗图表英飞凌MOS BSC034N03LSG帮忙推荐p2p兼容，请问是否有合适的替代呢？
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新项目滑板车上需要一颗MOS ,之前使用的是NTMFS5C612NL，请问有没有国产的替代物料
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寻一款功率MOS，替代新洁能NCEP065N12AGU ，120V，90A，5x6，用于吸顶灯上，求推荐。
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电子烟产品上，采用MOSFET全桥升降压电路需选一颗30V，40A的N沟道power MOSFET，要求导通阻抗小于10mΩ，封装越小越好，是否有合适推荐？
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快速充电器项目上寻一款NMOS，耐压60V，漏电流至少100A，5*6封装，求推荐。
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控制板上需求一款MOS管，之前用的是FDMS2572 ，请推荐合适的国产型号
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世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答，帮助您快速完成研发及采购。
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET：CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL
长晶科技推出SGT Gen2.0工艺30V MOSFET，Fom值降低50%，Rsp值降低41.6%，系统损耗和温升显著改善，性能达国际一线厂商水平。
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江苏长晶科技产品介绍-----MOSFET
江苏长晶科技（JSCJ）是一家专注于MOSFET研发、生产和销售的企业。公司拥有超过15年的晶圆设计经验，与国际一流封测基地合作，具备高品质和高可靠性的产品。JSCJ产品涵盖低压、中压和高压MOSFET，应用于电源、家电、电动工具、无人机等多个领域。公司拥有滁州、宿迁两大生产基地，具备世界顶级的封装测试能力。
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【视频】长晶科技采用先进Cu-Clip封装脉冲漏极峰值电流可达300A的SGT工艺MOSFET
长晶科技推出采用Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET，具有高浪涌过流能力、快速开关切换能力，适用于船用BMS、户外电源和电机市场。公司拥有多个产品系列，广泛应用于消费类及工业类电子领域。
阅读原文 >>
【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲
长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。
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【应用】长晶科技推出低结电容MOS用于PC主板供电系统，内阻2~7mΩ，满足多种上下桥组合
PC分为台式PC和笔记本，PC主板的性能决定了PC的高度，而PC电源供电系统直接影响PC主板的工作。长晶科技针对PC主板供电系统中的上下桥，开发出低结电容（Ciss），低内阻（2mΩ~7mΩ）MOS，优秀的开关频率特性，可满足多种上下桥组合，散热性，稳定性大大提高，满足PC主板高负载的工作。
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长晶科技采用先进Cu-Clip封装脉冲漏极峰值电流可达300A的SGT工艺MOSFET
长晶科技推出采用Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET，脉冲漏极峰值电流可达300A，适用于BMS、户外电源和电机市场。产品具有高浪涌过流能力、低RDS(on)和优异的动态特性，满足工业应用需求。
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MOSFET 产品介绍
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