- 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)
- 优异的封装设计，良好的散热性能
- 完全表征雪崩电压和电流能力
- 特殊工艺技术，提高ESD抗扰度
- 高稳定性和均匀性，高EAS
- 低门极电荷
- 电池和负载切换
产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | Configuration | TYPE | Process | V(BR)DSS(V) | VGS（±V） | ID(A) | RDS(on) @10V TYP(mΩ) | RDS(on) @10V MAX(mΩ) | RDS(on) @4.5V TYP(mΩ) | RDS(on) @4.5V MAX(mΩ) | VGS(th) MAX(V) | Ciss PF | Coss PF | Crss PF | Qg nC | V(BR)DSS | VGS | VGS(th) | ID | Ciss | Coss | Crss | VGS（V） | RDS(on)@10VTYP(mΩ) | RDS(on)@10VMAX(mΩ) | RDS(on)@4.5VTYP(mΩ) | RDS(on)@4.5VMAX(mΩ) | VGS(th)Max(V) | Chip | ESD |
|
CJAC50SN03
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：SGT，V(BR)DSS(V)：30
|
PDFNWB5×6-8L
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
Single
|
N
|
SGT
|
30
|
20
|
50
|
3.8
|
4.95
|
5.5
|
7.2
|
2.5
|
1220
|
1065
|
58
|
24
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
|
CJAC50P03S
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：-30
|
PDFNWB5×6-8L
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
Single
|
P
|
Trench
|
-30
|
20
|
-50
|
6.5
|
8.2
|
8.4
|
12
|
-2.5
|
3259
|
404
|
282
|
30
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
|
CJAC50P03
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS，Configuration：Single，Process：Trench，V(BR)DSS(V)：-30
|
PDFNWB5×6-8L
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
Single
|
P
|
Trench
|
-30
|
20
|
-50
|
4.4
|
7
|
-
|
-
|
-2.5
|
3590
|
695
|
665
|
84
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
|
CJAC50P03
|
P-Channel Power MOSFETS
|
P-Channel Power MOSFETS,V(BR)DSS-30V ID-50A
|
PDFNWB5*6-8L
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-30V
|
±20V
|
-1V～-2.5V
|
-50A
|
3590pF
|
695pF
|
665pF
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
|
CJAC;CJAC50
|
分离MOS
|
分离MOS,V(BR)DSS60V VGS±25V ID50A VGS(th)Max2~4V Ciss3290PF Coss335PF Crss245PF Qg90nC
|
PDFNWB5*6-8L
|
零件报废(OBS)
|
-
|
-
|
N
|
-
|
60
|
-
|
50
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3290
|
335
|
245
|
90
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
±25
|
6.2
|
8
|
-
|
-
|
2～4
|
Trench
|
NO
|
|
|
CJAC50P03
|
分离MOS
|
分离MOS,V(BR)DSS-30V VGS±20V ID-50A VGS(th)Max -1V~-2.5V Ciss3590PF Coss695PF Crss665PF Qg84nC
|
PDFNWB5*6-8L
|
零件报废(OBS)
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-30V
|
±20V
|
-
|
-50A
|
3590pF
|
695pF
|
665pF
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
资料下载
技术论坛
我要提问相关推荐
确认长晶科技的二极管G-前缀的和没有的有什么区别，如果两者有区别需要确认以下型号带G和不带G的区别 G-RB521G-30、G-CJ431E-N3A-ARG、G-RB551V-30、G-SS34、G-2N7002K、G-2N7002KDW、G-CJAC50P03S、G-BZT52C3V3S、G-RB550V-30、G-2N7002T、G-CESD3V3D5、G-ESDSU5V0A1、G-ESDTU5V0AG4B、G-ESDUEG5V0T4、G-ESDBKV15VD3、G-CESD5V0D5、G-MMBT3904T、G-CD431E-N3B-ARG、G-BAS70WS、G-MMBT3904、G-SK104、G-BZT52C18、G-CJ432-1.24V、G-DSS14、G-B5819WS、G-CESD3V3D3、G-ESDBKV12VD3、G-DSS36、G-ESDBW712C2
2026-04-09 - 技术问答 带G的前缀的型号来源是哪里，平台的型号都是没有带G的。
长晶科技MOSFET选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管） 选型，含 414 款型号，涵盖 N 沟道（309 款）、P 沟道（106 款），采用 Trench 工艺，支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V，漏极电流 - 100.0~350.0A，4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ，栅源电压 6.0~30.0V，阈值电压 - 4.0~4.0V，栅极电压0.65~750.0nC，适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装（如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23），适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
TYPE
|
Process
|
V(BR)DSS(V)
|
VGS（±V）
|
ID(A)
|
RDS(on) @4.5V TYP(mΩ)
|
RDS(on) @4.5V MAX(mΩ)
|
VGS(th)MAX(V)
|
Qg nC
|
PACKAGING TYPE
|
ESD
|
|
CJ4404SP_CSPB1111-4
|
MOSFET
|
Dual
|
N
|
Trench
|
12
|
12
|
8
|
22
|
27
|
1.3
|
8.6
|
CSPB1111-4
|
ESD
|
长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET：CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL
2025-12-10 - 产品 长晶科技推出SGT Gen2.0工艺30V MOSFET，Fom值降低50%，Rsp值降低41.6%，系统损耗和温升显著改善，性能达国际一线厂商水平。
40V 表面贴装/MOSFET CJACR95SN04AL PDFNWB5x6-8L
August-25 - 测试报告 本报告由江苏长景电子科技有限公司提供，针对CJACR95SN04AL型号的40V SMDs/MOSFET进行可靠性测试。测试项目包括预应力电气测试、C-san前测试、烘焙、浸泡、红外回流、C-san后测试和后应力电气测试。所有测试均通过，无分层现象。报告日期为2023年8月25日，JSCJ实验室保留对报告的最终解释权。
长晶科技 - MOSFET,CJACR95SN04AL,40V 表面贴装/MOSFET,40V SMDS/MOSFET
查看更多版本
有没有替代AONS62922的国产替换方案？
2022-11-07 - 技术问答 推荐长晶的CJAC90SN12_PDFNWB5*6-8L，详细参数见：https://www.sekorm.com/news/70998344.html
江苏长晶科技产品介绍-----MOSFET
1970/01/01 - 商品及供应商介绍 江苏长晶科技（JSCJ）是一家专注于MOSFET研发、生产和销售的企业。公司拥有超过15年的晶圆设计经验，与国际一流封测基地合作，具备高品质和高可靠性的产品。JSCJ产品涵盖低压、中压和高压MOSFET，应用于电源、家电、电动工具、无人机等多个领域。公司拥有滁州、宿迁两大生产基地，具备世界顶级的封装测试能力。
长晶科技 - MOSFET,电池充电器,无刷电机驱动MOS,电子开关,高压MOSFET,LV MOSFET,晶圆,MV MOSFET,SGT MOSFET,LDO稳压器,PLANAR MOSFET,电平转换小信号MOS,沟槽MOS管,HV MOSFET,TRENCH MOSFET,螺距金属氧化物半导体,数据接口保护TVS,通用二三极管MOS,平面MOSFET,低压MOSFET,系统供电LDO,LDO REGULATOR,PITCH MOS,中压MOSFET,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,MB10S,12N65,ABS210,CJU50SN10,CJAC40N03,HS-CJAC80N03,CJAB35P03,07N65,CJ431,LS-CJAB25N04,CJAC110N03,CJB130SN10,CJAC65SN15,MSB30M,CJAC90SN12,CJAC65SN10,CJB110SN10,CJAC13TH06,CJAB60N03,M4 SERIES,CJP110SN10,08N65,CJBM3020,SS8050,S2MF,CJAC110SN10,RS2MF,ABS10,CJAC150N03,CJU100N03,CJAC80N03,10N65,CJAC70N03,1N5819,CJBA3139K,HS-CJAC20N03,ESDBL5V0Y1,HS-CJAB25N04,1117,CJQ12SN06,LS-CJAC140SN04,CJU110N03,4148,CJP130SN10,CJAC140SN04,SCJ6225,CJAB20N07,CJ6300,CJAC200SN04,CJBA3134K,CJAC10TH10,CJAB55N03,M7 SERIES,SCJ6330,ESDBM12VA1,HS-CJAC140SN04,SS8550,CJ3401,CJU130SN04,CJ3400,DSR1M,CJAC75SN10,SCJ75XX,FFM107-M,1N4148,基站电源,无人机,大功率电源,电源与适配器,平衡车,电动工具,适配器电源,交换机,PC与平板,仪器仪表,电动车,LED驱动电源,安防设备,家电,无线充电,可穿戴设备,共享单车,汽车电子,蓝牙音箱
长晶科技Trench MOS新品选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技Trench MOS选型表。这份选型表主要展示了一系列Trench MOS（沟槽型MOSFET）的产品规格，特别聚焦于N沟道双路（Dual）配置的器件。该选型表系统地呈现了12V N沟道双路Trench MOSFET系列的关键参数，结合其ESD防护特性和小型化封装优势，为工程师在便携式设备、低压驱动模块等领域的选型提供了清晰的数据支持。
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
TYPE
|
Process
|
V(BR)DSS
|
VGS
|
ID
|
RDS(on) @10V
|
RDS(on) @4.5V
|
VGS(th)
|
Ciss
|
Coss
|
Crss
|
Qg
|
PACKAGING TYPE
|
ESD
|
|
CJ4404SP
|
Trench MOS
|
Dual
|
N
|
Trench
|
12
|
12
|
8
|
-
|
22
|
1.3
|
-
|
-
|
-
|
8.6
|
CSPB1111-4
|
YES
|
请问有可以ptp替换华羿微HYG120P06LR1C2这颗料的器件吗？
2022-12-27 - 技术问答 推荐长晶的CJAC70P06_PDFNWB5*6-8L， P-MOS管，耐压60V，电流70A，DFN5*6-8 封装，资料参考https://www.sekorm.com/product/360421.html
【视频】长晶科技采用先进Cu-Clip封装脉冲漏极峰值电流可达300A的SGT工艺MOSFET
1970/01/01 - 商品及供应商介绍 长晶科技推出采用Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET，具有高浪涌过流能力、快速开关切换能力，适用于船用BMS、户外电源和电机市场。公司拥有多个产品系列，广泛应用于消费类及工业类电子领域。
长晶科技 - MOSFET,CJAC100SN08U,CJAB35N03S,CJAB55N03S,CJAC80SN10,CJAC110SN10H,CJAC13TH06,CJAC110SN10L,CJAB75N03U,开关电源,无刷直流电动机,BMS市场,户外电源,BMS,电机市场,电动工具
长晶科技Trench MOS选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Process
|
ESD（Yes/No）
|
VDS（V）
|
ID（A）
|
RDS(mΩ)@VGS10V Max
|
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
|
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60V
|
0.2A
|
5000mΩ
|
6000mΩ
|
