长晶科技官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是长晶科技的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供长晶科技的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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国内领先的的分立器件研发企业:长晶科技(JSCJ)
长晶科技(JSCJ)是一家专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商,其前身为长电科技(全球知名的集成电路封装测试企业)分立器件部门。长晶科技(JSCJ)主营产品包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等,拥有15000多个产品系列和型号,广泛应用于各消费类、工业类电子领域。
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现货平台 / 长晶科技 授权代理店
| 订货型号 | CJAB40SN10_PDFNWB3.3×3.3-8L |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAB40SN10 |
| 品类 | Plastic-Encapsulate MOSFETS |
| 描述/说明 | The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB3.3×3.3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| V(BR)DSS | 100V |
| RDS(on)TYP | 8.5mΩ@10V、11mΩ@4.5V |
| ID | 40A |
| VGS | ±20 V |
| IDM | 160 A |
| EAS | 80 mJ |
| PD | 1.5 W |
| RθJA | 83.3 ℃/W |
| TL | 260 ℃ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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世强硬创平台提供CJAB40SN10_PDFNWB3.3×3.3-8L期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | CJAB40N03 |
| 品牌 | 长晶科技 |
| 型号系列 | CJAB, CJAB40 |
| 品类 | 分离MOS |
| 描述/说明 | 分离MOS,V(BR)DSS30V VGS±20V ID40A VGS(th)Max1~2.5V Ciss2000PF Coss228PF Crss155PF Qg50nC |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFNWB3.3*3.3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 零件报废(OBS) |
| 停产时间 | |
| TYPE | N |
| V(BR)DSS(V) | 30 |
| VGS(V) | ±20 |
| ID(A) | 40 |
| RDS(on)@10VTYP(mΩ) | 4.5 |
| RDS(on)@10VMAX(mΩ) | 6.5 |
| RDS(on)@4.5VTYP(mΩ) | 7.2 |
| RDS(on)@4.5VMAX(mΩ) | 10.5 |
| VGS(th)Max(V) | 1~2.5 |
| Ciss PF | 2000 |
| Coss PF | 228 |
| Crss PF | 155 |
| Qg nC | 50 |
| Chip | Trench |
| ESD | NO |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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CJAB40N03 交期查询 >>
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企业采购服务
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资料平台
| 技术文档 - 英文 |
M-F00431 CJAB25N03 平均故障时间报告
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00426
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
CJAB30SN10H
2026/01/15
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| 测试报告 - 英文 |
平均故障时间报告
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
平均故障时间报告
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
30V 表面贴装/MOSFET CJAB25P03A PDFNWB3.3x3.3-8L
February-25
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| 数据手册 - 英文 |
CJAB25SN06 PDFNWB3.3×3.3-8L塑封MOSFET
Rev. - 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00049
Rev. - 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
CJAB75N03U PDFNWB3.3×3.3-8L塑封MOSFET
Rev. - 1.4
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| 数据手册 - 英文 |
AD-CJAB3R2SN04AL塑封MOSFET
Version 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00436
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00038
April-25
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00447
Rev. - 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 中文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 中文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
产品信息
2026/02/16
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| 数据手册 - 英文 |
CJAB35SN03 PDFNWB3.3×3.3-8L塑封MOSFET
Rev. - 2.1
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| 测试报告 - 英文 |
CJAB013P04A SMD/MOSFET可靠性报告
Rev. - 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
CJAB35N03S PDFNWB3.3×3.3-8L塑封MOSFET
Rev. - 1.3
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00445
1.0
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| 测试报告 - 英文 |
M-R00445
February-25
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| 测试报告 - 英文 |
M-M00445
February-25
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| 数据手册 - 英文 |
CJAB25N03 PDFNWB3.3×3.3-8L塑封MOSFET
Rev. -2.0
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| 技术文档 - 英文 |
CJAB25N04S
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
1. 产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
1. 产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
1. 产品信息
M-M00077
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| 技术文档 - 中文 |
1. 产品信息
2026/01/15
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| 技术文档 - 英文 |
1. 产品信息
M-R00049
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| 测试报告 - 英文 |
40V 表面贴装/MOSFET CJAB25N04
M-M00429
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| 技术文档 - 中文 |
CJAB75N03U - 产品信息
2026/02/16
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| 技术文档 - 英文 |
材料分析数据表
2026/02/16
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| 测试报告 - 英文 |
材料分析数据表
2026/02/16
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技术论坛
洗地机上寻一款NMOS,40V,十几A,封装越小越好,有合适型号推荐吗?
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请推荐一款NMOS,40V 65A单通道,用于户外电源项目PDFNWB3.3*3.3-8L封装
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应用/方案
华为100W全能充多口充电器使用了长晶科技的VBUS开关管和扬杰科技的快恢复整流桥
充电头网通过拆解了解到,华为全能充多口充电器内部使用了长晶科技的VBUS开关管和扬杰科技的快恢复整流桥。
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拆解报告:联想thinkplus迷你65W氮化镓充电器,使用特锐祥贴片Y电容和长晶科技VBUS开关管
本文为联想thinkplus迷你65W氮化镓充电器拆解报告,揭示其内部结构与所用关键元器件,展示其高功率密度与紧凑设计的实现方式。
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【产品】-30V/-35A的P沟道功率MOSFET CJAB35P03,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
长晶科技推出一款采用PDFNWB3.3×3.3-8L封装的P沟道功率MOSFET——CJAB35P03,采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,广泛适用于多种应用。
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拆解报告:UE ELectronic富华电子65W 2C1A氮化镓充电器
富华电子推出65W 2C1A氮化镓充电器,支持UFCS、PD、PPS等多协议快充,采用杰华特JW1565J合封方案,搭配智融SW3561H与SW3536控制芯片,沃尔德整流桥、特锐祥Y电容、维安整流管、长晶科技开关管、特锐祥Y电容、东佳高压滤波电容,实现高效三口输出。产品体积小巧,支持可折叠及多国插脚更换,适用于笔记本、手机等设备快充需求。
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【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET,采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封,漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性,适用于多种应用,包括SMPS,硬开关和高频电路,不间断电源等领域。
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【视频】长晶科技采用先进Cu-Clip封装脉冲漏极峰值电流可达300A的SGT工艺MOSFET
长晶科技推出采用Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET,具有高浪涌过流能力、快速开关切换能力,适用于船用BMS、户外电源和电机市场。公司拥有多个产品系列,广泛应用于消费类及工业类电子领域。
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