- 低导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ@10V，11mΩ@4.5V
- 高密度单元设计
- 优异的热管理性能
- 完全表征的雪崩电压和电流
- 广泛的应用范围
- 电源管理系统（SMPS）
- 一般用途电路
- 不间断电源（UPS）
- 硬开关和高频电路
产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | V(BR)DSS | RDS(on)TYP | ID | VGS | IDM | EAS | PD | RθJA | TL | TYPE | V(BR)DSS(V) | VGS（V） | ID(A) | RDS(on)@10VTYP(mΩ) | RDS(on)@10VMAX(mΩ) | RDS(on)@4.5VTYP(mΩ) | RDS(on)@4.5VMAX(mΩ) | VGS(th)Max(V) | Ciss PF | Coss PF | Crss PF | Qg nC | Chip | ESD |
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CJAB40SN10
|
Plastic-Encapsulate MOSFETS
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The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
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PDFNWB3.3×3.3-8L
|
有效(ACTIVE)
|
-
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100V
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8.5mΩ@10V、11mΩ@4.5V
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40A
|
±20 V
|
160 A
|
80 mJ
|
1.5 W
|
83.3 ℃/W
|
260 ℃
|
-
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-
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-
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-
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-
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-
|
-
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-
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-
|
-
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-
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-
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-
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-
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-
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|
|
CJAB;CJAB40
|
分离MOS
|
分离MOS,V(BR)DSS30V VGS±20V ID40A VGS(th)Max1~2.5V Ciss2000PF Coss228PF Crss155PF Qg50nC
|
PDFNWB3.3*3.3-8L
|
零件报废(OBS)
|
-
|
-
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-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
N
|
30
|
±20
|
40
|
4.5
|
6.5
|
7.2
|
10.5
|
1～2.5
|
2000
|
228
|
155
|
50
|
Trench
|
NO
|
资料下载
技术论坛
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产品型号
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品类
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Configuration
|
TYPE
|
Process
|
V(BR)DSS
|
VGS
|
ID
|
RDS(on) @10V
|
RDS(on) @4.5V
|
VGS(th)
|
Ciss
|
Coss
|
Crss
|
Qg
|
PACKAGING TYPE
|
ESD
|
|
CJ4404SP
|
Trench MOS
|
Dual
|
N
|
Trench
|
12
|
12
|
8
|
-
|
22
|
1.3
|
-
|
-
|
-
|
8.6
|
CSPB1111-4
|
YES
|
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产品型号
|
品类
|
Configuration
|
TYPE
|
Process
|
Primary
Promotion
|
V(BR)DSS
|
VGS
|
ID
|
RDS(on) @10V
|
RDS(on) @4.5V
|
VGS(th)
|
Ciss
|
Coss
|
Crss
|
Qg
|
PACKAGING TYPE
|
|
CJM5R7SN03B
|
SGT MOS
|
Single
|
N
|
SGT
|
★
|
30
|
20
|
19
|
3.38
|
5.86
|
2
|
783
|
696
|
67.1
|
18.5
|
DFNWB2×2-6L
|
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