PSMNR70-30YLH N-channel 30 V, 0.82 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 technology Product data sheet
发布时间：
2019-03-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMNR70-30YLH
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PSMNR70-30YLH N-channel 30 V, 0.82 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3+ Technology
18 May 2018
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中国RoHS PSMNR70-30YLH
2019/02/25
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMNR70-30YLH热RC网络（Foster）SPICE热模型
5/3/2019
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PSMNR70-40SSH SPICE热模型RC网络（Cauer）
16 July 2019
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PSMNR70-30YLH N通道30 V，0.82 mΩ，300 A逻辑电平MOSFET inLFPAK56使用NextPowerS3技术产品数据表
12 September 2018
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化学成分PSMNR70-30YLH
2019/02/25
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PSMNR70-40SSH热RC网络（Foster）SPICE热模型
26 Apr 2019
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PSMNR70-40SSH SPICE热模型
16 July 2019
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PSMNR70-30YLH N沟道 30V 0.82 mΩ 300 A 逻辑电平 MOSFET 产品数据表
2019-11-12
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PSMNR70-40SSH中国RoHS
2019/07/17
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 数据手册 - 英文 |
PSMNR70-40SSH N通道40 V，0.7 mΩ，425安培连续，LFPAK88标准级MOSFET，使用NextPowerS3技术产品数据表
18 January 2019
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| 测试报告 - 英文 |
PSMNR70-40SSH化学成分
2019/07/17
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMNR70-40SSH N通道40 V，0.7 mΩ，425安培连续，LFPAK88中的标准电平MOSFET使用NextPowerS3技术产品数据表
19 June 2019
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PSMN1R7-40YLD中国RoHS
2019/11/27
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PSMN2R0-40YLD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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LFPAK88 将功率密度提升到新高度
2019年2月
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PSMNR70-40YSN N型 40V，0.81毫欧，用于电池系统的ASFET，封装为LFPAK56E。
12 September 2024
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中国RoHS PSMN1R6-30MLH
2019/01/07
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PSMN1R6-30MLH热RC网络（Foster）SPICE热模型
5/3/2019
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
February 2019
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采用NextPowerS3+技术的LFPAK33中的PSMN1R6-30MLH N沟道30 V、1.6 mΩ逻辑电平MOSFET
15 January 2018
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中国RoHS PSMN8R7-80PS
2019/01/07
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中国RoHS PSMN8R7-80PS
2018/09/05
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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AN90016 NEXPERIA LFPAK功率MOSFET的最大连续电流
本应用笔记探讨了影响NEXPERIA LFPAK封装MOSFET最大允许电流额定值的各种因素。内容包括LFPAK封装的优势、热环境参数、MOSFET结构、最大功率和最大连续漏极电流的计算方法，以及实际应用电路中的实例分析。此外，还讨论了源极电流的限制值、源极特性曲线以及在特定应用场景下的MOSFET选择要点。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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LFPAK88 半导体
安世半导体推出的LFPAK88 MOSFET采用创新8x8mm管脚尺寸，实现更高的功率密度，有效替代D²PAK。该产品具备2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率达60%。产品符合汽车AEC-Q101和工业等级标准，适用于多种应用场景。
- 采用8x8mm管脚尺寸，提升功率密度。
- 连续电流额定值超过2倍于D²PAK。
- 具备卓越的热性能和可靠性。
- 符合汽车AEC-Q101和工业等级标准。
- 应用于汽车、系统、DC/DC转换器和LED照明等领域。
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强大的DC/DC转换解决方案
NXP提供多种DC/DC转换解决方案，包括快速开关MOSFET、高度集成的电源模块等，旨在简化设计、提升性能并降低成本。产品适用于各种应用，特别强调高密度应用，如半桥和正激式DC/DC转换器。NXP还提供小型封装选项，以提高供电效率和散热性能。资料中详细介绍了多种MOSFET、驱动器和电源模块的产品规格和应用。
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