China RoHS PSMN070-200B
发布时间：
2019-04-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN070-200B
本合规声明详细阐述了Nexperia产品PSMN070-200B符合中国RoHS标准的具体情况。资料重点列出了晶粒、极片、注塑胶料、后电镀、锡线及引线等关键部件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有毒有害物质的含量检测结果。依据SJ/T11363-2006标准规定，该产品所有相关部件的有害物质含量均严格低于限量要求，符合环保规范。此外，声明还明确指出Nexperia产品拥有长达50年的环保使用期限，并对信息的准确性、修改权、产品偏差及知识产权等法律条款进行了说明，充分体现了产品在环保合规与长期可靠性方面的优势。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供专业的选型指导、设计验证及调试支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PSMN070-200B N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
Rev. 04
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN070-200B
2018/03/09
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PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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NXP功率开关MOSFET在紧凑型QFN3333封装更小。更快。冷却器。3.3 x 3.3 mm QFN封装中的30 V沟道6 MOSFET
May 2010
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PSMN070-200P N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
Rev. 04
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN070-200B
2018/04/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN070-200B
2018/03/09
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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用于电源管理的十种新型高性能mosfet
February 2009
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采用NextPowerS3+技术的LFPAK33中的PSMN1R6-30MLH N沟道30 V、1.6 mΩ逻辑电平MOSFET
15 January 2018
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PSMN2R0-40YLD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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Power-SO8封装中的新型沟道6 MOSFET
January 2010
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N沟道逻辑电平沟槽MOSFET（TrenchMOS(TM)）晶体管PSMN005-55P
October 1999
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN070-200P
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN070-200P
2018/03/09
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PSMN1R6-30MLH热RC网络（Foster）SPICE热模型
5/3/2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN7R0-40LS N沟道DFN3333-8 40V 7.0 mΩ标准电平MOSFET 修订版3 — 2011年12月13日 产品数据手册
Rev. 3
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R0-40SSH热RC网络（Foster）SPICE热模型
26 Apr 2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
2019年2月
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R0-80CSE N型，80V，0.95毫欧姆，MOSFET，具有增强的SOA，在CCPAK1212i封装中。
6 December 2024
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN070-200P
2018/04/28
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化学成分PSMN070-200P
2018/03/09
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PSMN2R8-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
February 2019
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PSMN1R3-80SSF
7 April 2025
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PSMN1R7-40YLD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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用于电源管理应用的TO220封装的新型高性能沟槽6 MOSFET
NXP公司推出新型Trench 6 MOSFET，采用TO220封装，适用于电源管理应用。新系列包括60V和100V两种电压等级，提供低导通电阻、高效率和低热阻等优势。产品适用于电源OR-ing、电机控制、DC-DC转换器等应用，旨在提高电源管理应用的性能和效率。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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LFPAK88 半导体
安世半导体推出的LFPAK88 MOSFET采用创新8x8mm管脚尺寸，实现更高的功率密度，有效替代D²PAK。该产品具备2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率达60%。产品符合汽车AEC-Q101和工业等级标准，适用于多种应用场景。
- 采用8x8mm管脚尺寸，提升功率密度。
- 连续电流额定值超过2倍于D²PAK。
- 具备卓越的热性能和可靠性。
- 符合汽车AEC-Q101和工业等级标准。
- 应用于汽车、系统、DC/DC转换器和LED照明等领域。
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强大的DC/DC转换解决方案
NXP提供多种DC/DC转换解决方案，包括快速开关MOSFET、高度集成的电源模块等，旨在简化设计、提升性能并降低成本。产品适用于各种应用，特别强调高密度应用，如半桥和正激式DC/DC转换器。NXP还提供小型封装选项，以提高供电效率和散热性能。资料中详细介绍了多种MOSFET、驱动器和电源模块的产品规格和应用。
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