PSMN005-30K Chemical content
发布时间：
2019-04-10
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN005-30K; 9340 568 43518
本数据手册详细介绍了元器件PSMN005-30K的化学成分与材料构成，内容涵盖该器件的封装类型、重量规格、焊接处理工艺及组装地点等关键物理属性。资料深入剖析了包括粘合剂、硅片、铜合金、模具化合物及纯金属层在内的具体材料组成，并详细列出了各成分的质量百分比与CAS编号，为产品的合规性审查及环保评估提供了精确的数据支持。制造商Nexperia在文中特别声明，所载信息仅供参考，不构成任何形式的保证或承诺。基于该资料所涉器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PSMN005-30K N沟道TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN005-30K
2018/03/09
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
NXP功率开关MOSFET在紧凑型QFN3333封装更小。更快。冷却器。3.3 x 3.3 mm QFN封装中的30 V沟道6 MOSFET
May 2010
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道逻辑电平沟槽MOSFET（TrenchMOS(TM)）晶体管PSMN005-55P
October 1999
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| 测试报告 - 英文 |
PSMN005-30K中国RoHS
2018/04/28
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
用于电源管理的十种新型高性能mosfet
February 2009
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准级FET
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准级FET
Rev. 01
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN005-30K
2018/03/09
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
Power-SO8封装中的新型沟道6 MOSFET
January 2010
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN005-75P
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN005-75P
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN005-75P
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN005-75P
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPowerS3+技术的LFPAK33中的PSMN1R6-30MLH N沟道30 V、1.6 mΩ逻辑电平MOSFET
15 January 2018
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN005-75B
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN005-75B
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN005-75B
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN005-75B
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
2019年2月
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R1-80CSF NextPower 80V，1.16毫欧，N沟道MOSFET，采用CCPAK1212i封装，2024年12月6日产品数据手册。
2024
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R0-40YLD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
February 2019
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPower技术的LFPAK33中N沟道30v7mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 4
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH热RC网络（Foster）SPICE热模型
5/3/2019
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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用于电源管理应用的TO220封装的新型高性能沟槽6 MOSFET
NXP公司推出新型Trench 6 MOSFET，采用TO220封装，适用于电源管理应用。新系列包括60V和100V两种电压等级，提供低导通电阻、高效率和低热阻等优势。产品适用于电源OR-ing、电机控制、DC-DC转换器等应用，旨在提高电源管理应用的性能和效率。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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强大的DC/DC转换解决方案
NXP提供多种DC/DC转换解决方案，包括快速开关MOSFET、高度集成的电源模块等，旨在简化设计、提升性能并降低成本。产品适用于各种应用，特别强调高密度应用，如半桥和正激式DC/DC转换器。NXP还提供小型封装选项，以提高供电效率和散热性能。资料中详细介绍了多种MOSFET、驱动器和电源模块的产品规格和应用。
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