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Thermal RC network (Foster)
发布时间: 2018-03-06
类型: 技术文档,技术说明、产品技术资料
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PSMN1R5-30BLE
该技术资料详细介绍了名为PSMN1R5-30BLE的元器件的热阻(Rth)和热电容(Cth)SPICE模型参数,重点阐述了基于Foster网络的热RC模型构建。资料内容涵盖了从结点到安装基座的热阻数值、多个热电容值及其对应的热阻参数,并完整列出了模型的符号、具体参数、测试条件以及最小值、典型值、最大值等关键数据,为工程师进行精确的热仿真与设计验证提供了重要参考。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持,协助用户进行选型、设计验证及调试,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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资料平台
数据手册 - 英文
D2PAK中的N沟道30V 1.5MΩ逻辑电平MOSFET
12 October 2012
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R5-30BLE
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R5-30BLE
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R5-30BLE
2018/05/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PSMN1R5-30BLE
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R5-25MLH热网(Cauer)热工设计模型
10 September 2019
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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数据手册 - 英文
PSMN1R5-40YSD
15 August 2018
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R5-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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技术文档 - 英文
PSMN1R5-40YSD香料热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 01
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R5-25MLH热阻RC网络(Foster)SPICE热阻模型
10 September 2019
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/11/2017
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
2/11/2015
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
24/6/2015
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
24/6/2015
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
10/6/2014
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数据手册 - 英文
N沟道40 V 1.6 mΩ标准级MOSFET,I2PAK。
Rev. 01
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
11 September 2019
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数据手册 - 英文
PSMN1R5-25MLH N沟道25 V,1.81 mΩ,150 A逻辑电平MOSFET,采用NextPowerS3技术数据表
30 September 2019
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R5-30BLE
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R5-30BLE
2018/05/23
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R5-30BLE
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
11 September 2019
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数据手册 - 英文
采用NextPower技术的LFPAK N沟道30v1.55mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 2
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R6-30MLH热RC网络(Foster)SPICE热模型
5/3/2019
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数据手册 - 英文
PSMN1R5-40YSD N沟道40V,1.5MΩ,190A LFPAK56标准电平MOSFET,采用NextPower-S3肖特基Plus技术初步数据表
1 August 2019
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商品功能框图 - 英文
PSMN2R0-40YLD热RC网络(Foster)SPICE热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
LFPAK中的N沟道30v1.5mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 01
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R5-30YL
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R5-30YL
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R5-30YL
2018/05/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PSMN1R5-30YL
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R0-40SSH热RC网络(Foster)SPICE热模型
26 Apr 2019
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数据手册 - 英文
PSMN1R5-40YSD初步数据表
4 June 2019
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
PSMN1R5-40YSD香料热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-40YSD的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数,以及多个热阻值。资料中详细列出了各个参数的最小值、典型值和最大值,并提供了单位。资料还包含了版权声明和免责条款。
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PSMN1R5-40YSD香料热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-40YSD的元器件的热阻网络(Foster)SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数,以及多个热电容参数。资料中详细列出了这些参数的最小值、典型值和最大值,并提供了相应的单位。资料还注明了资料版权信息,并声明了信息准确性和版权保护。
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LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸,提供高功率密度,可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性,空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准,具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET?
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PSMN1R5-50YLH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-50YLH的元器件的热阻网络(Foster)PSMN1R5-50YLH SPICE热模型。资料中详细列出了热阻参数Rth(j-mb)及其相关条件、最小值、典型值、最大值和单位。此外,还包括了热阻的四个分量Cth1、Cth2、Cth3、Cth4及其对应的Rth1、Rth2、Rth3、Rth4值。资料最后注明了资料版权信息及使用限制。
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PSMN1R5-50YLH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R5-50YLH的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻(Rth(j-mb))以及四个热电容(Cth1, Cth2, Cth3, Cth4)。参数包括最小值、典型值和最大值,单位为欧姆和法拉。资料由Nexperia提供,发布日期为2021年5月3日。
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