P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Si3805DV
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si3805DV
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si3805DV P-Channel垂直DMOS晶体管的SPICE模型。该模型作为一款宏模型（子电路模型），专为线性及开关应用设计，能够在-55°C至125°C的宽温度范围内提供精确模拟。其核心技术优势在于采用了新颖的栅极到漏极反馈电容网络，从而精准模拟门电荷特性，并对瞬态和二极管反向恢复特性进行了优化。模型参数值经过全面优化以提供最佳拟合，且在阈值电压附近的门偏置下，饱和输出阻抗表现最佳，能够有效支持工程师进行高效的电路仿真与设计验证。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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带肖特基二极管的Si3805DV-Vishay Siliconix P沟道20v（D-S）MOSFET
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带肖特基二极管的Si3805DV-Vishay Siliconix P沟道20v（D-S）MOSFET
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采用肖特基二极管Si3805DV的P沟道20v（D-S）MOSFET
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采用肖特基二极管Si3805DV的P沟道20v（D-S）MOSFET
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带肖特基二极管的P沟道20v（D-S）MOSFET数据表
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R-C热模型参数Si3805DV\U RC
Revision: 19-Sep-08
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7633DP
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7633DP
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Si7633DP P沟道20-V（D-S）MOSFET
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN
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Si3493BDV P沟道20-V（D-S）MOSFET
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Si3493BDV P沟道20-V（D-S）MOSFET
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Si3493BDV P沟道20-V（D-S）MOSFET
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Si9433BDY P沟道20v（D-S）MOSFET
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P沟道20v（D-S）MOSFET
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Si7633DP Vishay Siliconix P沟道20-V（D-S）MOSFET
S-82667-Rev. A
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si7635DP
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si7635DP
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si7635DP
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SiB433EDK P沟道20v（D-S）MOSFET
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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7141DP
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si2399DS
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SiA419DJ P沟道20v（D-S）MOSFET
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Si9433BDY Vishay Siliconix P沟道20-V（D-S）MOSFET
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P沟道20v（D-S）MOSFET硅4477dy
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P沟道20v（D-S）MOSFET硅4477dy
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si3407DV
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si3407DV
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si3407DV
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P沟道20v（D-S）MOSFET SiA433EDJ Vishay Siliconix
Vishay Siliconix推出新型SiA433EDJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET，具备低导通电阻、小型封装和内置ESD保护等特点。适用于便携式设备、3G负载开关、电池开关和充电器开关等应用。产品符合RoHS指令，并提供无铅和卤素免费版本。
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