P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Si3805DV
●说明：
■所附的spice模型描述了p通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至10 V栅极驱动下，在-55°C至125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。
■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释。
●特点
■P通道垂直DMO
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至125°C温度范围内精确
■对栅极电荷、瞬态和二极管反向恢复特性进行建模
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|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
Vth typ.(V)
|
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V
|
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V
|
ID(A)
|
|
XRS60N03D
|
SGT MOSFET
|
PDFN3*3
|
Single
|
N
|
30
|
±20
|
1.8
|
5
|
6.9
|
62
|
XNRUSEMI（新锐半导体）N+P MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS(V)
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VGS(V)
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Vth typ.(V)
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RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V
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RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V
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ID(A)
|
|
XR60G20F
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N+P MOSFET
|
PDFN5*6
|
Complementary
|
N+P
|
60/-60
|
±20/±20
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2.5/-2.5
|
25/42
|
31/55
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20/-20
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|
产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
Vth typ.(V)
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RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V
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RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V
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ID(A)
|
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XR2010S
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MOSFET
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SOP8
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Single
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N
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20
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±12
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0.7
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12
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17
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8
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电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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