P-Channel 20-V (D-S) MOSFET SiA433EDJ

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●功能
■符合IEC 61249-2-21定义的无卤素
■TrenchFET®功率MOSFET
■新型热增强PowerPAK®SC-70封装
▲占地面积小
▲低导通电阻
■100%R-g测试
■内置齐纳二极管ESD保护
■典型ESD性能：1800 V
■符合RoHS指令2002/95/EC

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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表

12-Oct-09 - 数据手册

VISHAY - P沟道20-V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,SIA433EDJ,SIA433EDJ-T1-GE3,蓄电池开关,PORTABLE DEVICES,便携式设备,LOAD SWITCH,充电器开关,BATTERY SWITCH,负载开关,CHARGER SWITCH

P沟道20v（D-S）MOSFET SiA433EDJ Vishay Siliconix

12-Oct-09 - 应用笔记或设计指南 Vishay Siliconix推出新型SiA433EDJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET，具备低导通电阻、小型封装和内置ESD保护等特点。适用于便携式设备、3G负载开关、电池开关和充电器开关等应用。产品符合RoHS指令，并提供无铅和卤素免费版本。

VISHAY - SIA433EDJ

P沟道20V（D-S）MOSFET Vishay Siliconix SiA433EDJ

12-Oct-09 - 数据手册 Vishay Siliconix推出新型SiA433EDJ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET，具有低导通电阻、小型封装和符合RoHS指令等特点，适用于便携式设备、3G负载开关、电池开关和充电器开关等应用。

VISHAY - P沟道20-V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,SIA433EDJ,蓄电池开关,PORTABLE DEVICES,便携式设备,LOAD SWITCH,充电器开关,BATTERY SWITCH,负载开关,CHARGER SWITCH

SiA433EDJ P沟道20 V（D-S）MOSFET

12-Oct-09 - 数据手册

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功率MOSFET PowerPAK®SC-70只有TSOP-6的一半大小，而不影响导通电阻

2017/11/05 - 数据手册 Vishay Intertechnology, Inc.推出的PowerPAK® SC-70系列功率MOSFET，具有尺寸小、低功耗、高功率耗散等优点，适用于便携式设备中的负载切换。

VISHAY - SIA446DJ,SIA447DJ,SIA920DJ,SIA537EDJ,SIA527DJ,SIA467EDJ,SIA929DJ,SIA400EDJ,SIA936EDJ,SIA907EDJT*,SIA440DJ,SIA483DJ,SIA441DJ,SIA477EDJ,SIA437ADJ,SIA433EDJ,SIA456DJ,SIA922EDJ,SIA430DJ,SIA811ADJ,SIA817EDJ,SIA931DJ,SIA975DJ,SIA519EDJ,SIA923AEDJ,SIA427ADJ,SIA444DJT*,SIA445EDJ,SIA914ADJ,SIA416DJ,SIA453EDJ,SIA436DJ

R-C热模型参数SiA433EDJ\U RC

11-Jan-10 - 数据手册本资料提供了Vishay Siliconix SiA433EDJ\_RC器件的R-C热模型参数，包括Foster/tank和Cauer/filter配置的电路线性参数。这些参数用于P-SPICE仿真，以评估MOSFET结温的热行为。

VISHAY - SIA433EDJ_RC

P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7633DP

03-Nov-08 - 数据手册该资料介绍了Vishay Siliconix公司推出的一款新型P-Channel 20-V (D-S) MOSFET产品Si7633DP。产品具有低导通电阻、高电流承载能力等特点，适用于适配器开关等应用场景。

VISHAY - P沟道20-V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,SI7633DP,ADAPTOR SWITCH,转接开关

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Si7633DP P沟道20-V（D-S）MOSFET

03-Nov-08 - 数据手册 Vishay Siliconix推出新型Si7633DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能。该产品适用于适配器开关等应用，采用PowerPAK® SO-8封装，提供可靠的性能和易于安装的特点。

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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN

20-Apr-09 - 数据手册本文介绍了Vishay Siliconix公司推出的新型Si7613DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET®技术，具有低热阻PowerPAK®封装，适用于空间受限的应用。产品特性包括低导通电阻、高电流处理能力、符合RoHS指令等。应用领域包括负载开关、适配器开关、笔记本电脑等。

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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN

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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN

20-Apr-09 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司推出的新型Si7613DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET®技术，具有低热阻PowerPAK®封装，适用于负载开关、适配器开关和笔记本电脑等应用。

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P沟道20-V（D-S）MOSFET Si7613DN

10-Dec-12 - 数据手册该资料提供了一种名为Si7613DN的p沟道垂直DMOS的SPICE模型，描述了其典型电气特性。模型适用于-55°C至+125°C的温度范围，并针对脉冲0V至10V栅极驱动进行了优化。模型考虑了栅极电荷特性，并优化了所有参数以最佳拟合测量数据。

VISHAY - SI7613DN

Si9433BDY P沟道20v（D-S）MOSFET

18-May-09 - 数据手册

VISHAY - P沟道20-V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,MS-012,SI9433BDY-T1-GE3,SI9433BDY,SI9433BDY-T1-E3

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P沟道20v（D-S）MOSFET

02-Nov-09 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si7621DN型号P-Channel 20-V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET®技术，具有低热阻、低剖面高度和符合RoHS指令的特点。主要参数包括VDS（20V）、RDS(on)（0.090Ω）、ID（4A）和Qg（3.8nC）。该产品适用于负载切换和硬盘驱动器等应用。

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XNRUSEMI（新锐半导体）SGT MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供SGT MOSFET选型。产品涵盖N沟道与P沟道，包含高压及中低压系列。VDS范围涵盖-100V至200V，支持PDFN33、PDFN56、SOP8、SOT23、TO252、TO220、TOLL等多种封装。具备低导通电阻特性，适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	ID(A)
XRS60N03D	SGT MOSFET	PDFN3*3	Single	N	30	±20	1.8	5	6.9	62

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

XNRUSEMI（新锐半导体）N+P MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供N+P MOSFET选型。产品涵盖20V、30V、40V、60V、100V、150V电压等级，导通电阻5.5mΩ-650mΩ，电流3A-50A。封装包含SOT23-6L、SOP8、TO252-4L、PDFN22、PDFN33、PDFN5*6。具备互补配置、低导通电阻特性，适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	ID(A)
XR60G20F	N+P MOSFET	PDFN5*6	Complementary	N+P	60/-60	±20/±20	2.5/-2.5	25/42	31/55	20/-20

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

XNRUSEMI（新锐半导体）MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供MOSFET选型。产品涵盖N沟道及P沟道，包含ESD保护及双管配置。电压范围-200V至200V，支持SOT23、SOT89、SOP8、TSSOP8、PDFN33、PDFN56、TO252、TO220、TO263、TO247等多种封装。适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V	ID(A)
XR2010S	MOSFET	SOP8	Single	N	20	±12	0.7	12	17	8