High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
V35PW15
本数据手册详细介绍了Vishay公司推出的V35PW15系列表面贴装trench MOS隧道型肖特基整流器。该器件专为低电压高频应用设计，具备超低正向压降特性，在电流为5A时VF仅为0.50V，从而显著提升运行效率并降低功耗。该整流器拥有高电流密度和高可靠性，采用SlimDPAK (TO-252AE)封装，符合RoHS标准，且MSL等级达到J-STD-020标准。此外，该产品已通过AEC-Q101认证，适用于低电压高频DC/DC转换器、续流二极管以及极性保护等严苛应用场景。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器超低VF=0.50 V，IF=5 A V35PW15
Revision01-Jun-17
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整流管
2019/02/23
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V35PW15 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5A时超低VF=0.50V
Revision: 01-Jun-17
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| 技术文档 - 英文 |
汽车工业用二极管
2019/02/23
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V35PW15 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.50 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW15 Vishay General Se半导体高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.35 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW45高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 27-Feb-2020
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高电流密度表面贴装沟槽MOS势垒肖特基整流器V35PW45
Revision: 01-Jun-17
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V35PW45高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器：超低V-f=0.27 V（i-f=5 a）
Revision: 27-Feb-2020
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V35PW10 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.36 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM45 Vishay General Semiconducto高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.33 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.31 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW60 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.31 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW60 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW22高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 09-Jan-2020
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V35PW12 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5A时超低VF=0.40 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM12高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器：超低V-f=0.42 V（i-f=5 a）
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM15 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.50 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM60 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM45 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.33V
Revision: 01-Jun-17
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V35PW10 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM45 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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高电流密度表面贴装沟槽MOS势垒肖特基整流器V35PWM12
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM12高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM15 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PW45威海通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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V35PW45威海通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM12 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM10 Vishay通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.41 V
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM10 Vishay General Semiconductor高电流密度表面贴装TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器
Revision: 11-Feb-2019
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V35PWM12威海通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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V35PWM12威海通用半导体高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
Revision: 01-Jun-17
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器
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高电流密度表面贴装沟道MOS势垒肖特基整流器超低VF=0.40V，IF=5A V35PW12
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