High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
●特征:
■极低轮廓-典型高度为1.3 mm
■沟道MOS肖特基技术
■非常适合自动放置
■低正向压降,低功率损耗
■高效运行
■符合MSL 1级,根据J-STD-020,LF最大峰值为260°C
■AEC-Q101合格可用
◆汽车订购代码;基准P/NHM3
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