PJL9835A 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2020-07-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
PANJIT（强茂）
型号：
PJL9835A; PJL9835A_R2_00001
本数据手册详细介绍了PJL9835A这款60V双通道P沟道增强型MOSFET的技术规格与应用特性。该器件采用SOP-8封装，具备-60V电压与-5.5A电流的处理能力，其低导通电阻（RDS(ON)）在VGS=-10V条件下小于48mΩ，有助于降低导通损耗。此外，PJL9835A拥有高开关速度、改进的dv/dt能力及低反向转移电容等优异电气性能，且制造材料符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令及IEC61249无卤素标准，满足绿色环保要求。资料中虽未列举具体应用场景，但凭借其双通道设计与低损耗特性，该器件适用于各类功率开关与电机驱动电路。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，库存充足以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 订货型号 | PJL9835A_R2_00001 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | PJL9835A | 品类 | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET,VDS:-60V,VGS:±20V,ID:-5.5A,RDS(on)(Max.)(Vgs=10V):48mΩ,RDS(on)(Max.)(Vgs=4.5V):65mΩ | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configure | Dual | VDS | -60V |
| VGS | ±20V | ID | -5.5A |
| RDS(on)(Max.)(Vgs=10V) | 48mΩ | RDS(on)(Max.)(Vgs=4.5V) | 65mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | PJQ5863A-AU_R2_002A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | PJQ5863A-AU | 品类 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | DFN5060B-8L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 Qualified | Polarity | P |
| Config. | Dual | VDS(V) | -60 |
| VGS(±V) | 20 | ID(A) | -13.6 |
| RDS(on) Max. (mΩ)(10V) | 68 | RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V) | 85 |
| Ciss Typ.(pF) | 879 | VGS(th) Max.(V) | -2.5 |
| Qg Typ. (nC)(10V) | 17 | ||
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| 订货型号 | PJS6839_S1_00001 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | PJS6839 | 品类 | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 6L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | P | Config. | Dual |
| VDS(V) | -60 | VGS(±V) | 20 |
| ID(A) | -0.3 | RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V) | 4000 |
| RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V) | 6000 | Ciss Typ.(pF) | 51 |
| VGS(th) Max.(V) | -2.5 | Qg Typ. (nC)(4.5V) | 1.1 |
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| 订货型号 | BAS70-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAS70-AU | 品类 | Small Signal Schottky |
| 描述/说明 | VRRM(Max.):70V,IF:0.2A,IFSM:0.6A,VF(Max.)@IF:1V,15mA,IR(Max.)@VR:1uA,70V | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM(Max.) | 70V | IF | 0.2A |
| IFSM | 0.6A | VF(Max.) | 1V |
| @IF | 15mA | IR(Max.) | 1uA |
| @VR | 70V | ||
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￥0.0692
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| 订货型号 | SS1040-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | SS1040-AU | 品类 | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 描述/说明 | VRRM(Max.):40V,IF:1A,IFSM:30A,VF(Max.)@IF:0.55V,1A,IR(Max.)@VR:60uA,40V | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM(Max.) | 40V | IF | 1A |
| IFSM | 30A | VF(Max.) | 0.55V |
| @IF | 1A | IR(Max.) | 60uA |
| @VR | 40V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥0.1197
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| 订货型号 | PJEC24MTA-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | PJEC24MTA-AU | 品类 | Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection |
| 描述/说明 | BI,VRRM(Max.):24V,VBR(Min.):25.4V,IR&VRRM(Max.):0.05uA,VC&IPP(Max.):50V,IPP:4A,CJ(Max.):15pF | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 单双向 | BI | 通道数 | 2 |
| VBR(Min.) | 25.4V | VC&IPP(Max.) | 50V |
| IPP | 4A | VRRM | 24V |
| IR&VRRM(Max.) | 0.05uA | CJ(Max.) | 15pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.2260
库存：
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| 订货型号 | BAS16-AU_R1_000A1 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAS16-AU | 品类 | Small Signal Switching Diode |
| 描述/说明 | Maximum repetitive peak reverse voltage:100V,Power Dissipation:350mW,Maximum Reverse Recovery Time:6ns,Peak forward surge current:2A,tp:0.001ms,VF(Max.):0.855V,IF(Max.):10mA,IR(Max.):1uA,VR(Max.):75V,Maximum junction capacitance:2pF | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Maximum repetitive peak reverse voltage | 100V | Peak forward surge current | 2A |
| Power Dissipation | 350mW | Maximum Reverse Recovery Time | 6ns |
| tp | 0.001ms | VF(Max.) | 0.855V |
| IF(Max.) | 10mA | IR(Max.) | 1uA |
| VR(Max.) | 75V | Maximum junction capacitance | 2pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0585
库存：
0
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| 订货型号 | BAV99_R1_000Z9 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | BAV99 | 品类 | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| 描述/说明 | Maximum repetitive peak reverse voltage:100V,Power Dissipation:250mW,Maximum Reverse Recovery Time:4ns,Peak forward surge current:4A,tp:0.001ms,VF(Max.):1.25V,IF(Max.):150mA,IR(Max.):2.5uA,VR(Max.):75V,Maximum junction capacitance:1.5pF | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Maximum repetitive peak reverse voltage | 100V | Peak forward surge current | 4A |
| Power Dissipation | 250mW | Maximum Reverse Recovery Time | 4ns |
| tp | 0.001ms | VF(Max.) | 1.25V |
| IF(Max.) | 150mA | IR(Max.) | 2.5uA |
| VR(Max.) | 75V | Maximum junction capacitance | 1.5pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.0791
库存：
21,900
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世强硬创平台提供BAV99_R1_000Z9期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | 2N7002KDW_R1_00001 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | 2N7002KDW | 品类 | ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | Configure:Single,VDS:60V,VGS:±20V,ID:0.1A,RDS(on)(Max.)(Vgs=10V):3000mΩ,RDS(on)(Max.)(Vgs=4.5V):4000mΩ,Ciss(Typ.):35pF,VGS(th)(Max.):2.5V | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configure | Single | VDS | 60V |
| VGS | ±20V | ID | 0.1A |
| RDS(on)(Max.)(Vgs=10V) | 3000mΩ | RDS(on)(Max.)(Vgs=4.5V) | 4000mΩ |
| Ciss(Typ.) | 35pF | VGS(th)(Max.) | 2.5V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.1582
库存：
16,490
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世强硬创平台提供2N7002KDW_R1_00001期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | MMBT3904_R1_000Z8 | 品牌 | PANJIT |
| 型号系列 | MMBT3904 | 品类 | NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
| 描述/说明 | Polarity:NPN,Configure:Single,VCBO(Max.):60V,VCEO(Max.):40V,IC(Max.):200mA,VCE(sat)(Max.):0.3V,PTOT(Max.):225mW,fT(Min.)300MHz | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | NPN | Configure | Single |
| VCBO(Max.)(V) | 60V | VCEO(Max.)(V) | 40V |
| IC(Max.)(mA) | 200mA | VCE(sat)(Max.)(V) | 0.3V |
| PTOT(Max.)(mW) | 225mW | fT(Min.)(MHz) | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证,
限量折扣
价格：
￥0.0859
库存：
15,940
世强硬创平台提供MMBT3904_R1_000Z8在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供MMBT3904_R1_000Z8样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供MMBT3904_R1_000Z8批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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世强硬创平台提供MMBT3904_R1_000Z8交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
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世强硬创平台提供MMBT3904_R1_000Z8期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PJS6839 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6839 60V双P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5863A-AU 60V双P沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 测试报告 - 中英文 |
SMD Discrete Semiconductor Devices CTI 检测报告 ( SMD Discrete Semiconductor Devices CTI Test Report )（A224050508110103ER1）
2024.08.28
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| 数据手册 - 英文 |
PJE8416 20V N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5450-AU 40V N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6403 30V P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6400 30V N沟道增强型MOSFET
REV.05
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| 数据手册 - 英文 |
PJA3415AE 20V P沟道增强型MOSFET–ESD保护
REV.02S
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| 数据手册 - 英文 |
PJA3471 100V P沟道增强型MOSFET
REV.00S
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5946V-AU 40V双N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5946-AU 40V双N沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
P6AFC3.3A~P6AFC64A系列瞬态电压抑制器
REV.00S
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| 数据手册 - 英文 |
PJD90P03E-AU 30V P沟道增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
GBU1506ULV超低漏电流超低VF桥式整流器
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
MMBT5551W NPN高压晶体管
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJT138K-AU 50V N沟道增强型MOSFET–ESD保护
REV.00S
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ4443P-Au 40V P沟道增强型MOSFET
REV.02
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ4403P-Au 30V P沟道增强型MOSFET
REV.02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
带有TO-252封装寿命终止（EOL）通知的Panjit产品（2310002）
12th October, 2023
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| 技术文档 - 英文 |
汽车级低压MOSFET 30V和40V P沟道增强型MOSFET
2023/8/4
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| 数据手册 - 英文 |
PJD50P04-AU 40V P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
5KMC12AS-Au~5KMC70AS-Au系列瞬态电压抑制器
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
MBR6040PT系列肖特基势垒整流器
REV.09
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| 数据手册 - 英文 |
MBR240~MBR2200肖特基势垒整流器
REV.04
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| 数据手册 - 英文 |
PJSOT24C-05-AU~PJSOT36C-05-AU系列高浪涌ESD保护
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
BAS21A-Au~BAS21S-Au表面贴装、高电压、双开关二极管
REV.05
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| 数据手册 - 英文 |
BAV19WS-AU~BAV21WS-AU表面贴装开关二极管
REV.02
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| 数据手册 - 英文 |
BAW56TB、BAV70TB、BAV99TB、BAL99TB表面贴装开关二极管
REV.03
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6809-AU 30V P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
PJS6603-AU 30V互补增强型MOSFET
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PPJQ5427 30V P沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ4448P 40V N沟道增强型MOSFET
REV.02
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| 数据手册 - 英文 |
5KMC12AS~5KMC100AS系列瞬态电压抑制器
REV.02
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| 数据手册 - 英文 |
BC856BS-AU PNP通用双晶体管
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
CMD02魔术开关：空载→零输入功率
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5546-AU 40V N沟道增强型MOSFET
REV.01
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| 数据手册 - 英文 |
GBU2008LV玻璃钝化低VF桥式整流器
REV.00
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| 数据手册 - 英文 |
PJQ5453E-Au 40V P沟道增强型MOSFET
REV.00
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技术论坛
请帮忙推荐替换IRF7342的型号，用于Logo灯项目，降成本。
查看官方回答 >>
推荐一个IRF7342PBF的替代物料，SO-8封装的。
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目前在项目上有一颗200V的 5A左右的252封装的MOS需求，请帮忙推荐可以P2P替代的方案
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应用/方案
PANJIT‘s Next-Gen ESD Protection Diodes for High-Speed Applications
PANJIT’s latest ESD protection diodes Gen.2 are optimized for high efficiency and low leakage current, offering low insertion loss figures from -0.25 dB to -0.38 dB at 10 GHz. The new ESD diodes provide robust and reliable protection against electrostatic events.
阅读原文 >>
PANJIT Introduces GBJA and KBJB Low Profile Packages for Bridge Rectifiers
PANJIT Introduces Latest GBJA and KBJB Low Profile Packages for Bridge Rectifiers. This substantial reduction in body height makes these bridge rectifiers ideal for applications where space is at a premium, responding to the increasing demand for compact and efficient power solutions.
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为持续供电而生：PANJIT全新高压整流器强势来袭，为ORing Diode电路应用提供卓越表现
因应整流器在工业、商业、车用和家用设备中的广泛应用，PANJIT推出两款优化的1600V通用整流器（PGR6016PT/PGR9016PT），电流高达60A/90A，具高效率、低损耗之特性，在ORing Diode电路上提供卓越的表现，确保在其中一个电源失效时，其他电源仍能正常运作。
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PANJIT Introduces 60/100/150V Automotive-Grade MOSFET Series with Superior Performance, Reliability, and Efficiency
PANJIT introduces its latest 60, 100, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs, engineered with advanced trench technology to set new standards in performance and efficiency. They are designed for both automotive and industrial power systems.
阅读原文 >>
