PJL9835A 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
特点：
●R-DS（开），V-GS@-10伏，内径@-5.5A<48mΩ
●R-DS（开），V-GS@-4.5伏，内径@-3.0A<65mΩ
●高开关速度
●提高dv/dt能力
●低反向转移电容
●无铅符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
●符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤素）
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02,PJA3
强茂（PANJIT）Medium Voltage MOSFET选型表
选型表 - PANJIT 强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-100~200,ID(A)：-16~166,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：3.3~4200等。强茂的中压产品开发BVDSS 60 - 200V系列产品，采沟槽式(Trench)结构设计提高产品特性；常被用于同步整流电路，可应用在消费性产品,电子电源,通讯电源系统等。
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产品型号
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品类
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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Config.
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Product Status
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AEC-Q101 Qualified
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
ID(A)
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VDS(V)
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Replacement Part
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ESD
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(±V)
|
Polarity
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
|
Package
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VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
|
PJL9835A
|
Medium Voltage MOSFET
|
48
|
Dual
|
NSND
|
-
|
-
|
-5.5
|
-60
|
-
|
-
|
1256
|
20
|
P/P
|
65
|
-
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SOP-8
|
-2.5
|
22
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PJS6839 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
March 12,2019 - 数据手册 本资料介绍了PPJS6839型60V双通道增强型MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽工艺技术，适用于继电器驱动器、高速线驱动等领域。其主要特点是低导通电阻（RDS(ON)），高电流承载能力，符合欧盟RoHS 2.0标准，并使用环保模具化合物。
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系列型号： PJQ5863A-AU_R2_002A1
PJS6839 60V双P沟道增强型MOSFET
January 20,2022 - 数据手册 该资料介绍了PJS6839型60V双通道增强模式MOSFET的特性。内容包括电压、电流规格，产品特性如低导通电阻、先进沟槽工艺技术，适用于继电器驱动器、速度线驱动等应用，符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保注塑化合物。此外，还提供了最大额定值、热特性、电气特性曲线等信息。
PANJIT - 双P沟道增强型MOSFET,DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,PJS6839,PJS6839_S1_00001,RELAY DRIVER,SPEED LINE DRIVE,继电器驱动器,速度线驱动
PJQ5863A-AU 60V双P沟道增强型MOSFET
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PANJIT - 双P沟道增强型MOSFET,DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,PJQ5863A-AU,PJQ5863A-AU_R2_002A1
强茂（PANJIT）通用型双极晶体管选型表
选型表 - PANJIT General Transistors，强茂双极晶体管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值谐振的信号源，做为电流放大使用，亦做为晶体管开关以驱动电流使用
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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AEC-Q101 Qualified
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Polarity
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Config.
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VCBO Max.(V)
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VCEO Max.(V)
|
IC Max.(mA)
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VCE(sat) Max.(V)
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VCE(sat) Max. IC (mA)
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VCE(sat) Max. IB (mA)
|
hFE Min.
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hFE Max.
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hFE VCE (V)
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hFE IC (mA)
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PTOT Max.(mW)
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fT Min.(MHz)
|
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MMBT3906TB
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General Transistors
|
SOT-523
|
New Product
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-
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PNP
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Single
|
-40
|
-40
|
-200
|
-0.4
|
-50
|
-5
|
100
|
300
|
-1
|
-10
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150
|
250
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臺灣職業安全衛生管理系統
2025/01/01 - 技术文档 强茂股份有限公司在高雄市冈山区实施的职业安全卫生管理系统，已通过台湾检验科技股份有限公司的认证，符合CNS 45001:2018和TOSHMS特定审核重点事项的要求。证书编号为CB05-99001-06，有效期限至2025年2月1日。认证范围包括半导体分离式元件的制造和设计。
PANJIT - 職業安全衛生管理系統
职业健康安全管理体系证书
2025/01/01 - 测试报告 PAN JIT ELECTRONIC (WUXI) CO., LTD. 已获得职业健康安全管理体系认证，证书编号为24803SR5。该体系符合GB/T 45001-2020/ISO 45001:2018标准要求，认证范围包括设计与制造离散半导体器件。认证日期为2009年12月28日，有效期为至2027年8月5日。证书有效性通过EWC定期监督审核进行验证。更多证书信息可在Ever Win Quality Certification Center官网和中华人民共和国认证认可监督管理局官网查询。
PANJIT - OCCUPATIONAL HEALTH AND SAFETY MANAGEMENT SYSTEM,职业健康安全管理体系,设计与制造离散半导体器件,DESIGN AND MANUFACTURE OF DISCRETE-SEMICONDUCTOR DEVICE
环境管理体系证书
2025/01/01 - 测试报告 PAN JIT ELECTRONIC (WUXI) CO., LTD. 已获得环境管理体系认证，证书编号为049015ER3。该认证符合GB/T 24001-2016/ISO 14001:2015标准，认证范围涉及离散半导体器件的设计和制造。认证日期为2015年8月6日，有效期至2027年8月5日。证书有效性通过EWC定期监督审核进行验证。更多信息和证书详情可通过EWC官方网站（www.ewgc.org）和中华人民共和国认证认可监督管理局官方网站（www.cnca.gov.cn）查询。
PANJIT - ENVIRONMENTAL MANAGEMENT SYSTEM,环境管理体系,设计与制造离散半导体器件,DESIGN AND MANUFACTURE OF DISCRETE-SEMICONDUCTOR DEVICE
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