PPJQ5427 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

知识图谱
2023-07-21 PANJIT 数据手册 英文


●特点
■RDS(打开),VGS@-10V,ID@-20A<3.3mΩ
■RDS(打开),VGS@-4.5V,ID@-15A<5mΩ
■开关速度高
■改进的dv/dt能力
■低栅极电荷
■低反向转移电容
■无铅符合欧盟RoHS 2.0
■符合IEC 61249标准的绿色模塑化合物
●机械数据
■案例:DFN5060-8L包装
■端子:可根据MIL-STD-750,方法2026进行焊接
■大约重量:0.0028盎司,0.08克

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PANJIT  -  30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,30V P沟道增强型MOSFET,PJQ5427,PJQ5427_R2_00001

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02,PJA3

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强茂(PANJIT)Low Voltage MOSFET选型表

选型表  -  PANJIT 强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-40~40,VGS(±V):8-20,ID(A):-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V):1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品,适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品;采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。

产品型号
品类
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
Config.
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Product Status
AEC-Q101 Qualified
Qg Typ. (nC)(4.5V)
ID(A)
VDS(V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
Replacement Part
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
ESD
Ciss Typ.(pF)
VGS(±V)
Polarity
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
Package
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
PJQ5427
Low Voltage MOSFET
-
3.3
Single
-
Active
-
68
-100
-30
-
-
-
-
8593
20
P
5
DFN5060-8L
-2.5
-
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无人机应用 产品推荐表

1970/01/01  - 应用及方案 本文介绍了无人机应用电路的原理图,包括电机控制模块电路中使用MOSFET产品进行电机控制。电路板上的电调(电子调速器)由6颗MOS管组成一组,整机四个旋翼电机,共使用24颗。文章还提供了多种MOSFET产品的推荐,包括VDS、VGS、ID、Rds(on)等参数,以及其他相关元器件的推荐。

PANJIT  -  MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,PJQ4444P,BZX584C12,PJQ4442P,P4FL5.0A,PJQ4404P,PJQ4402P,PJL9416,PJL9417,PJL9415,PJQ5453,BZT52,PJL9418,PJQ2405,2N7002K,B5V6S,P4SMAJ20A,1N4148WS,SBA140AS,PJQ4401P,PJQ4443P,PJQ4453P,PJQ4441P,PJQ2409,PJQ2407,PJQ2408,PJL9420,PJA3411,PJQ4403P,PJL9422,PJQ5445,PJL9425,PJQ5443,PJQ5442,PJQ5440,PJQ2416,SVM860VB,PJQ5428,PJQ5427,BC817,PJQ5426,PEC1605M1Q,PJQ5425,无人机

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【产品】PANJIT PJA3407E系列 P通道增强模式MOSFET

产品特性:1.低导通电阻:RDS(ON), VGS@-10V, ID@-3.7A<53mΩ;RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-2.8A<80mΩ。 2.ESD保护。 3.先进的沟槽工艺技术。 4.符合EU RoHS 2.0无铅要求。 5.绿色成型化合物,符合IEC 61249标准。;

系列型号: PJA3407E_R1_00001

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PJQ4441P-AU 40V P沟道增强型MOSFET

February 18,2023  - 数据手册 该资料详细介绍了型号为PJQ4441P-AU的40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET的特性。内容包括电压、电流规格,产品特性如低导通电阻、高密度单元设计,以及机械数据、最大额定值和热特性等。

PANJIT  -  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PJQ4441P-AU,PJQ4441P-AU_R2_000A1

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PJW3P06A 60V P沟道增强型MOSFET

2026-04-30  - 技术文档

PANJIT  -  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PJW3P06A

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【产品】PANJIT PJQ4427DP系列 P-Channel Enhancement Mode MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET

产品特性:1.低导通电阻(RDS(ON)):在VGS为-4.5V时,ID为-8A时的RDS(ON)<7mΩ;在VGS为-2.5V时,ID为-5A时的RDS(ON)<10mΩ;在VGS为-1.8V时,ID为-3A时的RDS(ON)<15mΩ。 2.高电流额定值:连续漏极电流达到-53A。 3.符合欧盟RoHS 2.0无铅标准。 4.绿色注塑化合物符合IEC 61249标准。 5.封装类型:DFN3333-8L。 6.约重:0.03克。;

系列型号: PJQ4427DP_R2_00001

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PJQ1917 20V P沟道增强型MOSFET

June 7,2023  - 数据手册 该资料介绍了名为PJQ1917的20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET。它采用先进的沟槽工艺技术,具有防静电保护功能,专为开关负载设计,符合欧盟RoHS 2.0标准,并使用环保型注塑化合物。资料提供了详细的电气参数、典型特性曲线和产品包装信息。

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PJQ2815 20V P沟道增强型MOSFET

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PANJIT  -  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PJQ2815,道岔负荷,PWM应用,SWITCH LOAD,PWM APPLICATION

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【产品】PANJIT PJW4P06A-AU系列 P-Channel Enhancement Mode MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET

产品特性:1.低导通电阻:RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A<110mΩ;RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-2A<130mΩ。 2.高开关速度。 3.改进的dv/dt能力。 4.低栅极电荷。 5.低反向转移电容。 6.AEC-Q101认证。 7.符合欧盟RoHS 2.0无铅标准。 8.绿色成型化合物符合IEC 61249标准。 9.封装类型:SOT-223。 10.热阻:典型热阻为40.3°C/W。;

系列型号: PJW4P06A-AU_R2_000A1

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PJQ2405 20V P沟道增强型MOSFET

June 17,2021  - 数据手册 本资料介绍了型号为PJQ2405的20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件具有低导通电阻、高密度单元格设计等特点,适用于各种电子设备中的开关控制。

PANJIT  -  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PJQ2405,PJQ2405_R1_00001

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PJA3449-AU 40V P沟道增强型MOSFET

2019-04-01  - 技术文档

PANJIT  -  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PJA3449-AU,道岔负荷,PWM应用,SWITCH LOAD,PWM APPLICATION

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【产品】PANJIT PJW5P06A-AU系列 P-Channel Enhancement Mode MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET

产品特性:1.低导通电阻:RDS(ON), VGS@-10V, ID@-5A<68mΩ;RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3A<85mΩ。 2.高开关速度。 3.改进的dv/dt能力。 4.低栅极电荷。 5.低反向传输电容。 6.AEC-Q101认证。 7.符合欧盟RoHS 2.0无铅标准。 8.绿色成型化合物符合IEC 61249标准。 9.封装类型:SOT-223。 10.焊接端子符合MIL-STD-750方法2026。 11.大约重量:0.043盎司,0.123克。;

系列型号: PJW5P06A-AU_R2_000A1

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PJQ5433E 30V P沟道增强型MOSFET

November 24,2023  - 数据手册 该资料详细介绍了PJQ5433E型号的30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET,包括其电气特性、机械数据、典型特性曲线以及产品包装信息。

PANJIT  -  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PJQ5433E

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品牌:PANJIT

品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥1.6300

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品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥5.8080

现货:10

品牌:PANJIT

品类:Transient Voltage Suppressors

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品牌:PANJIT

品类:Small Signal Switching Diode

价格:¥0.1045

现货:5,944

品牌:PANJIT

品类:SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

价格:¥0.4158

现货:1,800

品牌:PANJIT

品类:ULTRA LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

价格:¥0.9136

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品牌:PANJIT

品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:

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品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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