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AN90019 LFPAK MOSFET thermal resistance - simulation, test and optimization of PCB layout
发布时间: 2021-07-01
类型: 应用笔记或设计指南,设计参考、应用指南
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PSMN1R0-30YLD
本应用笔记详细介绍了LFPAK MOSFET的热阻参数Rth(j-a)及其在PCB布局中的优化方法。内容深入探讨了热阻的定义、测试方法、热传递机制以及MOSFET的电流路径,并通过模拟与测试结果,提供了降低热阻的有效策略,旨在帮助工程师解决散热设计难题。针对文中所述技术方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并拥有充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
采用NextPowerS3技术的LFPAK56中的N沟道30V、1.0MΩ、300A逻辑电平MOSFET
14 December 2015
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2019/01/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R0-40SSH热RC网络(Foster)SPICE热模型
26 Apr 2019
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技术文档 - 英文
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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数据手册 - 英文
PSMN1R0-40ULD N-channel 40 V, 1.1 mΩ, 280 A logic level MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595, using NextPower-S3 Schottky-Plus technology
23 May 2018
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
11 September 2019
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
02/3/2016
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
2/3/2016
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热网(Foster)
21/11/2017
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
10/6/2014
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热网(Foster)
21/3/2016
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热网(Foster)
2/11/2015
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
10/6/2014
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技术文档 - 英文
热网(Foster)
21/3/2016
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数据手册 - 英文
PSMN1R0-40SSH N通道40 V,1 mΩ,325安培连续,LFPAK88标准级MOSFET,使用NextPower 3技术产品数据表
18 January 2019
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商品功能框图 - 英文
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
11 September 2019
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技术文档 - 英文
PSMN1R0-40YSH SPICE热模型RC网络(Cauer)
30 October 2019
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数据手册 - 英文
PSMN1R0-25YLD N沟道25 V、1.0 MΩ、240 a逻辑电平MOSFET,采用LFPaK56封装和NextPowerS3技术产品数据手册
23 June 2020
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R0-30YLD
2019/01/07
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R0-30YLD
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R0-30YLD
2018/04/24
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测试报告 - 英文
化学成分PSMN1R0-30YLD
2018/03/06
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商品功能框图 - 英文
PSMN1R7-40YLD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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技术文档 - 英文
PSMN1R0-40SSH SPICE热模型RC网络(Cauer)
16 July 2019
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数据手册 - 英文
采用NextPower技术的LFPAK中N沟道30v1.15mΩ逻辑电平MOSFET
15 January 2015
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商品功能框图 - 英文
PSMN2R8-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
12 September 2019
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数据手册 - 英文
采用NextPower-S3肖特基Plus技术的LFPAK56中的N沟道40V、1.1MΩ、280A逻辑电平MOSFET
30 November 2017
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸,提供高功率密度,可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性,空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准,具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET?
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PSMN1R0-40YLD Spice热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R0-40YLD的元器件的热阻网络(Foster)SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数,以及相关条件下的最小、典型和最大值。资料中还包含了模型的符号、参数和单位。此外,资料注明了版权信息,并声明了资料的使用限制。
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PSMN1R0-40YLD Spice热模型
本资料提供了一种名为PSMN1R0-40YLD的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻(Rth(j-mb))和相关参数,如Cth1至Cth4。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值,并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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