N-channel 30 V, 1.0 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology

知识图谱

发布时间： 2018-04-08 品牌： Nexperia 资料类型：数据手册语言：英文

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●LFPAK56封装中的300安培逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3产品组合利用Nexperia独特的“肖特基+”技术，提供了高效率、低尖峰性能，通常与具有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但没有出现问题的高泄漏电流。NextPower 3特别适用于高开关频率下的高效率应用。

●特点和优点：

■300安培容量
■额定雪崩，在I（as）=190安培时100%测试
■超低Q-G、Q-GD和Q-OSS可提高系统效率，尤其是在更高的开关频率下
■具有软恢复的超快切换；s因子>1
■低尖峰和振铃用于低EMI设计
■独特的“肖特基+”技术；25°C时泄漏小于1μA的肖特基性能
■针对4.5 V栅极驱动进行了优化
■低寄生电感和电阻
■高可靠性夹焊和焊接模具连接电源SO8封装；无胶水，无金属丝粘合，合格温度为175°C
■波浪焊接；裸露的导线可实现最佳的目视焊接检查

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采用NextPower技术的LFPAK中N沟道30v1.15mΩ逻辑电平MOSFET

15 January 2015 - 数据手册

NEXPERIA - N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET,N沟道逻辑电平MOSFET,LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL MOSFET,逻辑电平增强型N沟道MOSFET,PSMN1R0-30YLC,DC-TO-DC CONVERTERS,服务器电源,功率OR-ING,负荷切换,国产设备,INDUSTRIAL,COMMUNICATIONS,POWER OR-ING,通信,DOMESTIC EQUIPMENT,锂离子电池保护,同步整流器,DC-DC转换器,LITHIUM-ION BATTERY PROTECTION,LOAD SWITCHING,SYNC RECTIFIER,工业,SERVER POWER SUPPLIES

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中国RoHS PSMN1R0-30YLD

2019/01/07 - 测试报告本资料为恩智浦（Nexperia）产品符合中国RoHS PSMN1R0-30YLD标准的声明。资料详细列出了不同元器件（如晶粒、夹式极片、引线框、注塑胶料、后电镀、锡膏等）中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量，并标注了是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，资料还提及了所有Nexperia产品的环保使用期限为50年，并对信息准确性、免责声明等进行了说明。

NEXPERIA - 339921033811,341300003125,340007006939,341300003127,341300003091,PSMN1R0-30YLD,339921033071,339921033491

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中国RoHS PSMN1R0-30YLD

2018/09/05 - 测试报告本资料为恩智浦（Nexperia）产品符合中国RoHS PSMN1R0-30YLD标准的声明。资料详细列出了不同元器件（如晶粒、夹式极片等）中铅、镉、汞等有害物质的含量，并说明其是否低于SJ/T11363-2006标准规定的限量。同时，资料强调所有Nexperia产品具有50年的环保使用期限（EFUP），并包含免责声明。

NEXPERIA - PSMN1R0-30YLD

中国RoHS PSMN1R0-30YLD

2018/04/24 - 测试报告本资料为Nexperia公司关于元器件的RoHS合规性声明，详细列出了特定部件（如Clip、CEPT、Lead Frame等）中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量情况，并说明所有均质材料中的有害物质含量均在SJ/T11363-2006标准规定的限量要求以下。同时，资料还提到所有Nexperia产品具有50年的环保使用期限，并包含免责声明。

NEXPERIA - PSMN1R0-30YLD

中国RoHS PSMN1R0-30YLD

2018/03/06 - 测试报告本资料为Nexperia公司关于其产品China RoHS PSMN1R0-30YLD的环保合规性声明。资料详细列出了该产品中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量，均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。同时，Nexperia承诺其产品具有50年的环保友好使用期限。资料还包含免责声明，指出所有信息仅供参考，且Nexperia不对信息准确性或完整性作出保证。

NEXPERIA - PSMN1R0-30YLD

PSMN1R0-40SSH热RC网络（Foster）SPICE热模型

NEXPERIA - PSMN1R0-40SSH

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产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN6R7-40MLD型号产品的质量信息，包括快速参考信息、可靠性测试数据和FIT及MTBF计算。资料详细描述了产品的电气特性、ESD值、可靠性测试条件、测试结果和计算方法，以及产品家族的测试方法。

NEXPERIA - MOSFET,PSMN6R7-40MLD,电源管理

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产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R7-40YLD型号产品的质量信息，包括订单号、封装类型、制造地点、ESD测试数据等。资料详细描述了产品的可靠性测试，包括应力测试条件、持续时间、数量和拒收情况。此外，还介绍了计算故障率和平均寿命的方法，以及产品的结构相似性分组方法。

NEXPERIA - PSMN1R7-40YLD

产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R0-80CSE型号产品的质量信息，包括ESD（静电放电）测试数据、可靠性测试信息、FIT（失效率）和MTBF（平均故障间隔时间）的计算方法，以及产品家族的测试方法。资料中详细列出了各种测试条件、持续时间、数量和合格率，并强调了测试结果仅供参考，不作为产品性能的保证。

NEXPERIA - 二极管,PSMN1R0-80CSE

产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R0-40YLD型号产品的质量信息，包括订单号、封装类型、制造地点、ESD抗扰度等。资料详细描述了产品的可靠性测试，包括应力条件、测试条件、持续时间、数量和拒收情况。此外，还提供了计算故障率和平均寿命（MTBF）的测试考虑因素，以及产品的结构相似性分组信息。

NEXPERIA - MOSFET,PSMN1R0-40YLD

产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R0-30YLD型号产品的质量信息，包括快速参考数据和可靠性测试信息。资料中详细列出了产品的电气特性、ESD（静电放电）测试数据、可靠性测试条件、持续时间、数量和拒收情况。此外，还包含了计算FIT（失效间隔时间）和MTBF（平均故障间隔时间）的测试考虑因素，以及Nexperia采用的“结构相似性分组”方法进行产品测试的说明。

NEXPERIA - MOSFET,PSMN1R0-30YLD,电源管理

产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R0-100CSF型号产品的质量信息，包括ESD（静电放电）测试数据、可靠性测试信息、FIT（失效率）和MTBF（平均故障间隔时间）的计算方法，以及产品家族的测试方法。资料中详细列出了各种测试条件、持续时间、数量和合格率，并强调了测试结果仅供参考，不作为产品性能的保证。

NEXPERIA - 二极管,PSMN1R0-100CSF

产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R0-100ASF器件的质量和可靠性信息。内容包括产品类型、订购号、封装、ESD测试数据、可靠性测试条件、测试结果、失效率、MTBF计算以及结构相似性分组方法。资料强调数据为非约束性估计，不保证超出规定条件下的性能。

NEXPERIA - 二极管,PSMN1R0-100ASF

产品质量快速参考信息

2025/06/29 - 技术文档本资料提供了Nexperia公司PSMN1R0-100ASE型号产品的质量信息，包括ESD（静电放电）测试数据、可靠性测试信息、FIT（失效率）和MTBF（平均故障间隔时间）的计算方法，以及产品家族的测试方法。资料中详细列出了各种测试条件、持续时间、数量和合格率，并强调了测试结果仅供参考，不作为产品性能的保证。

NEXPERIA - 二极管,PSMN1R0-100ASE

PSMN1R0-80CSE N型，80V，0.95毫欧姆，MOSFET，具有增强的SOA，在CCPAK1212i封装中。

6 December 2024 - 数据手册该资料介绍了Nexperia公司生产的PSMN1R0-80CSE型号N沟道增强型MOSFET。该产品采用CCPAK1212i封装，适用于高温环境，具有低导通电阻和优化的安全工作区（SOA）性能。PSMN1R0-80CSE适用于热插拔、负载开关、软启动、E-fuse和基于48V背板/电源轨的电信系统。

NEXPERIA - MOSFET,PSMN1R0-80CSE,E-FUSE,基于48V背板/电源轨的电信系统,热插拔,软启动,负载开关,电子保险丝

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PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型

NEXPERIA - PSMN3R2-40YLD,PSMN3R5-40YSD

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热网（Foster）

10/6/2014 - 技术文档本资料提供了一种名为PSMN1R0-40YLD的元器件的热模型，包括其热阻和电容参数。资料中详细列出了从器件结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)），以及多个电容参数（Cth1至Cth7）。此外，还提供了相应的电阻参数（Rth1至Rth7）。资料最后注明了资料版权信息及发布日期。

NEXPERIA - PSMN1R0-40YLD

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热网（Foster）

17/11/2015 - 技术文档本资料提供了一种名为PSMN6R1-30YLD的元器件的热阻（Rth）和热电容（Cth）参数，包括从结点到安装底座的热阻、不同温度下的热电容值以及热阻的多个分立值。资料中还包括了这些参数的最小值、典型值和最大值，以及相应的单位。此外，资料还注明了资料日期和版权信息。

NEXPERIA - PSMN6R1-30YLD

热网（Foster）

17/11/2015 - 技术文档该资料提供了一种名为PSMN6R0-30YLD的元器件的热阻（Rth）和热电容（Cth）的SPICE模型参数。包括从结点到安装底座的热阻、不同热电容值以及相应的热阻值。资料还包含了参数的最小值、典型值和最大值，以及单位。资料注明了日期为2015年11月17日，并声明了版权信息。

NEXPERIA - PSMN6R0-30YLD

热网（Foster）

18/11/2015 - 技术文档本资料提供了一种名为PSMN5R0-30YL的元器件的热阻和电容参数，包括从结点到安装基座的热阻、多个电容值以及热阻和电容的组合参数。资料中详细列出了各个参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。此外，资料还包含了模型的日期和版权信息。

NEXPERIA - PSMN5R0-30YL

热网（Foster）

21/3/2016 - 技术文档该资料提供了一种名为PSMN3R5-25MLD的元器件的热阻和热容参数，包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）以及多个热容参数（Cth1至Cth8）。这些参数以单位、符号和数值形式呈现，并附有最小值、典型值和最大值。资料还包含了模型的日期和版权信息。

NEXPERIA - PSMN3R5-25MLD

热网（Foster）

17/11/2015 - 技术文档该资料提供了一种名为PSMN3R0-30YLD的元器件的热模型，包括其热阻和电容参数。热模型包含多个参数，如Rth(j-mb)表示从结点到安装底座的热阻，Cth1至Cth7表示不同电容值。资料还包含了参数的最小值、典型值和最大值，以及单位。资料最后注明了版权信息，并指出信息可能随时更改。

NEXPERIA - PSMN3R0-30YLD

热网（Foster）

17/11/2015 - 技术文档本资料提供了一种名为PSMN2R0-30YLD的元器件的热模型，包括其热阻和电容参数。资料详细列出了从器件结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)），以及多个电容（Cth1至Cth7）和电阻（Rth1至Rth7）的数值。这些参数有助于进行热仿真和设计，以优化器件的散热性能。资料还注明了数据的有效性和版权信息。

NEXPERIA - PSMN2R0-30YLD

热网（Foster）

21/3/2016 - 技术文档该资料提供了一种名为PSMN2R0-25YLD的元器件的热模型，包括其热阻和电容参数。热模型包括从结点到安装基座的热阻Rth(j-mb)，以及多个电容Cth1至Cth7。参数值包括最小值、典型值和最大值，单位为法拉(F)和欧姆(Ω)。资料还包含模型的日期和版权信息。

NEXPERIA - PSMN2R0-25YLD

热网（Foster）

24/6/2015 - 技术文档本资料提供了一种名为PSMN1R5-30YL的元器件的热阻（Rth）和热电容（Cth）的SPICE模型参数。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）以及多个热电容参数（Cth1至Cth8）。参数值包括最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含了模型的符号、参数、条件等信息，最后注明了资料版权和发布日期。

NEXPERIA - PSMN1R5-30YL

热网（Foster）

NEXPERIA - PSMN1R2-30YLD

热网（Foster）

10/6/2014 - 技术文档本资料介绍了PSMN1R0-30YLD器件的SPICE热模型，包括热阻和热电容参数。热阻Rth(j-mb)从结点到安装基座为0.45K/W，热电容参数包括Cth1至Cth5，分别对应不同的电容值。资料还提供了Rth2至Rth5的热阻值，以及模型的创建日期和版权信息。

NEXPERIA - PSMN1R0-30YLD

热网（Foster）

21/3/2016 - 技术文档本资料提供了一种名为PSMN1R0-25YLD的元器件的热模型，包括其热阻和电容参数。热模型包括从结点到安装底座的热阻Rth(j-mb)以及多个电容值Cth1至Cth7。参数值包括最小值、典型值和最大值，单位为法拉(F)和欧姆(Ω)。资料还包含模型的日期和版权信息。

NEXPERIA - PSMN1R0-25YLD

热网（Foster）

29/4/2014 - 技术文档本资料提供了一种基于Foster模型的SPICE热模型，用于分析PSMN0R9-30YLD器件的热特性。模型包括多个热参数，如热阻和热电容，以及相应的最小、典型和最大值。资料还包含了模型的符号、参数、条件以及单位。

NEXPERIA - PSMN0R9-30YLD

采用NextPower-S3肖特基Plus技术的LFPAK56中的N沟道40V、1.1MΩ、280A逻辑电平MOSFET

30 November 2017 - 数据手册

NEXPERIA - N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET,逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET,N沟道逻辑电平MOSFET,LOGIC LEVEL GATE DRIVE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,PSMN1R0-40YLD,DC-TO-DC CONVERTERS,同步整流,HIGH PERFORMANCE POWER SWITCHING,POWER ORING,电机控制,高性能电源开关,高性能、高效率的服务器电源,HIGH PERFORMANCE & HIGH EFFICIENCY SERVER POWER SUPPLY,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,DC-DC转换器,MOTOR CONTROL,功率O形环

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PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型

NEXPERIA - PSMN3R2-40YLD,PSMN3R5-40YSD

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AN90019 LFPAK MOSFET热阻-PCB布局的仿真、测试和优化

20 July 2020 - 应用笔记或设计指南本应用笔记详细介绍了LFPAK MOSFET的热阻参数Rth(j-a)及其在PCB布局中的优化方法。内容涵盖热阻的定义、测试方法、热传递机制、MOSFET电流路径、PCB布局优化等方面，并通过模拟和测试结果，提供了降低热阻的有效策略。

NEXPERIA - MOSFET,PSMN1R0-30YLD

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PSMN1R0-40SSH N沟道40V、1毫欧姆、连续325安培，标准级MOSFET，采用NextPowerS3技术，封装于LFPAK88，2019年5月1日产品数据手册。

1 May 2019 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的PSMN1R0-40SSH型号MOSFET的产品数据手册。该产品采用NextPowerS3技术，具有高效率、低漏电流和低开关损耗等特点，适用于高功率、高频开关应用。

NEXPERIA - MOSFET,PSMN1R0-40SSH,刷力直流电机控制,同步整流器在高功率AC-DC应用中,EFUSE和负载开关,电池保护,热插拔/浪涌电流管理

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化学成分PSMN1R0-30YLD

2019/01/07 - 测试报告该资料详细描述了元器件PSMN1R0-30YLD的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、材料组成及百分比等信息。资料中包含了不同材料的CAS编号、质量、占比等数据，并注明了部分信息为通用描述，实际成分可能涉及商业机密或无官方CAS编号。此外，资料还包含了免责声明，指出信息仅供参考，并可能存在轻微偏差。

NEXPERIA - 9340 682 34115,PSMN1R0-30YLD

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化学成分PSMN1R0-30YLD

2018/09/05 - 测试报告该资料详细描述了元器件PSMN1R0-30YLD的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、材料组成以及相关法规信息。资料中包含了不同材料组分的CAS编号、质量百分比以及总产品重量，并说明了所有信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。

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化学成分PSMN1R0-30YLD

2018/04/24 - 测试报告该资料详细描述了元器件PSMN1R0-30YLD的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、材料组成及百分比。资料中包含了不同组成部分的化学物质、CAS编号、质量百分比等信息，并说明了该资料仅为探索性或指示性目的，不构成任何保证或承诺。

NEXPERIA - 9340 682 34115,PSMN1R0-30YLD

化学成分PSMN1R0-30YLD

2018/03/06 - 测试报告该资料详细描述了元器件PSMN1R0-30YLD的化学成分、封装类型、重量、焊接处理、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料中包含了不同组成部分的化学成分分析，如引线框架、模具化合物、填充剂、聚合物、纯金属等，并提供了相应的质量百分比。此外，资料还包含了制造地点、版本号、MSL等级等详细信息。

NEXPERIA - 9340 682 34115,PSMN1R0-30YLD

LFPAK88 将功率密度提升到新高度

2022年3月 - 商品及供应商介绍安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。

NEXPERIA - MOSFET,BUK7S0R5-40H,BUK7S1R2-40H,PSMNR90-50SLH,BUK7S1R0-40H,BUK7S0R7-40H,BUK7S2R5-40H,BUK7S1R5-40H,PSMNR55-40SSH,PSMN1R2-55SLH,PSMNR70-40SSH,PSMN1R0-40SSH,BUK7S2R0-40H,DC/DC转换,ABS制动系统,汽车应用,助力转向,LED照明

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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼

March 2022 - 商品及供应商介绍 Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。

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为什么需要500安培的MOSFET？

September 2021 - 商品及供应商介绍

NEXPERIA - 500安培MOSFET,500AMP MOSFET,PSMN2R0-100SSF,PSMNR55-40SS,PSMN3R9-100Y,PSMNR51-25YL,PSMN1R5-50YL,E-FUSE/BATTERY ISOLATION,MOTOR DRIVE APPLICATIONS,E保险丝/电池隔离,电机驱动应用

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