N-channel 30 V, 1.0 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
发布时间：
2018-04-08
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN1R0-30YLD
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R0-40ULD N-channel 40 V, 1.1 mΩ, 280 A logic level MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595, using NextPower-S3 Schottky-Plus technology
23 May 2018
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2018/09/05
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中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2018/04/24
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中国RoHS PSMN1R0-30YLD
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R0-40SSH热RC网络（Foster）SPICE热模型
26 Apr 2019
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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2025/06/29
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R0-40SSH N通道40 V，1 mΩ，325安培连续，LFPAK88标准级MOSFET，使用NextPower 3技术产品数据表
18 January 2019
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R0-25YLD N沟道25 V、1.0 MΩ、240 a逻辑电平MOSFET，采用LFPaK56封装和NextPowerS3技术产品数据手册
23 June 2020
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
02/3/2016
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热网（Foster）
2/3/2016
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热网（Foster）
21/11/2017
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热网（Foster）
10/6/2014
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热网（Foster）
21/3/2016
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热网（Foster）
2/11/2015
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
10/6/2014
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热网（Foster）
21/3/2016
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| 数据手册 - 英文 |
NextPower 100 V，1.04 mΩ，N沟道MOSFET，采用CCPAK1212i封装，2024年12月6日产品数据手册。
2024
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN1R0-30YLD
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN1R0-30YLD
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN1R0-30YLD
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN1R0-30YLD
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
热RC网络（福斯特）SPICE热模型PSMN1R0-40ULD
26/2/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NextPower 100 V, 0.99毫欧姆，N沟道MOSFET，CCPAK1212封装，2024年12月6日产品数据手册
6 December 2024
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
AN90019 LFPAK MOSFET热阻-PCB布局的仿真、测试和优化
本应用笔记详细介绍了LFPAK MOSFET的热阻参数Rth(j-a)及其在PCB布局中的优化方法。内容涵盖热阻的定义、测试方法、热传递机制、MOSFET电流路径、PCB布局优化等方面，并通过模拟和测试结果，提供了降低热阻的有效策略。
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LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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