CCPAK Power GaN FETs
发布时间：
2021-07-01
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
GAN039-650NBB; GAN039-650NBBA; GAN039-650NTB; GAN039-650NTBA
本数据手册详细介绍了Nexperia推出的CCPAK GaN FETs，该产品采用先进的铜夹封装技术，具备12x12mm的紧凑尺寸及2.5mm的低封装高度。得益于无引线键合设计，器件有效优化了热性能与电气性能，并显著简化了级联配置的设计难度。CCPAK系列提供底部冷却和顶部冷却两种选项，能够灵活满足汽车、工业及电信等不同领域的散热需求。此外，该产品符合AEC-Q101标准，展现出低热阻与高可靠性，适合对性能要求严苛的应用场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
GAN039-650NTBA 650 V、33 mOhm氮化镓（氮化镓）FET，采用CCPAK1212i封装
19 April 2021
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| 技术文档 - 英文 |
NX-HB-GAN039-BSCUL 3.5 kW半桥评估板，配备底部冷却的氮化镓FETs。
2025/06/26
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| 数据手册 - 英文 |
GAN039-650NBBA 650 V、33 mOhm氮化镓（氮化镓）FET，采用CCPAK1212封装
19 April 2021
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| 数据手册 - 英文 |
采用CCPAK1212封装的GaN039-650NBB 650 V、33 mOhm氮化镓（氮化镓）FET初步数据手册
5 December 2023
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| 数据手册 - 英文 |
GAN039-650NTB 650 V、33 mOhm氮化镓（氮化镓）FET，采用CCPAK1212i封装
19 April 2021
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| 数据手册 - 英文 |
GAN039-650NBB 650 V、33 mOhm氮化镓（氮化镓）FET，采用CCPAK1212封装
19 April 2021
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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功率氮化镓场效应晶体管质量和可靠性
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新型CCPAK双脉冲评估板功率氮化镓FET
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快速氮化镓器件的开关评价功率氮化镓场效应晶体管
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CCPAK高功率氮化镓场效应晶体管
Nexperia推出的CCPAK高功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）采用紧凑的12 x 12 mm SMD封装，提供两种散热选项。该封装具有无键合线设计，优化热和电气性能，共源共栅配置简化设计。产品适用于电动汽车、工业和电信等领域，符合AEC-Q101质量标准。
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高功率氮化镓场效应晶体管高性能、高效率、高可靠性
Nexperia推出的高功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）具备高性能、高效率和可靠性，适用于汽车和物联网基础设施等领域。产品采用成熟的量产工艺，满足国际质量标准，并通过车规级认证。氮化镓技术提供低损耗、快速开关和低热阻等优势，有助于提高系统效率和功率密度。Nexperia还提供创新的CCPAK封装，优化热性能和电气性能，满足不同应用需求。
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高功率氮化镓场效应晶体管: 高性能、高效率、高可靠性
Nexperia推出的高功率氮化镓场效应晶体管（GAN FET）具备高性能、高效率和高可靠性，适用于汽车和物联网基础设施等领域。产品基于成熟量产工艺，满足国际质量、环境、健康和安全标准。氮化镓技术优势包括低RDS(on)、快速开关、低Vf和Qrr、高耐久性等。Nexperia还提供创新的CCPAK封装，优化热和电气性能，满足车规质量标准。
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Nexperia氮化镓场效应晶体管的并联：如何克服并联氮化镓场效应晶体管的挑战并提高电源设计的功率容量
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功率氮化镓场效应晶体管
Nexperia推出的650V GaN FET器件在性能、效率和可靠性方面表现出色，适用于汽车和物联网基础设施应用。这些器件采用GaN-on-Si技术，具有超低反向恢复损耗、简单易用的栅极驱动和高效的功率转换。Nexperia还提供CCPAK封装，具有紧凑的尺寸和优化的热性能，适用于工业和汽车电子应用。
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功率氮化镓场效应晶体管：性能、效率和可靠性
Nexperia推出高性能GaN FET产品，采用Clip-bond封装技术，提供高可靠性、高效率的功率转换解决方案。产品适用于汽车、工业、通信等领域，具有紧凑的尺寸、低热阻、高可靠性等特点。
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功率氮化镓场效应晶体管：性能、效率和可靠性
Nexperia推出高性能GaN FET产品，采用Clip-bond封装技术，提供高可靠性、高效率的功率转换解决方案。产品适用于汽车、工业、通信等领域，具有紧凑的尺寸、低热阻、高可靠性等特点。
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用于DC-DC转换的氮化镓场效应晶体管和集成电路
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电脑游戏电源中的650 V氮化镓
CORSAIR公司于2018年初推出了AX1600i 1.6 kW电源供应器，采用Transphorm的高压GaN FETs，实现更高的效率和功率输出。与AX1500i相比，AX1600i在相同价格下提供更高的效率和功率，同时降低系统成本和封装尺寸，并保持相同的散热性能，提供10年保修。
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【应用】杰华特联合英诺赛科推出升级版120W氮化镓快充方案，体积同65W快充，最高效率94.3%
近日杰华特与英诺赛科联合推出升级版120W快充方案，基于杰华特ACF控制器JW1550和英诺赛科氮化镓场效应晶体管产品INN650D01+INN650D02A，在高功率快充方案上全面升级，打造120W快充高端标配。
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【方案】氮化镓高功率密度电源优选元器件方案
本方案采用EPC氮化镓功率器件、Silicon Labs电容隔离等器件组成的两级隔离降压电路，可将机器工作频率提升到500K～1MHz，效率提高到95%以上，同时使电源功率密度大于1000W/in3。有效提升了电源的效率和功率密度，解决了电源模块化等问题。
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650 V氮化镓广泛应用于工业电源系统
TDK-Lambda推出PFH500F-28 AC-DC电源模块，采用650V GaN技术，适用于恶劣环境下的工业电源系统。该模块采用无桥式升压拓扑，使用Transphorm的GaN FET，相比前代产品，提供5%效率提升、30%功率密度增加和38%热管理优化。
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650 V氮化镓广泛应用于工业电源系统
TDK-Lambda推出PFH500F-28 AC-DC电源模块，采用650V GaN技术，适用于恶劣环境下的工业电源系统。该模块采用桥式 Totem-Pole功率因数校正拓扑，使用Transphorm的GaN FET，相比前代产品，提供5%效率提升、30%功率密度增加和38%的热量降低。
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高性能国产氮化镓（GaN）应用于无人驾驶及新能源汽车OBC、DC/DC
氮化镓（GaN）在电动汽车领域的应用前景广阔，尤其在OBC、DC/DC转换器、BMS和牵引逆变器等方面具有显著优势。GaN器件在Lidar、OBC和DC/DC模块中的应用提高了系统效率、减小了体积和重量。英诺赛科作为国内首家量产8英寸硅基氮化镓功率器件的IDM厂商，拥有完整的产业链平台，其产品在可靠性、成本和产能方面具有竞争优势。
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650 V氮化镓在电动滑板车电池充电
GaN（氮化镓）技术在电动汽车（BEV）充电领域的应用日益受到关注。在电动滑板车充电站GoStations®中，Transphorm的Gen III TH65H050WS FETs被用于优化GaN器件的性能，实现无缝充电和放电，提高功率密度。GaN技术相比硅材料，在AC到DC效率、热性能和系统成本方面具有显著优势。
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【产品】650V增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02，助力快充高效高功率密度设计
目前英诺赛科（Innoscience）的650V GaN产品包括增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02，主要是应用于快充等市场，实现高效高功率密度设计。【世强硬创沙龙2019】
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EPC Space提供行业领先的300V抗辐射氮化镓场效应晶体管EPC7030MSH，用于更高电压的卫星电源系统
EPC Space 宣布推出EPC7030MSH，一款辐射硬化（RH）300V氮化镓（GaN）FET，为高压高功率空间应用提供无与伦比的性能，包括下一代卫星发电厂和电推进系统。
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EPC 100V氮化镓场效应晶体管EPC2367，仅1.2mΩ的超低RDS(on)，带来更高效率和更低系统成本
EPC新产品EPC2367是一款100V的eGaN® FET，可用于数据中心、电动汽车的48V电源架构，在功率转换应用中提供卓越性能，带来更高效率和更低系统成本。紧凑的3.3mm × 3.3mm QFN封装——节省PCB空间，增强热性能；领先的性能优值—— EPC2367在硬开关和软开关的应用场景下表现均优于同类产品，实现更低的功率损耗。
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面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
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【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用，可减少损耗
Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商，提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势，广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器，包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外，还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。
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太阳能应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介
GaN FETs和ICs在太阳能应用中因其高效能、小尺寸、轻重量和长寿命等显著优势而被广泛采用。GaN器件适用于太阳能电池板优化器、微型逆变器、多电平逆变器等，能够提高功率密度，降低开关损耗，并实现更高的效率。与硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，更小的尺寸，以及更高的可靠性，适用于宽范围的太阳能系统操作条件。EPC公司提供的GaN器件和解决方案，包括EPC2204、EPC2088、EPC2071等，能够满足不同功率等级和拓扑结构的需求。
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太阳能应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介
本文介绍了GaN FETs和ICs在太阳能应用中的优势，包括提高效率、减小尺寸、降低重量和延长使用寿命。GaN器件适用于太阳能系统的多个阶段，如微逆变器、MPPT优化器和电池储能系统。与硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通和开关损耗，更高的功率密度和更好的热性能。文章还提供了GaN器件的产品选择和性能比较，强调了GaN在太阳能应用中的可靠性和成本效益。
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EPC to Showcase the Latest Generation of GaN FETs and ICs, Cutting-Edge Power Electronics Solutions at APEC 2024
APEC 2024 will be held from February 25 to February 29 in Long Beach, CA, brings together industry experts and thought leaders to explore the latest advancements in power electronics. EPC’s GaN Experts will be available during APEC, showcasing the latest generation of GaN FETs and ICs in a wide variety of real-world applications.
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EPC GaN FETs Deliver Benchmark Power Density and Efficiency for DC/DC Conversion
EPC announces the availability of several reference designs that feature EPC GaN FETs and ADI controllers. The demonstration boards include EPC9158, EPC9160, and EPC9195. EPC GaN FETs leverage drivers and controllers by Analog Devices to simplify GaN design, increase efficiency, reduce cooling cost, and help enable the highest power density for computing, industrial, and consumer DC/DC converters.
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面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路市场简介
本文介绍了eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。重点介绍了氮化镓场效应晶体管和集成电路在DC/DC功率转换、无人机、激光雷达/TOF、家用机器技术、BLDC电机、手术和医疗应用等方面的应用和优势。文章还提供了相关器件型号、配置、性能参数和开发板信息。
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面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路市场简介
本文介绍了eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。重点介绍了氮化镓场效应晶体管和集成电路在DC/DC功率转换、无人机、激光雷达/TOF、家用机器人技术、手术和医疗应用等方面的应用和优势。文章还详细列出了多种eGaN®器件的型号、配置、性能参数和封装信息，以及相应的开发板和演示板。
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面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路市场简介
本文介绍了eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。重点介绍了氮化镓场效应晶体管和集成电路在DC/DC功率转换、无人机、激光雷达/TOF、机器人服务员、家用机器技术、BLDC电机、手术和医疗应用等领域的应用和优势。文章还提供了相关器件型号、配置、性能参数等信息。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性和全面设计支持方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细说明了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的性能提升，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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