PSMN2R0-55YLH SPICE thermal model
发布时间：
2021-12-22
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN2R0-55YLH
本技术资料详细介绍了PSMN2R0-55YLH元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。该模型涵盖了从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）及相关热容参数（Cth1至Cth4），并详细列出了这些参数的最小值、典型值和最大值及对应单位，为用户进行精确的热仿真与设计验证提供了关键数据支持。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型数据，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN2R0-55YLH N沟道50 V、2.1 mOhm、200 A连续逻辑电平专用MOSFET，采用LFPAK56E封装产品数据手册
26 January 2022
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中国RoHS PSMN2R0-30PL
2019/01/07
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中国RoHS PSMN2R0-30PL
2018/09/05
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中国RoHS PSMN2R0-30PL
2018/05/23
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中国RoHS PSMN2R0-30PL
2018/03/06
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PSMN2R0-40YLD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN2R0-55YLH N沟道55 V、2.2 mOhm、200 a连续逻辑电平MOSFeT，采用LFPaK56e封装和NextPower-S3技术产品数据手册
9 July 2021
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中国RoHS PSMN2R0-60PS
2019/01/07
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中国RoHS PSMN2R0-60PS
2018/09/05
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中国RoHS PSMN2R0-60PS
2018/04/24
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中国RoHS PSMN2R0-60PS
2018/03/06
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PSMN2R0-30YLE热电阻网络（Foster）SPICE热模型
21/3/2017
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热网（Foster）
17/11/2015
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热网（Foster）
21/3/2016
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热网（Foster）
21/3/2016
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热网（Foster）
10/6/2014
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN2R0-55YLH N沟道55 V、2.2 mOhm、200 a连续逻辑电平MOSFeT，采用LFPaK56e封装和NextPower-S3技术
17 December 2020
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PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 数据手册 - 英文 |
I2PAK中的N沟道60 V 2.2 mΩ标准级MOSFET
Rev. 02
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN2R0-60ES
Version 5
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化学成分PSMN2R0-60ES
2018/09/05
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化学成分PSMN2R0-60ES
2018/04/24
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化学成分PSMN2R0-60ES
2018/03/06
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PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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PSMN2R0-60PS N沟道60 V 2.2 MΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
26 October 2020
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化学成分PSMN2R0-30YL
Version 8
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化学成分PSMN2R0-30YL
2018/09/05
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化学成分PSMN2R0-30YL
2018/05/23
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化学成分PSMN2R0-30YL
2018/03/06
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PSMN1R6-30MLH热RC网络（Foster）SPICE热模型
5/3/2019
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PSMN2R0-40YLD香料热模型
12 September 2019
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D2PAK中的N沟道30V 2.1MΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 1
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PSMN1R0-40SSH热RC网络（Foster）SPICE热模型
26 Apr 2019
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PSMN2R0-40YLD 40V逻辑电平MOSFET初步数据表
8 July 2019
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PSMN2R0-40YLD中国RoHS
2019/11/27
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| 数据手册 - 英文 |
使用NextPower-S3 Schottky Plus技术的LFPAK56中的PSMN2R0-40YLD N沟道40V，2.1 mΩ，180 A逻辑电平MOSFET数据表
25 September 2019
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中国RoHS PSMN2R0-30YL
2019/01/07
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
PSMN2R0-55YLH SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN2R0-55YLH的元器件的热阻网络（Foster）SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）以及四个热电容参数（Cth1, Cth2, Cth3, Cth4）。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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