N-channel 30 V 1.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK
发布时间：
2018-04-08
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN1R7-30YL
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
D2PAK中的N沟道60 V 2 mΩ标准级MOSFET
Rev. 2
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中国RoHS PSMN1R7-30YL
2019/01/07
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中国RoHS PSMN1R7-30YL
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN1R7-30YL
2018/05/23
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中国RoHS PSMN1R7-30YL
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
用于电源管理的十种新型高性能mosfet
February 2009
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD 40V逻辑电平MOSFET初步数据表
17 June 2019
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化学成分PSMN1R7-30YL
Version 8
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化学成分PSMN1R7-30YL
2018/09/05
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化学成分PSMN1R7-30YL
2018/05/23
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化学成分PSMN1R7-30YL
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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Power-SO8封装中的新型沟道6 MOSFET
January 2010
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPowerS3技术的LFPAK56中的N沟道25v、1.75mΩ、170a逻辑电平MOSFET
19 April 2016
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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产品质量快速参考信息
2025/06/29
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2025/06/29
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R7-25YLD N沟道25 V、1.75 mOhm、200 a逻辑电平MOSFET，采用LFPaK56封装，采用NextPowerS3技术产品数据手册
23 April 2021
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH热RC网络（Foster）SPICE热模型
5/3/2019
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PSMN1R7-40YLD香料热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPower技术的LFPAK中的PSMN1R7-25YLC N沟道25v1.9mΩ逻辑电平MOSFET
Rev. 01
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R0-40YLD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD N沟道增强型MOSFET 产品数据表
2019-08-27
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R0-40SSH热RC网络（Foster）SPICE热模型
26 Apr 2019
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热网（Foster）
10/6/2014
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热网（Foster）
18/11/2015
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热网（Foster）
2/11/2015
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热网（Foster）
17/3/2016
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热网（Foster）
10/6/2014
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD N沟道40V，1.7MΩ，120A逻辑电平MOSFET，采用NextPower-S3 Schottky Plus技术LFPAK56初步数据表
1 August 2019
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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NXP功率开关MOSFET在紧凑型QFN3333封装更小。更快。冷却器。3.3 x 3.3 mm QFN封装中的30 V沟道6 MOSFET
May 2010
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R7-40YLB N沟道40 V、1.8 mOhm、200 A逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，采用优化的NextPowerS3 Schottky-Plus技术产品数据手册
13 February 2024
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PSMN2R8-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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PSMN1R7-25YLC N沟道25V 1.9 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术，修订版01 — 2011年5月2日产品数据手册
Rev. 01
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世强AI
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
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为什么需要500安培的MOSFET？
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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强大的DC/DC转换解决方案
NXP提供多种DC/DC转换解决方案，包括快速开关MOSFET、高度集成的电源模块等，旨在简化设计、提升性能并降低成本。产品适用于各种应用，特别强调高密度应用，如半桥和正激式DC/DC转换器。NXP还提供小型封装选项，以提高供电效率和散热性能。资料中详细介绍了多种MOSFET、驱动器和电源模块的产品规格和应用。
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用于电源管理应用的TO220封装的新型高性能沟槽6 MOSFET
NXP公司推出新型Trench 6 MOSFET，采用TO220封装，适用于电源管理应用。新系列包括60V和100V两种电压等级，提供低导通电阻、高效率和低热阻等优势。产品适用于电源OR-ing、电机控制、DC-DC转换器等应用，旨在提高电源管理应用的性能和效率。
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