N-channel TrenchMOS logic level FET
发布时间：
2018-04-08
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK9Y07-30B
加工定制
可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
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配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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资料平台
| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK9Y07-30B
2019/01/07
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中国RoHS BUK9Y07-30B
2018/09/05
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中国RoHS BUK9Y07-30B
2018/04/24
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中国RoHS BUK9Y07-30B
2018/03/06
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热RC网络（Foster）SPICE热模型BUK9Y07-30B
Version:1
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化学成分BUK9Y07-30B
2019/02/25
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化学成分BUK9Y07-30B
Version 4
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化学成分BUK9Y07-30B
2018/09/05
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化学成分BUK9Y07-30B
2018/04/24
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化学成分BUK9Y07-30B
2018/03/06
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
5 October 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
13 July 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 02
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 02
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 2 — 7 February 2011
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 02
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
19 March 2014
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
19 March 2014
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
16 March 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
19 March 2014
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
26 May 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
29 July 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
18 August 2015
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
29 July 2016
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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