N-channel TrenchMOS logic level FET
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代理服务
■一般说明
▲采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术的塑料封装中的逻辑级N沟道增强模式场效应晶体管（FET）。本产品的设计和认证符合适用于汽车关键应用的AEC标准。
■功能和优点
▲低导通电阻导致的低传导损耗
▲适用于逻辑电平门驱动源
▲Q101兼容
▲由于额定温度为175°C，适用于热要求高的环境
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January 2020 - 选型指南
NEXPERIA - ESD PROTECTION, FILTERING AND SIGNAL CONDITIONING,BIPOLAR TRANSISTORS,MOSFETS器件,ANALOG & LOGIC ICS,模拟和逻辑IC,DIODES,MOSFETS,双极晶体管,二极管,ESD保护、滤波和信号调理,PSMN3R4-30BL,PMPB95ENEA,PSMN1R0-40YSH,PMEG060V030EPD,IP4220CZ6,BC807-16W,74HC259-Q100,74HCT193,BUK9Y14-80E,PSMN2R6-40YS,74HC4852-Q100,BC807-16H,BAS321J,PMPB13XNE,74LVC4245,74AHC1G126-Q100,PSMN4R1-60YL,74HC594,74HC595,74HC597,74HCT4020-Q100,74HC590,PMZ1200UPE,BUK6Y33-60P,BUK964R2-60E,PSMN2R7-30BL,PDTA143TU,PSMN1R5-40YSD,74HCT173,74HCT174,BUK962R8-60E,74HCT175,74HCT165-Q100,74LVC1G10-Q100,BUK9K20-80E,BC847RA,BZB784 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LFPAK56汽车动力-SO8包一拳
April 2020 - 商品及供应商介绍 Nexperia推出的LFPAK56系列汽车级功率MOSFET，提供与传统DPAK和D2PAK相比的真正替代方案。该系列具有高功率密度、小尺寸和低导通电阻，同时具备高电流额定值和良好的热性能。产品范围广泛，包括N通道和P通道，适用于多种汽车电子应用。
NEXPERIA - BUK9Y7R2-60E,BUK9Y1R9-40H,BUK9Y6R5-40H,BUK7Y41-80E,BUK9Y41-80E,BUK7Y59-60E,BUK9Y59-60E,BUK9Y38-100E,BUK9Y15-60E,BUK7Y7R2-60E,BUK7Y15-60E,BUK9Y14-80E,BUK7Y2R5-40H,BUK7J1R4-40H,BUK7J1R0-40H,BUK7Y14-80E,BUK7Y9R9-80E,BUK7Y4R8-60E,BUK6Y10-30P,BUK9Y2R4-40H,BUK9Y43-60E,BUK7Y43-60E,BUK7Y1R7-40H,BUK7Y15-100E,BUK6Y19-30P,BUK9Y113-100E,BUK9Y1R6-40H,BUK9Y72-80E,BUK9Y12-100E,BUK9Y12-40E,BUK7Y12-40E,BUK7Y72-80E,BUK7Y3R0-40H,BUK7Y12-100E,BUK7Y25-60E,BUK9Y107-80E,BUK9Y25-60E,BUK9Y15-100E,BUK9Y25-80E,BUK6Y33-60P,BUK9Y3R0-40E,BUK7Y25-80E,BUK9Y11-80E,BUK9Y29-40E,BUK7Y29-40E,BUK7Y98-80E,BUK9Y6R0-60E,BUK9Y7R6-40E,BUK7Y7R8-80E,BUK9J0R9-40H,BUK7Y6R0-60E,BUK9Y8R5-80E,BUK9Y19-100E,BUK9Y153-100E,BUK7Y22-100E,BUK9Y1R3-40H,BUK7Y113-100E,BUK9Y4R4-40E,BUK7Y7R6-40E,BUK7Y1R4-40H,BUK7Y4R4-40E,BUK6Y14-40P,BUK9Y4R8-60E,BUK7Y8R7-60E,BUK6Y61-60P,BUK7Y65-100E,BUK9Y22-100E,BUK9Y3R5-40E,BUK9Y2R8-40H,BUK7Y2R0-40H,BUK9Y8R7-60E,BUK6Y24-40P,BUK7Y38-100E,BUK7Y3R5-40H,BUK7Y19-100E,BUK9Y65-100E,BUK7Y153-100E,BUK7Y3R5-40E,BUK9Y21-40E,BUK7Y21-40E
N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012 - 数据手册 本资料为NXP Semiconductors公司生产的BUK9E6R1-100E型号N通道TrenchMOS逻辑电平FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于高可靠性汽车应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括：AEC Q101合规、重复雪崩额定值、适用于高温环境、真正的逻辑电平栅极、适用于12V、24V和48V汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、Start-Stop微混合应用、传动控制、超高性能功率开关等。
NEXPERIA - N通道TRENCHMOS逻辑电平FET,BUK9E6R1-100E,12V, 24V和48V汽车系统,超高性能功率开关,电机,变速箱控制,灯具和电磁阀控制,START-STOP微混合应用
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PH8230E N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
17 November 2009 - 数据手册 本资料为Nexperia公司生产的N-channel TrenchMOS逻辑水平FET（PH8230E）的产品数据手册。该产品适用于计算、通信、消费和工业应用，具有低导通电阻、低栅极电荷和低热阻等特点。
NEXPERIA - N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET,N沟道TRENCHMOS逻辑电平场效应晶体管,LOGIC LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管,PH8230E,开关模式电源,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,笔记型电脑,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,便携式设备,通信,PORTABLE EQUIPMENT,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,直流-直流转换器,工业,NOTEBOOK COMPUTERS
PMN49EN N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
13 April 2007 - 数据手册
NEXPERIA - N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET,N沟道TRENCHMOS逻辑电平场效应晶体管,LOGIC LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管,PMN49EN,高速切换,HIGH-SPEED SWITCHING,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
服务市场
安费诺可定制CO2传感器、颗粒物传感器、温湿度传感器、灰尘(PM2.5和PM10)、相对湿度(RH)传感器的测量范围和输出形式、外形尺寸等其他个性化参数和传感器组合，拥有超过35项专利，包括在传感器使用寿命期限内保证其精度的ABC Logic专利。
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配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
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授权代理品牌：加工与定制
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